We reported that high dielectric hafnium oxide nano-film deposited by thermal atomic layer deposition on the poly-silicon film (poly-Si). The poly -Si film was produced by plasma enhanced chemical vapor deposition and excimer laser annealing. We used the hafniu m chloride ($HfCl_4$) and water as the precursors and analyzed the hafnium oxide film by transmission electron microscope and secondary ion mass spectrometer. Hafnium oxide produced by the ALD method showed very good coverage on the rough surface of poly-Si film. While deposited with 200 cycles, these hafnium oxide films revealed a relatively smooth surface and good uniformity, but the cumulative roughness produced by the incomplete reaction was apparent when the amount of deposition cycle increased to 600 cycles.
The infrared, Raman, and jet-cooled laser-induced fluorescence excitation spectra of 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene have been recorded and analyzed. The observed vibrations have been assigned to understand the conformational behaviors in its electronic ground (S0) and excited (S1) states. Ab initio at the HF/6-31G** level and molecular mechanics (MM3) force field calculations have been carried out to generate the complete normal mode frequencies of the molecule in its S0 state. The vibrational frequencies calculated from the ab initio method show a better agreement with the observed infrared and Raman frequencies than those calculated from the MM3 method. In several cases, the normal mode calculations were very helpful to clarify some ambiguities of previous assignments. In addition, the ring inversion process between two twisted conformers of 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene has been reexamined utilizing ab initio calculation. The results show that the ring inversion energy is in the range of 3.7-4.3 kcal/mol which is higher than the previously reported AM1 value of 2.1 kcal/mol.
Laser-induced fluorescence (LIF) excitation spectra were measured for fluorene (FR) cooled in pulsed supersonic expansions of He in the range 283.7-296.7 nm. Ab initio studies of FR have also been carried out for determining the electronic and vibrational structures by using the standard 3-21G basis sets. In the LIF excitation spectra of FR, highly resolved vibronic bands are observed having the band origin of 33,791 cm-1. The vibrational bands above the electronic origin were assigned on the basis of the well-characterized electronic vibrational bands reported previously and of normal modes of vibrations derived by our HF/3-21G calculations.
So, Jun-Hwan;Park, Seong-Pyo;Lee, In-Gyu;Lee, Gi-Hun;Sin, Geon-Jo;Lee, Se-Won;Jo, Won-Ju
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.339-339
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2012
지난 몇 년 동안, 투명 비정질 산화물 반도체는 유기 발광 다이오드, 플렉서블 전자 소자, 솔라 셀, 바이오 센서 등 많은 응용분야에 연구되고 있다. 투명 비정질 산화물 반도체 그룹들 중, 특히 비정질 IGZO 박막 트랜지스터는 비정질 상태임에도 불구하고 높은 이동도와 낮은 동작 전압으로 훌륭한 소자 특성을 보인다. 이러한 고성능의 IGZO 박막 트랜지스터는 RF 마그네트론 스퍼터링이나 pulsed laser deposition과 같은 고진공 장비를 이용하여 이미 여러 그룹에서 제작되고 발표되었다. 하지만 진공 증착 시스템은 제조 비용의 절감이나 디스플레이 패널의 대면적화에 큰 걸림돌이 되고 있고, 이러한 문제점을 극복하기 위해서 용액 공정은 하나의 해결책이 될 수 있다. 용액 공정의 가장 큰 장점으로는 저온 공정이 가능하기 때문에 글라스나 플라스틱 기판에서 대면적으로 제작할 수 있고 진공 장비가 필요없기 때문에 제조 비용을 획기적으로 절감시킬 수 있다. 본 연구에서는 high-k 게이트 절연막과 IGZO 채널 층을 용액 공정을 이용하여 박막 트랜지스터를 제작하고 그에 따른 전기적 특성을 분석하였다. IGZO의 몰 비율은 In, Ga, Zn 순으로 각각 0.2 mol, 0.1 mol, 0.1 mol로 제작하였고, high-k 게이트 절연막으로는 Al2O3, HfO2, ZrO2을 제작하였다. 또한, 용액 공정 IGZO TFT를 제작하기 전, 용액 공정 high-k 게이트 절연막 캐패시터를 제작하여 그 특성을 분석하였다. 다양한 용액 공정 high-k 게이트 절연막 중, 용액공정 HfO2를 이용한 IGZO TFT는 228.3 [mV/dec]의 subthreshold swing, 18.5 [$cm^2/V{\cdot}s$]의 유효 전계 이동도, $4.73{\times}106$의 온/오프 비율을 보여 매우 뛰어난 전기적 특성을 확인하였다.
Glass is frequently encountered as types of materials that are submitted to forensic science laboratories as a result of trace evidence transfers. The repeatability and the reproducibility of trace element analysis were presented. An analysis of variance (ANOVA) was performed on laser ablation inductively coupled plasma spectrometric analyses of the fragments to identify the source. Pairwise comparisons were completed for all samples. In a pairwise comparison, each sample was compared to each other for a possible [n(n-1)/2] (n : numbers of the samples) total comparison to associate/discriminate samples using Tukey's HSD method. The aim of this study was to determine the utility of LA-ICP-MS for multi-element analysis of forensic samples. The 12 glass fragments from two manufacturers were collected and analyzed to identify the source. An analysis of variance (ANOVA) was performed on 31 elements in NIST 612 Trace elements in Glass. Elements were classified into four categories defined by the combination of precision and variation of inter-samples. We selected 11 elements, 209Bi, 90Zr, 121Sb, 178Hf, 59Co, 238U, 208Pb, 140Ce, 118Sn, 49Ti and 137Ba. 6 pairs out of 66 possible pairs were not distinguished when compared by 137Ba (p<0.05). However, all samples were distinguished using both 49Ti and 137Ba (p<0.05). In conclusion, multi-elemental analysis with LA-ICP-MS is a potential tecnique for the discrimination of forensic samples.
PbTe thin films of high quality were deposited on HF-treated Si(100) substrates at various substrate temperature by pulsed laser deposition technique. XRD patterns showed that PbTe layers were well-crystallized to a cubic phase with (h00) preferred orientation with the substrate temperature up to $300^{\circ}C$. PbTe films could not form at substrate temperature above $400^{\circ}C$ because of reevaporation of the Pb. According to AFM image, the surface of films was composed of small granular crystals and flat matrix. According to the increase of substrate temperature, the grain size at film surface becomes larger. By Hall-effect measurement, the carrier concentration and Hall mobility of n-type PbTe films grown by $T_{sub}=300^{\circ}C$ were $3.68{\times}10^{18}cm^{-3}$ and $148\;cm^2/Vs$, respectively.
Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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v.23
no.3
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pp.640-658
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1996
The purpose of this study was to examine the mechanism of improving acid resistance of Nd-YAG laser irradiated tooth enamel and determine the most effective energy density for improving acid resistance. The bovine tooth enamel were lased with a pulsed Nd-YAG laser. The energy densities of exposed laser beam were varied from 10 to $70\;J/cm^2$. To investigate the degree of improving acid resistance by irradiation, all the samples were submerged to demineralize in 0.5 N $HClO_4$ solution for 1 minute. After 1 minute, 0.05 % $LaCl_3$ was added to the solution for interrupting the demineralization reaction. The amounts of dissolved calcium and phosphate in the solution were measured by using an atomic absorption spectrophotometer and the UV/VIS spectrophotometer, respectively. To examine the mechanism of improving acid resistance, X-ray diffraction analysis, infrared spectroscopy, and scanning electron microscopy were taken. The X-ray diffraction pattern of the samples were obtained in the $10^{\circ}{\sim}80^{\circ}2{\theta}$ range with $Cu-K{\alpha}$ radiation using M18HF(Mac Science Co.) with X-ray diffractometer operating at 40 KV and 300 mA. The infra-red spectra of the ground samples in 300 mg KBr pellets 10 mm diameter were obtained in the $4000cm^{-1}\;to\;400cm^{-1}$ range using JASCO 300E spectrophotometer. The scanning electron microscopy was carried out using JSM6400(JEOL Co.) with $500{\sim}2000$ times magnification. The results were as follow 1. The concentration of calcium dissolved from laser irradiated enamel with $50J/cm^2$ was significantly lesser than that of unlased control group (p<0.05) 2. From the result of the X-ray diffraction analysis, $\beta$-TCP, which increases acid solubility, was identified in lased enamel but the diffraction peaks of (002) and (004) became sharp with increasing energy density of laser irradiation. This means that the crystals in lased samples were grown through the c-axis and subsequently, the acid solubility of enamel decreased. 3. The a-axis parameter was slightly increased by laser irradiation, whereas the c-axis parameter was almost constant except for a little decrease at $50J/cm^2$. 4. In the infra-red spectra of lased enamels, phosphate bands ($600{\sim}500cm^{-1}$), B-carbonate bands (870, $1415{\sim}1455cm^{-1}$), and A-carbonate band ($1545cm^{-1}$) were observed. The amounts of phosphate bands and the B-carbonate bands were reduced, on the other hand, the amount of the A-carbonate band was increased by increase the energy density. 5. The SEM experiments reveal that the surface melting and recrystallization were appeared at $30J/cm^2$ and the cracks were observed at $70J/cm^2$. From above results, It may be suggested that the most effective energy density for improving acid resistance of tooth enamel with the irradiation of Nd-YAG laser was $50J/cm^2$. The mechanism of improving acid resistance were reduction of permeability due to surface melting and recrystallization of lased enamel and reduction of acid solubility of enamel due to decrease of carbonate content and growth of crystal.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.8
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pp.451-454
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2000
We have grown vertically aligned carbon nanotubes in a large area of Co-Ni codeposited Si substrates by the thermal CVD usign $C_2H_2$ gas. Since the discovery of carbon nanotubes, growth of carbon nanotubes has been achieved by several methods such as laser vaporization, arc discharge, and pyrolysis. In particular, growth of vertically aligned nanotubes is important to flat panel display applications. Recently, vertically aligned carbon nanotubes have been grown on glass by PECVD. Aligned carbon nanotubes can be also grown on mesoporous silica and Fe patterned porous silicon using CVD. In this paper, we demonstrate that carbon nanotubes can be vertically aligned on catalyzed Si substrate when the domain density of catalytic particles reaches a certain value. We suggest that steric hindrance between nanotubes at an initial stage of the growth forces nanotubes to align vertically and each nonotubes are grown in bundle.
Park, Jin Hyeong;Nam, Yoon-Ho;Yoo, Bongyoung;Lee, Jung-Ho
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.50
no.5
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pp.315-321
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2017
Antireflective pyramid arrays can be readily obtained via anisotropic etching in alkaline solution (KOH, NaOH), which is widely used in crystalline-Si (c-Si) solar cells. The periodic inverted pyramid arrays show even lower light reflectivity because of their superior light-trapping characteristics. Since this inverted pyramidal structures are mostly achieved using very complex techniques such as photolithograpy and laser processes requiring extra costs, here, we demonstrate the Cu-nanoparticle assisted chemical etching processes to make the inverted pyramidal arrays without the need of photolithography. We have mainly controlled the concentration of $Cu(NO_3)_2$, HF, $H_2O_2$ and temperature as well as time factors that affecting the reaction. Optimal inverted pyramid structure was obtained through reaction parameters control. The reflectance of inverted pyramid arrays showed < 10% over 400 to 1100 nm wavelength range while showing 15~20% in random pyramid arrays.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.280-284
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2004
Multicrystalline silicon wafers were textured in an alkaline bath, basically using sodium hydroxide and in acidic bath, using mainly hydrofluoric acid (HF), nitric acid $(HNO_3)$ and de-ionized water (DIW). Some wafers were also acid polished for the comparative study. Comparison of average reflectance of the samples treated with the new recipe of acidic solution showed average diffuse reflectance less than even 5 percent in the optimized condition. Solar cells were thus fabricated with the samples following the main steps such as phosphorus doping for emitter layer formation, silicon nitride deposition for anti-reflection coating by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and front surface passivation, screen printing metallization, co-firing in rapid thermal processing (RTP) Furnace and laser edge isolation and confirmed >14 % conversion efficiency from the best textured samples. This isotropic texturing approach can be instrumental to achieve high efficiency in mass production using relatively low cost silicon wafers as starting material.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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