• 대한기계학회논문집
• /
• 제11권2호
• /
• pp.253-261
• /
• 1987

본 논문에서는 이러한 점들을 보완하여 Fig.1에 도시한 Rijke 관에서 나선형 가열기에 의한 음향력의 발생량을 계산하고 기주진동을 일으키는데 필요한 가열량을 계산하고 기주진동을 일으키는데 필요한 가열량을 구하였다. 이론을 뒷받침하기 위 하여 실험을 하고 결과를 비교 검토하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
• /
• 제22권5호
• /
• pp.99-103
• /
• 2022

밀리미터파 추적 레이더는 다양한 환경조건에서 운용하므로 입력전압의 큰 변동에도 안정적인 출력전원을 공급하는 전원공급기가 필요하며, 송수신기에 고품질의 전원공급을 위해 낮은 잡음레벨 특성을 가져야 한다. 본 논문에서는 Ka-대역 추적 레이더에 적용하기 위한 최대 출력 727 W급의 소형 전원공급기 설계 및 구현방안에 대해 기술한다. 전압안정도 및 효율 요구사항을 충족하기 위해 buck 타입의 DC-DC 컨버터의 윗면이 전원공급기의 커버와 맞닿게 배치하여 방열효율을 극대화하였다. 최대 부하 조건에서 시스템 효율 88.4 %, 전압정밀도 ±2 %, 잡음레벨은 전압값의 1 % 이내임을 확인하였다.

• 에너지공학
• /
• 제28권4호
• /
• pp.35-41
• /
• 2019

기존에 차량용 안개등으로 사용되었던 할로겐 광원은 전력소모가 증가하고 수명이 짧기 때문에 이러한 단점을 극복하기 위해 자동차 광원은 LED로 점차 바뀌고 있다. 그러나 차량용 LED 안개등을 점등하였을 경우에는 LED에서 발생하는 고열로 인해 안개등 수명을 단축시키는 단점이 있다. 안개등 내부에서 LED에 의해 발생된 열은 주로 히트싱크에 의해 배출되지만, 나머지 열은 거의 대부분 대류를 통해 외부로 배출된다. 이러한 대류에 의한 냉각효율이 저하되면 열에너지는 램프의 주요부품인 렌즈, 리플렉터, 베젤 등에 열을 발생시키거나 LED 광원에 고온을 발생시켜 LED 안개등의 수명을 단축시킨다. 따라서, 본 연구에서는 히트싱크에 의한 방열방식 이외에도 냉각효율에 중요한 영향이 미치는 대류에 의한 방열성능을 개선하고자 하였다. 이를 위해 차량용 LED 안개등 내부공기를 외부로 흡·배출시킬수 있는 통풍구 설치 위치를 결정하기 위한 열유동해석을 수행하여 최적의 설계가 되도록 하였다. 공기의 평균속도는 기존 프로토타입인 Case1에 비해 Case3, Case2의 순으로 증가되었고 Case3의 증가폭이 다른 Case에 비해 상대적으로 큰 것을 알 수 있었다. 이는 안개등 상·하에 설치된 통풍구가 온도차이에 따라 생성되는 대류현상을 적절하게 유도하기 때문에 공기의 속도 증가와 함께 열을 효율적으로 배출시켰기 때문인 것으로 판단하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제12권3호
• /
• pp.297-312
• /
• 2012

For future multi-core processors, 3D integration is regarded as one of the most promising techniques since it improves performance and reduces power consumption by decreasing global wire length. However, 3D integration causes serious thermal problems since the closer proximity of heat generating dies makes existing thermal hotspots more severe. Conventional air cooling schemes are not enough for 3D multi-core processors due to the limit of the heat dissipation capability. Without more efficient cooling methods such as liquid cooling, the performance of 3D multi-core processors should be degraded by dynamic thermal management. In this paper, we examine the architectural impact of cooling methods on the 3D multi-core processor to find potential benefits of liquid cooling. We first investigate the thermal behavior and compare the performance of two different cooling schemes. We also evaluate the leakage power consumption and lifetime reliability depending on the temperature in the 3D multi-core processor.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
• /
• pp.1674-1676
• /
• 1999

Oxide of the form $Mn_3O_4-CuO-Co_3O_4$-NiO-ZnO present properties that make them useful as power NTC thermistor for current limited. Power NTC thermistor electric properties of $Mn_3O_4-CuO-Co_3O_4$-NiO-ZnO system has been measured as a function of temperature and composition and current - voltage, time constant, activation energy, heat dissipation coefficient have also been determined.

• 한국자동차공학회논문집
• /
• 제22권5호
• /
• pp.29-34
• /
• 2014

Cooling the in-wheel motor in electric vehicles is critical to its performance and durability. In this study, thermal flow analysis was conducted by evaluating the thermal performance of two conventional cooling models for in-wheel motors under the continuous rating base speed condition. For conventional model #1, in which cooling oil was stagnant in the lower end of the motor, the maximum temperature of the coil was $221.7^{\circ}C$; for conventional model #2, in which cooling oil was circulated through the exit and entrance of the housing and jig, the maximum temperature of the coil was $155.4^{\circ}C$. Therefore, both models proved unsuitable for in-wheel motors since the motor control specifications limited the maximum temperature to $150^{\circ}C$.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2011년도 전력전자학술대회
• /
• pp.485-486
• /
• 2011

대용량 전력변환기에서 대부분의 열은 IGBT 소자에서 발생한다. 따라서 소자의 방열을 위한 방열시스템은 전력변환기의 구동 뿐 아니라 각 장치들에 대한 소형, 경량화의 추세에 있어서도 중요한 부분을 차지한다. 본 논문에서는 소자의 냉각을 위해 수냉식 방법을 선정하였으며, 배관 구조에 따른 방열판의 방열특성을 비교하여 최적의 배관 구조를 가진 수냉식 방열판을 제안하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
• /
• pp.505-508
• /
• 2006

Self-heating induced device degradation and its width/length (W/L) dimension dependence were studied in p-type polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). Negative channel conductance was observed under high power region of output curve, which was mainly caused by hole trapping into gate oxide and also by trap state generation by self-heating effect. Self-heating effect became aggravated as W/L ratio was increased, which was understood by the differences in heat dissipation capability. By reducing applied power density normalized to TFT area, self-heating induced degradation could be reduced.

• Journal of Mechanical Science and Technology
• /
• 제14권5호
• /
• pp.499-507
• /
• 2000

Smooth shift is one of the key issues in automatic power transmission control systems. However, the torque sensors are too expensive to be used in shift controllers on production vehicles. In order to provide a basic strategy for smooth shifting by using RPM sensors only and in order to accomplish the shift within a designated time, this paper studies detailed characteristics of the smooth shift for clutch-to-clutch shift mechanism. A desired trajectory of slip speed is proposed for smooth acceleration shift defined in this paper. Also the clutch torque needed to achieve this trajectory is derived, and it may be used as a open loop shift control law.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.113-116
• /
• 1996

The drain current of the MOSFET in the off state(i.e., Id when Vgs=0V) is undesired but nevertheless important leakage current device parameter in many digital CMOS IC applications (including DRAMs, SRAMs, dynamic logic circuits, and portable systems). The standby power consumed by devices in the off state have added to the total power consumed by the IC, increasing heat dissipation problems in the chip. In this paper, hot-carrier-induced degra- dation and gate-induced-drain-leakage curr- ent under worse case in P-MOSFET\`s have been studied. First of all, the degradation of gate-induced- drain-leakage current due to electron/hole trapping and surface electric field in off state MOSFET\`s which has appeared as an additional constraint in scaling down p-MOSFET\`s. The GIDL current in p-MOSFET\`s was decreased by hot-electron stressing, because the trapped charge were decreased surface-electric-field. But the GIDL current in n-MOS77T\`s under worse case was increased.