• 제목/요약/키워드: HOLZ

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비 결정 축(off-zone axis)으로 입사된 빔에 대한 고 분해 투과전자현미경 이미지에서 HOLZ 반사 빔의 효과 (Effects of Higher-Order Laue Zone Reflections on HRTEM Images for illumination along an off-Bone Axis of a Crystal)

  • 김황수
    • Applied Microscopy
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    • 제37권4호
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    • pp.259-269
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    • 2007
  • 이 논문에서 비 결정 축(off-zone axis)으로 입사된 빔에 대한 고 분해 투과전자현미경(HRTEM)이미지로부터 HOLZ 반사 빔의 효과를 관측 할 수 있는 가능성을 탐색하였다. 이 관측에 대한 분석은 3차원적 결정 구조에 대한 유용한 정보를 줄 수 있다. 이 HRTEM 이미지 시뮬레이션에는 HOLZ 반사 빔들을 포함하는 수정된 Howie-Whelan 방정식이 사용되었다. 이 논문의 결론은 한 zone 축으로부터 수 도 경사진 매우 얇은 결정에 대한 고 분해 전자현미경 이미지는 HOLZ 반사 빔의 효과를 나타내고 있고 따라서 그 zone축에 따른 원자 배열의 정보를 분명히 내포함을 보여 주고 있음을 말한다.

알바이트의 Si-Al 배열상태 연구를 위한 에너지여과 투과전자현미경의 CBED법 적용 (Application of CBED Techniques of Energy Filtering TEM for Si-Al Disordering Study of Albite)

  • 이영부;김윤중;이정후
    • 한국광물학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.327-338
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    • 2004
  • Na-장석(Amelia albite)의 $1100^{\circ}C$ 등온가열에 대한 XRD 분석결과는 Si-Al의 재배열에 의한 급격한 구조변화를 보여주며 4일 이상의 가열에 의해 저온형에서 고온형으로의 상전이를 보였다. TEM의 제한시야전자회절(SAED)법을 이용하여 구조변화 인지를 시도한 결과, 변화의 양상은 보이나 측정 오차에 의해 Si-Al 배열상태의 정량화가 어려웠다. 수렴성빔전자회절(CBED)법을 이용한 연구결과, 관찰을 위한 최적 실험조건은 냉각 시료지지대의 사용과 120 kV의 가속전압, 37 $\mu\textrm{m}$크기의 C3 조리개, 25 nm의 빔 크기로 나타났다. 알바이트의 구조변화에 따라 HOLZ 선이 두드러진 변화를 보인 방향은 [418] 방향에서 약 $-1.2^{\circ}$ 회전한 방향으로 파악되었으며, 이 방향에서는 저온형과 고온형 알바이트에서 두 HOLZ선의 폭이 서로 반대로 나타나 Si-Al 배열상태의 뚜fut한 구별이 가능하였다.

투과전자현미경을 이용한 GaAs의 면결함 구조 연구 (Transmission Electron Microscopy of GaAs Planar Defects)

  • 조남희;홍국선
    • 분석과학
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    • 제5권1호
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    • pp.121-126
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    • 1992
  • GaAs ${\Sigma}=19$, [110] tilt grain boundary의 구조를 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. Higher-Order Laue-Zone(HOLZ) 빔들과 {200} 빔과의 dynamical coupling 결과를 검토하여 입계 양쪽 각각의 입자(grain) 내 Ga-As의 상대적 위치(방향성)를 결정하였으며, 두 입자 사이에는 inversion symmetry가 결합되지 않은 ${\Sigma}=19$ coincidence에 해당하는 교차각이 있었다. 계면은 $\{331\}_A/\{331\}_B$, [110] 결정면을 따라서 발생하는 경향이 강함을 관측했다. 이 facet에서의 원자구조 및 격자이동 등을 고분해 투과전자현미경을 이용하여 밝혔다. 5-, 7-, 그리고 6-member ring의 조합으로 되어 있는 단위를 계면원자구조 model로 제시했다.

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HITEM을 이용한 GaAs 기울임입계 구조 연구 (Investigation of GaAs Tilt Grain Boundaries by High-resolution Transmission Electron Microscopy)

  • 조남희
    • 한국결정학회지
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    • 제6권2호
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    • pp.69-74
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    • 1995
  • Ge bicrystal 기판 위에 OMVPE 기법을 이용하여 GaAs 에피층을 성장시킴으로써 특정한 교차각을 갖는 GaAs 기울임입계를 제조하였다. 또한 (110) Ge 기판 위에 성장된 GaAs 에피층 내의 쌍정들로부터 ∑ =9 기울임입계들이 생성되었다. 고분해 투과전자현미경을 이용하여 1차 및 2차 쌍정계면들의 구조적 특징들을 고찰하였다. 입계에서의 결합극성은 특정한 회절조건에서 입계 양쪽의 입자로부터 기록된 (200) 수렴성 빔 디스크 내의 HOLZ 선 콘트라스트를 응용하여 파악하였으며, 원자컬럼이나 채널등과 상관된 구조상 콘트라스트 양태를 동일한 사진 내의 1차 쌍정계면 거울면의 콘트라스트로부터 파악하였다. ∑ =9, (115)/(111)[110] 기울입입계는 5-6-7- 모서리 링으로 구성된 단위구조를 나타내며, 입계 양쪽에 놓인 입자들은 입계에서 anti-site type cross-boundary bonding의 분율이 최소화되도록 배향되어 있다.

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Comparison of mass operator methods considering test uncertainties

  • Olympio, K.R.;Blender, F.;Holz, M.;Kommer, A.;Vetter, R.
    • Advances in aircraft and spacecraft science
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    • 제5권2호
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    • pp.277-294
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    • 2018
  • In the space industry, structures undergo several vibration and acoustic tests in order to verify their design and give confidence that they will survive the launch and other critical in-orbit dynamic scenarios. At component level, vibration tests are conducted with the aim to reach local or global interface loads without exceeding the design loads. So, it is often necessary to control and limit the input based on a load criterion. This means the test engineer should be able to assess the interface loads, even when load cannot be measured. This paper presents various approaches to evaluate interface loads using measured accelerations and by referring to mass operators. Various methods, from curve fitting techniques to finite element-based methods are presented. The methods are compared using signals with known imperfection to identify strengths and weaknesses of each mass operator definition.

활성화 이온빔 처리된 Sapphire기판 위에 성장시킨 MOCVD-GaN 박막의 격자변형량 측정 (Measurements of Lattice Strain in MOCVD-GaN Thin Film Grown on a Sapphire Substrate Treated by Reactive Ion Beam)

  • 김현정;김긍호
    • Applied Microscopy
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    • 제30권4호
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    • pp.337-345
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    • 2000
  • 사파이어 기판을 이용한 GaN 박막성장에서 완충층의 사용과 기판의 질화처리는 GaN 박막 내의 격자결함을 줄이는 가장 보편적인 방법이다. GaN박막의 초기 핵생성과 성장 거동을 향상시키기 위한 새로운 방법으로 사파이어 표면을 질소 활성화 이온빔으로 처리하는 방법이 시도되었다. 활성화 이온빔 처리의 결과 약 10nm두께의 비정질 $AlO_xN_y$ 층이 형성되었으며 GaN의 성장온도에서 부분적으로 결정화되어 계면 부위에 고립된 비정질 영역으로 존재하였다. 계면에 존재하는 비정질 층은 기판과 박막사이에서 발생하는 열응력을 효과적으로 감소시키는 역할이 가능하며 이를 확인하기 위하여 활성화 이온빔 처리에 의한 GaN박막 내의 격자변형량 차이를 비교하였다. GaN박막에서 얻어진 $[\bar{2}201]$ 정대축고차 Laue도형을 전산모사 도형과 비교하여 격자변형량을 측정하였다. 본 연구의 결과 활성화 이온빔 처리를 하지 않은 기판 위에 성장시킨 GaN박막의 격자변형량은 처리한 경우에 비해 6배 이상 높은 값을 가졌으며 따라서 활성화 이온빔 처리에 의해 GaN박막의 열응력은 크게 감소함을 확인하였다.

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Atomic structure and crystallography of joints in SnO2 nanowire networks

  • Hrkac, Viktor;Wolff, Niklas;Duppel, Viola;Paulowicz, Ingo;Adelung, Rainer;Mishra, Yogendra Kumar;Kienle, Lorenz
    • Applied Microscopy
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    • 제49권
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    • pp.1.1-1.10
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    • 2019
  • Joints of three-dimensional (3D) rutile-type (r) tin dioxide ($SnO_2$) nanowire networks, produced by the flame transport synthesis (FTS), are formed by coherent twin boundaries at $(101)^r$ serving for the interpenetration of the nanowires. Transmission electron microscopy (TEM) methods, i.e. high resolution and (precession) electron diffraction (PED), were utilized to collect information of the atomic interface structure along the edge-on zone axes $[010]^r$, $[111]^r$ and superposition directions $[001]^r$, $[101]^r$. A model of the twin boundary is generated by a supercell approach, serving as base for simulations of all given real and reciprocal space data as for the elaboration of three-dimensional, i.e. relrod and higher order Laue zones (HOLZ), contributions to the intensity distribution of PED patterns. Confirmed by the comparison of simulated and experimental findings, details of the structural distortion at the twin boundary can be demonstrated.

Investigation of EVA Accelerated Degradation Test for Silicon Photovoltaic Modules

  • Kim, Jaeun;Rabelo, Matheus;Holz, Markus;Cho, Eun-Chel;Yi, Junsin
    • 신재생에너지
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    • 제17권2호
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    • pp.24-31
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    • 2021
  • Renewable energy has become more popular with the increase in the use of solar power. Consequently, the disposal of defective and old solar panels is gradually increasing giving rise to a new problem. Furthermore, the efficiency and power output decreases with aging. Researchers worldwide are engaged in solving this problem by developing eco-module technologies that restore and reuse the solar panels according to the defect types rather than simple disposal. The eco-module technology not only solves the environmental problem, but also has economic advantages, such as extending the module life. Replacement of encapsulants contributes to a major portion of the module maintenance plan, as the degradation of encapsulants accounts for 60% of the problems found in modules over the past years. However, the current International Electrotechnical Commission (IEC) standard testing was designed for the commercialization of solar modules. As the problem caused by long-term use is not considered, this method is not suitable for the quality assurance evaluation of the eco-module. Therefore, to design a new accelerated test, this paper provides an overview of EVA degradation and comparison with the IEC and accelerated tests.