This paper, Al-doped ZnO(AZO) thin films for application as transparent conducting oxide films were deposited on the Corning glass substrate by using RF magnetron sputtering system. The effects of various Argon gas flow rates on optical and electrical characteristics of AZO films were investigate sputtering method. The Carrier Concentration is enhanced as Ar gas rate increases, and also the oxygen vacancy concentration. The figure of merit obtained in this study means that AZO films which deposited Ar gas rate of 75 sccm have the highest Carrier concentration and Hall mobility, which have the highest photoelectrical performance that it could be used as transparent electrodes.
In this study, I would like to inquire about the composition of oegi(外機) on the hip and gable roof. Oegi purlin compose the basic member of framework of a hip and gable roof in both sides roof, supporting the inside end of the side rafter. However, the oegi purlin is not simply used to form hip and gable roof. The effects of using oegi purlin have the advantages of spatial. The spatial advantages are the width of the toekan(退間) increases as the oegi purlin escapes from column row and to increase the ceiling height by becoming a point of staying the ceiling. That reflect the desire to expand indoor space due to changes in worship behavior. Oegi purlin was used not only for structural needs, but also for altering in indoor space due to the changing times.
Samia M. Said;Elsayed M. Abd-Elaziz;Mohamed I.A. Othman
Structural Engineering and Mechanics
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제87권5호
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pp.475-485
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2023
The present study deals with wave propagation in a modified couple-stress generalized thermoelastic solid under the effect of gravity and magnetic field. The problem is solved by a refined microtemperatures multi-phase-lags thermoelastic theory. The Fourier series and Laplace transforms will be used to obtain the general solution for any set of boundary conditions. Some comparisons have been shown in figures to estimate the effects of the gravity field, the magnetic field, and different theories of thermoelasticity in the presence of the hall current effect on all the physical quantities. Some particular cases of special interest have been deduced from the present investigation.
라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리 기판 위에 Al 도핑된 ZnO (AZO) 박막을 성장시켰다. 증착시 스퍼터링 가스로 사용하는 산소 유량비의 변화에 따른 AZO 박막의 특성을 X-선 회절법, 원자 주사 현미경, 홀 효과 측정법으로 조사하였다. 증착 온도 $400^{\circ}C$에서 산소 유량비 0%로 증착된 AZO 박막은 가장 큰 c-축 우선 배향성과 최저의 비저항값 $6.9{\times}10^{-4}{\Omega}cm$을 나타내었다. 산소 유량비가 증가함에 따라 ZnO (002)면의 회절 피크의 세기는 실질적으로 감소하는 경향을 보였다. 또한, 산소 유량비가 감소함에 따라 전하 운반자의 농도와 홀 이동도는 증가하였으나, 전기 비저항은 감소하였다.
Kim, Soaram;Nam, Giwoong;Park, Hyunggil;Yoon, Hyunsik;Kim, Byunggu;Kim, Jin Soo;Kim, Jong Su;Leem, Jae-Young
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.337-337
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2013
ZnO seed layers were deposited on a quartz substrate using the sol-gel method, and B-doped ZnO (BZO) nanorods with different B concentrations ranging from 0 to 2.5 at.% were grown on the ZnO seed layers by the hydrothermal method. The structural, optical, electrical propertiesof the ZnO and BZO nanorods were investigated using field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), ultraviolet-visible spectroscopy, and hall effect. The ZnO and BZO nanorods grew well aligned on the surface of the quartz substrates. From the XRD data, it can be seen that the B doping is responsible for the distortion of the ZnO lattice. The PL spectra show near-band-edge emission and deep-level emission, and they also show that B doping significantly affects the PL properties of ZnO nanorods. The optical band gaps are changed by B doping, and thus the Urbach energy value changed with the optical band gap of the ZnO nanorods. From the hall measurements, it can be observed that the values of electrical resistivity, carrier concentration, and mobility are changed by B doping.
This study examines the status and the physical features of Paraloid B-72 layers with examination of microstructure and analysis of organic matters. Paraloid B-72 layers were coated on samples from the colour layer of outer wall painting in Mireuk hall in Geumsan temple. On the basis of the previous examination result, it has made the samples which are similar to outer wall in Mireuk hall in Geumsan temple. The samples can be divided into two, one; 5% Paraloid B-72 coating and another is without coating. Then samples have been experimented under the compulsive environments of infrared radiation and immersion, thereafter compared the results of the damages and physical features between two samples. As a result of the comparison, the sample with Paraloid B-72 had more serious cracks, exfoliations and peeling layers than that of without Paraloid B-72. Otherwise, in the examination of ultraviolet radiation, the sample with Paraloid B-72 coating showed weaker physical properties, less density in structure of colour layer and less hardness in surface of colour layer than the sample without coating. The percentage of moisture content after the ultraviolet radiation was higher in the sample without Paraloid B-72 than the sample with Paraloid B-72 coating. Observing the conditions before the ultraviolet radiation, the sample with Paraloid B-72 coating demonstrated lower rate in moisture evaporation rate than the sample without Paraloid B-72. As a consequence, in examination of this samples, the change of physical features are increased in the sample with Paraloid B-72 coating than that without Paraloid B-72 when compulsive environment of heat, moisture and ultraviolet rays for a short term are imposed.
영구자석과 반도체 홀센서가 구비된 집게형 맥진기로 얻은 맥진파형에 고속 푸리에변환(FFT)을 적용하여 생체신호인 호흡수를 추출하였다. 추출된 호흡수는 맥진파형의 형태가 항상 변화하는 요인에 의존하는 심장의 운동에 대한 오차까지 고려하였다. 인위적인 호흡수 템포 15, 20, 30, 40, 50에 각각 측정한 맥진파형의 FFT 스펙트럼에서 피크값과 일치하는 주파수 0.125 Hz, 0.16 Hz, 0.25 Hz, 0.33 Hz, 0.41 Hz와 일치하였다. 100 s, 200 s, 300 s 동안 얻은 맥진파형 데이터에서 호흡성분 추출 알고리즘을 적용한 결과, 시간이 긴 300 s에서 FFT 스펙트럼 피크가 가장 크게 뾰쪽해지는 결과를 얻었다. 집게형 맥진기가 인체의 물리적인 영향을 주는 호흡수를 추출해 내는데 유용한 기기임을 확인하였다.
Sondrestrom 비간섭 산란 레이더로부터 구한 전자밀도분포를 이용하여, 전리층의 전기전도도를 추정할때 야기되는 불확실성들을 검토하였다. 첫째, 실제로 관측된 전자밀도와 전자와 양이온의 온도차이 및 Debye length효과를 보정한 전자밀도를 사용했을 경우에 야기되는 전리층 전기전도도의 차이점을 비교하였다. 보정한 전자밀도로부터 추정된 전기전도도는 실측 전자밀도를 사용했을 때 보다 큰 값을 나타내었다. 둘째, 전기전도도 추정에 이용되는 전자-중성대기 및 양이 온-중성대기의 충돌빈도모델에 따른 차이점도 비교해 보았다. 약 110km 이하의 고도에서는 전기전도도가 충돌빈도모델에 크게 의존하지 않았지만, 약 110km 이상의 고도에서는 이용된 모델에 따라 전기전도도의 값이 달랐다. 셋째, 전자 및 양이온의 부정확한 온도측정이 전기전도도의 추정에 미치는 영향을 알아보았다. 전자 및 양이온의 온도측정에 약 10% 이내의 오차가 포함된 경우가 전기전도도의 계산에는 큰 영향을 미치지 않았다. 마지막으로, 고도 적분된 전기전도도의 추정시 적용되는 적분 구간에 대해서도 검토해 본 결과, Hall 및 Pedersen 전기전도도의 값이 각각 하부 및 상부 적분 고도의 선택에 매우 민감하다는 것이 밝혀졌다.
Antimony (Sb) doped ZnO thin films (0.1 at.%) were deposited on sapphire (0001) substrates at various temperatures (200 - 600$^{\circ}C$) by using pulsed laser deposition technique. All the thin films have been characterized by X-ray diffractometer, atomic force microscopy and spectrophotometer to investigate their structural, morphological and optical properties, respectively. Hall measurements were also carried out to identify the electrical properties of the thin films. These thin films were constituted in wurtzite structure with the preferential orientation of (002) diffraction plane and had as high as 80% optical transmission in the visible range. The bandgap energy also was determined by spectrophotometer which was around 3.28 eV. Hall measurements results revealed that the Sb dope ZnO thin film (0.1 at.%) grown at $500^{\circ}C$ exhibited p-type conduction with a carrier concentration of $8.633\times10^{16}\;cm^{-3}$, a mobility of $1.41\;cm^2/V{\cdot}s$ and a resistivity of $51.8\;\Omega{\cdot}cm$. We have successfully achieved p-type conduction in antimony doped ZnO thin films with low doping level even though the electrical properties are not favorable. This paper suggests the feasibility of p-type doping with large-size-mismatched dopant by using pulsed laser deposition.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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