• 전기학회논문지
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• 제62권12호
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• pp.1700-1705
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• 2013

A second harmonic millimeter wave oscillator utilizing sub-harmonic injection-synchronization is presented. A 8.7GHz oscillator with MES-FET is designed, and is driven as a harmonic output oscillator at 17.4GHz by means of sub-harmonic injection-synchronization. The oscillator operates as a multiplier as well as a oscillator in this scheme. Adopting this method, a high sable, high frequency millimeter wave source is obtainable even though self-oscillating frequency of an oscillator is relatively low. The range of injection-synchronization is about 26MHz, and is proportional to the input sub-harmonic power. The spectrum analysis of the 2nd harmonic output frequency shows remarkably decreased the phase noise level.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.17-24
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• 2008

서브하모닉파 주입동기에 의한 밀리미터파 대역 고주파원의 고성능화에 대하여 다루었다. MES-FET로 8.7GHz의 발진기를 구성하고 서브하모닉파의 주입동기 방식으로 구동하여 17.4GHz의 고조파를 발생시켰다. 이러한 시스템에서 발진기는 발진과 동시에 체배기의 기능을 수행하여 안정된 고조파 발생시킬 수 있다. 이 기술을 채택하면 자려발진주파수가 비교적 낮은 발진기로도 고안정, 고출력 고주파를 발생시키는 고조파출력 발진기를 실현할 수 있다. 실험의 결과, 주입 동기의 범위 26MHz 내에서 고출력 고조파가 관측되었으며, 서브하모닉파 주입전력에 비례하였다. 스펙트럼 분석기로 고조파 출력의 파형을 관측한 결과, 제2고조파 출력의 위상 안정성이 현저히 향상되었음이 확인되었다.

• 전기학회논문지
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• 제64권3호
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• pp.438-444
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• 2015

A new approach to the active phased arrays for the second harmonic generation is presented. Phase variation between the second harmonic oscillators by the mutual synchronization is analyzed theoretically. In this coupling, the active antenna consists of the FET oscillator which plays two roles in fundamental oscillation and frequency multiplying, and the patch antenna resonated at the second harmonic frequency. The radiated second harmonic wave was scanned by varying the free-running oscillation frequencies of the active antennas. In the experiment using the 2-elements array and the 4-elements array, the radiated beam of the second harmonic wave was scanned more widely compared with the case of the fundamental wave radiation.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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• pp.16-20
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• 2002

This paper describes the resistive FET mixer with low IF for the 4-Ch DBF(Digital Beam Forming) receiver with LNA(Low Noise Amplifier). This DBF receiver based on the direct conversion method is generally suitable for high-speed wireless mobile communications. A radio frequency(RF), a local oscillator(LO) and an intermediate frequency(IF) considered in this research are 2.09 ㎓, 2.08 ㎓ and 10㎒, respectively. The RF input power, LO input power and Vgs are used -10㏈m, 6㏈m and -0.4 V, respectively. In the 4-Ch resistive FET mixer with LNA, the measured IF and harmonic components of 10㎒, 20㎒, 2.09㎓ and 4.17㎓ are about -12.5 ㏈m, -57㏈m, -40㏈m and -54㏈m, respectively. The IF output power observed at each channel of 10㎒ is about -12.5㏈m and it is higher 27.5 ㏈m than the maximum harmonic component of 2.09㎓. Each IF output spectrum of the 4-Ch is observed almost same value and it shows a good agreement with the prediction.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.787-792
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• 2004

본 논문에서는 근거리무선 통신용 RF 모듈을 구성하는 핵심 부품인 5.5GHz 대역의 발진기를 설계 제작하였다. NEC사의 잡음 특성이 우수한 HJ FET인 NE3210S01를 사용하여 위상잡음 특성을 개선하였고, 구현된 회로는 HP사의 회로 시뮬레이터인 ADS2002를 사용하여 설계 및 제작하였으며 발진기의 특성을 측정한 결과, 중심 주파수 5.5 GHz에서 출력전력이 10 dBm 그리고 2차 고조파 억압이 -31 dBc이며 중심 주파수 100 kHz offset에서 -98.83 dBc의 위상잡음 특성을 얻었다. 제작된 발진기는 근거리 무선 통신용 국부 발진기로 이용될 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.96-100
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• 2004

본 논문에서는 근거리무선 통신용 RF 모들을 구성하는 핵심 부품인 5.5GHz 대역의 발진기를 설계 제작하였다. NEC사의 잡음 특성이 우수한 HJ FET인 NE3210S01를 사용하여 위상잡음 특성을 개선하였고, 구현된 회로는 HP사의 회로 시뮬레이터인 ADS2002를 사용하여 설계 및 제작하였으며 발진기의 특성을 측정한 결과, 중심 주파수 5.5 GHz에서 출력전력이 10 ㏈m 그리고 2차 고조파 억압이 -31 ㏈c이며 중심 주파수 100 KHz offset에서 -98.83 ㏈c의 위상잡음 특성을 얻었다. 제작된 발진기는 근거리 무선 통신용 국부 발진기로 이용될 수 있다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제2권2호
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• pp.117-123
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• 2002

This paper describes the design for the resistive FET mixer with low If for the 4-Ch DBF(Digital Beam Forming) receiver This DBF receiver based on the direct conversion method is generally suitable for high-speed wireless mobile communications. A radio frequency(RF), a local oscillator(LO) and an intermediate frequency(If) considered in this research are 2.09 GHz, 2.08 CHz and 10 MHz, respectively. This mixer is composed of band pass filter, a low pass filter and a DC bias circuit. Super low noise HJ FET of NE3210S01 is considered in design. The RE input power, LO input power and Vcs are used -10 dBm, 6 dBm and -0.4 V, respectively. In the 4-Ch resistive FET mixer, the measured If and harmonic components of 10 MHe, 20 MHz and 2.087 CHz are about -19.2 dBm, -66 dBm and -48 dBm, respectively The If output power observed at each channel of 10 MHz is about -19.2 dBm and it is higher 28.8 dBm than the maximum harmonic component of 2.087 CHz. Each If output spectrum of the 4-Ch is observed almost same value and it shows a good agreement with the prediction.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권7호
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• pp.613-624
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• 2002

본 논문에서는 Push-Push FET유전체 공진기 발진기를 20 GHz에서 설계, 제작하고 출력단에 각각 Wilkinson 전력결합기와 T 접합 전력결합기를 사용하였을 때의 각 결합기의 반사손실과 격리도 특성에 따른 발진기의 출력특성을 조사하여 이들 특성이 출력과 위상잡음 특성에 각각 영향을 주는 것을 설명한다. 기본 주파수 10 GHz를 억제하고 제 2고조파 주파수를 이용하는 20 GHz Push-Push발진기는 T $E_{01}$$\delta$/모드의 유전체 공진기와 GaAs MESFET를 높이 H = 20 mil($\varepsilon_{{\gamma}}$/=2.52) 테프론 기판 위에 장착하는 구조로 설계하고 제작하였다. 기본주파수에서 T-접합 전력결합기는 반사손실 -12 dB, 격리도 -3.7 dB 이었고, Wilkinson 전력결합기는 반사손실 -14 dB, 격리도 -11 dB 이었다. 그리고 제 2 고조파 주파수에서 T-접합 전력결합기는 반사손실 -10 dB, 격리도 -7.5 dB 이었고, Wilkinson 전력 결합기 는 반사손실 -23 dB, 격리도 -22 dB를 보였다. 결과적으로 반사손실과 격리도 특성이 좋은 Wilkinson 전력 결합기를 출력 단으로 이용한 Push-Push 발진기 가 출력전력레벨면이나 위상잡음특성면에서 T-접합 전력결합기를 이용한 발진기보다 우수한 특성을 보이는 것을 확인하였다.발진기보다 우수한 특성을 보이는 것을 확인하였다.

• Journal of Electrical Engineering and information Science
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• 제2권6호
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• pp.202-207
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• 1997

Design and fabrication issues for an L-band GaAs Monolithic Microwave Integrated Circuit(MMIC) Voltage Controlled Oscillator(VCO) as a component of Personal Communications Systems(PCS) Radio Frequency(RF) transceiver are discussed. An ion-implanted GaAs MESFET tailored toward low current and low noise with 0.5mm gate length and 300mm gate width has been used as an active device, while an FET with the drain shorted to the source has been used as the voltage variable capacitor. The principal design was based on a self-biased FET with capacitive feedback. A tuning range of 140MHz and 58MHz has been obtained by 3V change for a 600mm and a 300mm devices, respectively. The oscillator output power was 6.5dBm wth 14mA DC current supply at 3.6V. The phase noise without any buffer or PLL was 93dB/1Hz at 100KHz offset. Harmonic balance analysis was used for the non-linear simulation after a linear simulation. All layout induced parasitics were incorporated into the simulation with EEFET2 non-linear FET model. The fabricated circuits were measured using a coplanar-type probe for bare chips and test jigs with ceramic packages.

• 전기학회논문지
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• 제60권8호
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• pp.1566-1571
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• 2011

The objective of this paper is to present a quantitative analysis leading to the assessment of optimum terminating impedances in the design of active frequency multipliers. A brief analysis of the basic principal of the GaAs FET frequency multiplier is presented. The analysis is outlined in bias optimization and drive power determination. Utilizing the equivalent circuit model of GaAs FET, we have simulated the optimized load impedance for the maximum output of the active frequency multipliers. The C-class and reverse C-class frequency doublers have been fabricated and the load impedances have been measured. The experimental results are in good agreement with the estimated results in the simulation with the accuracy of 90%.