• 제목/요약/키워드: He-Cd laser

검색결과 44건 처리시간 0.027초

He-Cd 레이져를 이용한 비정질 칼코계나이드 박막의 relief 격자 형성 (Amorphous chalcogenide thin films of relief grating formation by using He-Cd laser)

  • 이기남;박정일;양성준;이영종;정홍배
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
    • /
    • pp.1058-1061
    • /
    • 2003
  • In this thesis, we observed the optical characteristic of amorphous chalcogenide thin films by He-Cd laser. Also, grating formation by He-Ne laser and He-Cd laser. After analyze diffraction efficiency of the time on the $Ag(200{\AA})/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin films. The result diffraction efficiency of Maximun 0.2% reduced according to time grating formation by He-Ne laser. Diffraction efficiency of Maximun 0.1% showed stabiliy characteristic according to time grating formation by He-Cd laser.

  • PDF

박테리아로돕신의 광순환 특성을 이용한 광학적 논리회로 구현 (Realization of optical logic gates using photocycle properties of bacteriorhodopsin)

  • 오세권;유연석
    • 한국광학회지
    • /
    • 제13권5호
    • /
    • pp.414-420
    • /
    • 2002
  • 본 연구에서는 bacteriorhodopsin(bR)이 첨가된 고분자 박막을 이용하여 광 논리회로 특성을 구현하였다. bR은 분광학적으로 구분되는 몇 단계의 중간단계로 구성된 복잡한 참순환 과정을 수반하고 있다. 우리는 bR의 광순환 과정중 B상태와 M상태의 흡수도 변화를 고려하여 He-Ne 레이저(632.8 nm)와 He-Cd 레이저(413 nm) 이용하여 광학적 논리회로를 구현하였다. 또한 B상태와 K상태간의 흡수 스펙트럼을 고려하여 He-Ne 레이저(632.8 nm)와 Nd-YAG 레이저의 제2고조파인 532 nm를 이용하여 고속 AND logic gate를 구현하였다.

He-Cd 레이저와 근접장현미경을 이용한 폴리머박막 나노리소그라피 공정의 특성분석 (Characteristics of nanolithograpy process on polymer thin-film using near-field scanning optical microscope with a He-Cd laser)

  • 권상진;김필규;천채민;김동유;장원석;정성호
    • 한국레이저가공학회지
    • /
    • 제7권3호
    • /
    • pp.37-46
    • /
    • 2004
  • The shape and size variations of the nanopatterns produced on a polymer film using a near-field scanning optical microscope(NSOM) are investigated with respect to the process variables. A cantilever type nanoprobe having a 100nm aperture at the apex of the pyramidal tip is used with the NSOM and a He-Cd laser at a wavelength of 442nm as the illumination source. Patterning characteristics are examined for different laser beam power at the entrance side of the aperture($P_{in}$), scan speed of the piezo stage(V), repeated scanning over the same pattern, and operation modes of the NSOM(DC and AC modes). The pattern size remained almost the same for equal linear energy density. Pattern size decreased for lower laser beam power and greater scan speed, leading to a minimum pattern width of around 50nm at $P_{in}=1.2{\mu}W\;and\;V=12{\mu}m/s$. Direct writing of an arbitrary pattern with a line width of about 150nm was demonstrated to verify the feasibility of this technique for nanomask fabrication. Application on high-density data storage is discussed.

  • PDF

CdS/CIGS 박막의 열처리 온도에 따른 Photoluminescence 특성

  • 조현준;김대환;최상수;배인호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
    • /
    • pp.295-295
    • /
    • 2011
  • CIGS박막을 동시 증발법(co-evaporation)으로 몰리브덴이 증착된 소다라임 유리 위에 성장시켰다. CdS 박막은 화학적 용액 성장법 (chemical bath deposition: CBD)을 이용하여 약 60 nm를 증착하였다. 열처리는 가열판 (hot-plate)을 사용하여 공기중에서 하였다. 열처리 온도는 0~350$^{\circ}C$까지 변화하였으며, 열처리 시간은 각각 5분이었다. 시료의 표면 및 계면의 변화를 SEM측정을 통하여 관측하였다. CdS/CIGS 박막의 열처리 온도 변화에 따른 photoluminescence 특성을 조사하였다. 여기 레이저는 488 nm ($Ar^+$ laser)와 632.8 nm (He-Ne laser)를 사용하여 결함의 근원을 조사하였다. 온도 의존성 실험을 통하여 CIGS 박막의 띠 간격 에너지를 확인할 수 있었으며, 결함 준위의 활성화 에너지 및 특성을 알 수 있었다. $Ar^+$ laser에서만 관측되는 신호의 근원은 CdS에 기인한 것이었다.

  • PDF

쾌속 조형시스템의 제작 및 성능평가에 관한 연구 (A Study on the Manufacture and the Performance Evaluation of Stereolithography System)

  • 강원주;김준안;이석희;백인환
    • 한국정밀공학회지
    • /
    • 제16권4호통권97호
    • /
    • pp.19-25
    • /
    • 1999
  • This paper addresses a development work of a SLA apparatus on laboratory basis. The SLA test machine is composed of optical, movement, curing and control subsystems. Optical part is performed by a He-Cd laser with mirror combination and mechanical movement is achieved by X-Y table. The developed system is evaluated by several test runs, and shows a good precision capability in forming a basic part. The technique used in this work can be extended to replace the high technology transfer cost of commercial RP machine.

  • PDF

$Cd_{1-x}Mn_{x}Te$단결정의 Faraday 회전에 관한 연구 (A study of faraday rotation for $Cd_{1-x}Mn_{x}Te$ single crystals)

  • 박효열
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제10권4호
    • /
    • pp.286-291
    • /
    • 2000
  • 수직 Bridgman법으로 $Cd_{1-x}Mn_{x}Te$ 단결정을 성장시켜 자기장과 파장을 변화시키면서 Faraday회전을 측정하였다. Verdet 상수값은 포톤의 에너지가 높은 쪽으로 이동함에 따라 흡수단 근처에서 최대였고, 조성비 x에 따라 증가하다가 x=0.40 이상에서 감소하였다. $Cd_{1-x}Mn_{x}Te$ 단결정을 Faraday 소자로 이용할 경우, 흡수단 근처에서 Faraday 회전이 가장 크게 일어나는 $Cd_{0.60}Mn_{0.38Te}$ 단결정이 적합하고,광원으로 He-Ne레이저를 사용할 경우에는 $Cd_{0.62}Mn_{0.40}Te$ 단결정이 유용함을 알 수 있었다.

  • PDF

레이저 광 노출에 따른 Ag/칼코게나이드 박막의 광학적인 특성 (Optical Properties of Ag/Chalcogenides Thin Films Exposed to Laser)

  • 김종기;박정일;정흥배;이현용
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
    • /
    • pp.561-565
    • /
    • 1999
  • We measured the optical properties in Ag/chalcogenide films with the exposure of 325nm-Held laser In addition we have investigated the Ag doping mechanism as considering the changes of Ag-concentration distribution and optical energy gap ( $E_{op}$ ) with Photon-dose. The "windows" characteristics of Ag thin film occur around the wavelength of 325 nm and the Ag is evaluated to be transparent, without an absorption, in the region. While the $E_{op}$ of S $b_2$ $S_3$ thin film was changed largely by an exposure of HeNe laser(632.8 nm) an exposure of HeCd laser resulted in relatively small variation of $E_{op}$ . Therefore it is thought that photon absorption at the metal layer plays an important role in Ag photodoping.on at the metal layer plays an important role in Ag photodoping.

  • PDF

As2Se3 기반 Resistive Random Access Memory의 채널 직선화를 통한 신뢰성 향상 (Improving the Reliability by Straight Channel of As2Se3-based Resistive Random Access Memory)

  • 남기현;김충혁
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제29권6호
    • /
    • pp.327-331
    • /
    • 2016
  • Resistive random access memory (ReRAM) of metallic conduction channel mechanism is based on the electrochemical control of metal in solid electrolyte thin film. Amorphous chalcogenide materials have the solid electrolyte characteristic and optical reactivity at the same time. The optical reactivity has been used to improve the memory switching characteristics of the amorphous $As_2Se_3$-based ReRAM. This study focuses on the formation of holographic lattices patterns in the amorphous $As_2Se_3$ thin film for straight conductive channel. The optical parameters of amorphous $As_2Se_3$ thin film which is a refractive index and extinction coefficient was taken by n&k thin film analyzer. He-Cd laser (wavelength: 325 nm) was selected based on these basic optical parameters. The straighten conduction channel was formed by holographic lithography method using He-Cd laser.$ Ag^+$ ions that photo-diffused periodically by holographic lithography method will be the role of straight channel patterns. The fabricated ReRAM operated more less voltage and indicated better reliability.

양식 진주의 특성평가 (The estimation characteristics of cultured pearls)

  • 오정욱;김종식;최종건;김판채
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제13권6호
    • /
    • pp.315-319
    • /
    • 2003
  • 양식된 해수진주와 담수진주의 품질, 수량, 색상 등과 특성을 알아보았다. XRF 측정에서는 Ca 화합물이 주성분이며 해수진주에서는 Sr이 담수진주는 Si, S, Ca, Mn, P 등의 원소가 더 많이 검출되었다. 이러한 차이는 해수와 담수에 녹아 있는 이온이 진주성분에 영향을 준 것으로 판단된다. FT-IR 측정에서 거의 동일한 구조적인 peak를 나타내지만 2344$\textrm {cm}^{-1}$에서 담수진주의 흡수대가 나타났다. 광원으로 He-Cd Laser 사용으로 455 nm에서 peak는 담수진주가 높았고, Ar Laser 사용으로 담수진주는 545 nm에서 해수진주는 570 nm에서의 peak가 높았다

HPHT(고온고압)에 의해 처리된 type IIa 천연 다이아몬드의 감별에 관한 연구 (A study on the identification of type IIa natural diamonds treated by the HPHT method)

  • 김영출;최현민
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제14권1호
    • /
    • pp.21-26
    • /
    • 2004
  • HPHT(고온고압) 처리된 type IIa 다이아몬드의 분광분석 결과를 나타내었다. 그리고 HPHT 처리된 다이아몬드 spectrum의 특성을 이와 유사한 color와 type을 가진 처리되지 않은 다이아몬드와 비교하였다. 325nm 에서 여기된 He/Cd laser로는 HPHT 처리된 다이아몬드와 처리되지 않은 다이아몬드에 현저한 변화가 있음을 알 수 있었는데 이는 HPHT 처리된 다이아몬드의 spectrum에서 H3, H4에 관련된 peak가 제거되고 N3 system에 관련된 peak의 emission이 증가함을 보여 주었다. 또한 514nm에서 여기된 Ar-ion laser로 측정된 spectrum은 575nm와 637.1 nm에서 Nitrogen과 vacancy가 관련되어있는 N-V center가 발견 되었는데 이러한 center가 존재하고 있을 경우 637.1 nm의 FWHM의 값은 HPHT 처리된 다이아몬드와 처리되지 않은 다이아몬드를 구분할 수 있음을 보여주었다. 본 실험에서 측정된 HPHT 처리된 다이아몬드의 637.1nm $(N-V)^-$의 FWHM 값은 $19.8{\textrm}{cm}^{-1}$에서$32.1{\textrm}{cm}^{-1}$였다.