• 한국결정학회지
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• 제9권1호
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• pp.53-63
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• 1998

HWE 방법에 의해 Cd1-xZnxS 박막을 (100)방향을 Si 기판 위에 성장시켰다. 증발원과 기판의 온도를 각각 600℃, 440℃로 하여 성장시킨 Cd1-xZnxS 박막의 이중 결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 265 arcsec로 가장 작았다. Van der Pauw 방법으로 Hall효과를 측정하여 운반자 농도와 Hall 이동도의 온도 의존성을 조사하였다. 광전도 셀의 특성으로 spectral response, 최대 허용소비전력(MAPD), 광전류와 암전류(pc/dc)의 비 및 응답시간을 측정하였다. Cd0.53Zn0.47S광전도 셀을 Cu증기 분위기에서 열처리한 경우 감도(γ)는 0.99, pc/dc은 1.65 ×10 7 그리고 최대 허용소비전력(MAPD)은 338mW, 오름시간 (rise time)은 9.7ms, 내림시간(decay time)은 9.3ms로 가장 좋은 광전도 특성을 얻었다.

• 한국재료학회지
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• 제11권3호
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• pp.191-196
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• 2001

사파이어 (0001) 기판의 활성화 이온빔 (RIB) 처리 후 MOCVD에서 성장한 GaN박막의 열처리를 통한 구조 변화를 살펴보고, 전기적 성질의 변화를 관찰하기 위하여 전기로를 이용하여 열처리를 하였다. 시편의 분석을 위하여 DCXRD, Hall, TEM을 사용하였다. 100$0^{\circ}C$에서 시간을 변화시키면서 열처리한 시편에서 DCXRD의 FWHM는 약 50 arc-sec 정도 감소하였고, Hall 이동도는 약 80$\textrm{cm}^2$/V.sec 정도 향상되었다. 가장 좋은 Hall 이동도를 보인 처리된 시편과 처리 전 시편의 TEM 비교 관찰에서 전위 밀도는 56~69% 정도 감소하였고 격자의 변형도 줄어들었다. 이것은 결정의 질과 전기적 성질 사이의 상관관계를 암시하며, 기판의 RIB 처리와 성장 후 적절한 열처리의 조합이 MOCVD로 성장시킨 GaN 박막의 특성을 개선시키는 것을 명확하게 보여준다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제26권8호
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• pp.13-21
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• 2021

본 논문에서는 현직 초·중등 교사의 인공지능 융합교육 역량 강화 및 소양 함양을 위한 인공지능 소양교육 프로그램을 개발하고 이를 적용하여 인공지능 융합교육 관심도에 미치는 영향을 검증하였다. 검사도구는 Hall et al.(1979)의 관심중심수용모형을 기반으로 George, Hall & Stiegelbauer(2006)이 개발한 관심단계 설문 척도를 사용하였다. 인공지능 소양교육 프로그램 적용 전, 후 인공지능 융합교육에 대한 관심도를 분석한 결과, 프로그램 적용 전, 후 모두 비사용자의 유형이 나타났으나 전반적인 관심도는 적용 전에 비해 상승하였다. 인공지능 소양 교육 프로그램의 만족도 결과를 분석한 결과 대부분의 영역에서 만족한다는 응답이 도출되었으나, 인공지능과 산업의 융합 및 적용 사례에 대해서는 다소 만족도가 떨어지는 경향이 나타났다.

• 한국자기학회지
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• 제4권3호
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• pp.272-276
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• 1994

진공증착방법으로 제작한 $Ni_{53}-Fe_{47}$ 박막에 관한 신형전류자기 기전력효과의, 전류와 자장 방향이 만드는 각 $\theta$ 의존성이, 자기저항효과의 $cos\;2{\theta}$, Hall 1효과의 경우 $sin\;{\theta}$임에 대하여 $sin\;2{\theta}$로 관측되고, 이 효과의 자장에 의존하는 전압변화율이 자기저 항효과의 비교할 때 차수가 다르게 큰 것이 조사된다. 이 효과가 2 Carrier형 모델로 이해할 수 있음을 이론적으로 확인된다.

• 비파괴검사학회지
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• 제28권5호
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• pp.421-426
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• 2008

스핀밸브 GMR(giant magnetoresistance) 구조를 갖는 Ta/NiFe/CoFe/Cu/NiFe/IrMn/Ta재료의 자유층에 의한 PHR (planar hall resistance) 특성을 이용한 자기 바이오센서를 제작하였다. PHR 소자는 사진식각 및 건식에칭 공정을 통하여 마이크로 사이즈로 제작되었다. 직경이 $2.8\;{\mu}m$인 단일 자기비드가 있는 경우와 자기비드가 없는 경우 자기장의 세기에 다른 PHR 신호를 측정하였으며, 직경이 $2.8\;{\mu}m$인 단일 자기비드 측정에 성공하였다. 따라서 본 연구에서 제작한 PHR센서는 자기비드 입자의 유무에 따른 출력 특성의 차이를 이용하여 단일 자기비드 측정이 가능한 고분해능 자기 바이오센서에 응용될 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.337-337
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• 2013

ZnO seed layers were deposited on a quartz substrate using the sol-gel method, and B-doped ZnO (BZO) nanorods with different B concentrations ranging from 0 to 2.5 at.% were grown on the ZnO seed layers by the hydrothermal method. The structural, optical, electrical propertiesof the ZnO and BZO nanorods were investigated using field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), ultraviolet-visible spectroscopy, and hall effect. The ZnO and BZO nanorods grew well aligned on the surface of the quartz substrates. From the XRD data, it can be seen that the B doping is responsible for the distortion of the ZnO lattice. The PL spectra show near-band-edge emission and deep-level emission, and they also show that B doping significantly affects the PL properties of ZnO nanorods. The optical band gaps are changed by B doping, and thus the Urbach energy value changed with the optical band gap of the ZnO nanorods. From the hall measurements, it can be observed that the values of electrical resistivity, carrier concentration, and mobility are changed by B doping.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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• pp.165-170
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• 1999

We have investigated the mixed-state Hall effect in HgBa$_2CaCu_2O_6$, HgBa$_2Ca_2Cu_3O_8$, and Tl$_2Ba_2Cau_2O_8$ thin films as functions of the magnetic field up to 18 T. At high fields and low temperatures, the scaling exponent in ${\rho}_{xy}$ = A${\rho}_{xx}\;^{\beta}$ shows a universal behavior, ${\beta}$ = 1 ${\pm}$ 0.1, regardless of the field, the number of CuO$_2$ layers, the types of defects, and even the types of compounds. At low fields and high temperatures, p = 1 ${\pm}$ 0.1 also appears as a universal number although the observed field range is rather limited. These observations show the universal scaling of Hall resistivity in the regions of the clean and the moderately clean limit, consistent with a theory based on the midgap states in the vortex core.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.273-280
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• 2002

The stochiometric mix of evaporating materials for the CuGaTe$_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnance. For extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the CuGaTe$_2$ polycrystal, it was found tetragonal structure whose lattice constant a$\_$0/ and c$\_$0/ were 6.025 ${\AA}$ and 11.931 ${\AA}$, respectively. To obtain the single crystal thin films, CuGaTe$_2$ mixed crystal was deposited on throughly etched semi-insulator GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were 670 $^{\circ}C$ and 410 $^{\circ}C$ respective1y, and the thickness of the single crystal thin films is 2.1 $\mu\textrm{m}$. The crystalline structure of single crystalthin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of van der Pauw and studied on carrier density and mobility dependence on temperature. The carrier density and mobility of CuGaTe$_2$ single crystal thin films deduced from Hall data are 8.72${\times}$10$\^$23/㎥, 3.42${\times}$10$\^$-2/㎡/V$.$s at 293K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the CuGaTe$_2$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit coupling Δs.o and the crystal field splitting Δcr were 0.0791 eV and 0/2463eV at 10K, respectively. From the PL spectra at 10K, the peaks corresponding to free bound excitons and D-A pair and a broad emission band due to SA is identified. The binding energy of the free excitons are determined to be 0.0470eV and the dissipation energy of the donor -bound exciton and acceptor-bound exciton to be 0.0490eV, 0.00558eV, respectively.

• 한국세라믹학회지
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• 제47권4호
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• pp.329-332
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• 2010

In order to investigate the effect of tail state on the electrical and the optical properties in amorphous IGZO(a-IGZO), a-IGZO films were deposited at room temperature on fused silica substrats using pulsed laser deposition method. The laser pulse energy was used as the processing parameter. In-situ post annealing was carried out at $150^{\circ}C$ right after the film deposition. The $O_2$ partial pressure during the deposition and the post annealing was fixed to 10mTorr. The carrier mobility of the a-IGZO films had a range from 2 to $18\;cm^2/Vs$ at carrier concentrations greater than $10^{18}\;cm^{-3}$. As the laser energy density increased, the Hall mobility increased. And post annealing improved the Hall mobility, as well. The optical property was examined using the ultraviolet-visible spectroscopy. The a-IGZO films that have low Hall mobility exhibited stronger and broader absorption tails in >3.0 eV region. Post annealing reduced the intensity of the tail-like absorption. The absorption tail in a-IGZO films is an important factor which affects the electrical and the optical properties.

• 한국재료학회지
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• 제21권9호
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• pp.491-496
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• 2011

Transparent conducting oxides (TCOs) used in the antireflection layer and current spreading layer of heterojunction solar cells should have excellent optical and electrical properties. Furthermore, TCOs need a high work function over 5.2 eV to prevent the effect of emitter band-bending caused by the difference in work function between emitter and TCOs. Sn-doped $In_2O_3$ (ITO) film is a highly promising material as a TCO due to its excellent optical and electrical properties. However, ITO films have a low work function of about 4.8 eV. This low work function of ITO films leads to deterioration of the conversion efficiency of solar cells. In this work, ITO films with various Zn contents of 0, 6.9, 12.7, 28.8, and 36.6 at.% were fabricated by a co-sputtering method using ITO and AZO targets at room temperature. The optical and electrical properties of Zn-doped ITO thin films were analyzed. Then, silicon heterojunction solar cells with these films were fabricated. The 12.7 at% Zn-doped ITO films show the highest hall mobility of 35.71 $cm^2$/Vsec. With increasing Zn content over 12.7, the hall mobility decreases. Although a small addition of Zn content increased the work function, further addition of Zn content over 12.7 at.% led to decreasing electrical properties because of the decrease in the carrier concentration and hall mobility. Silicon heterojunction solar cells with 12.7 at% Zn-doped ITO thin films showed the highest conversion efficiency of 15.8%.