• 대한전자공학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.41-45
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• 1984

양질의 에피택셜 층을 성장시키기 위해서는, 에피택셜 층을 성장시키기 직전에 HCl 가스를 사용하여 실리콘 기판을 에칭하는 과정이 거의 언제나 포함된다. 본 논문에서는, 대기압[1 기압]과 감압[0.1기압]에서 HCl 가스 농도와 에칭 온도의 변화에 따른 에칭속도 및 에치-피트 생성에 관하여 조사하였다. 그 결과, 대기압 공정과 감압 공정 모두 에칭 속도는 HCI 가스 농도의 2승[X ]에 비례하였으며, 명목상 활성화 에너지는 0∼11 Kcal/mole인 것으로 나타났다. 이러한 결과로부터, 감압 공정에서 HCl 가스에 의해 실리콘이 에칭되는 것은 대기압 공정에서와 같이 다음과 같은 반응에 의해 일어난다고 예측된다; Si + 2HCl ↔SiCl2 + H2.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권1호
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• pp.14-19
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• 1999

Hexamethyldisilane$(Si_{2}(CH_{3})_{6})$의 single precursor를 사용하여 화학기상증착법으로 $1100^{\circ}C$에서 Si 기판의에 $\beta$-SiC 막을 증착시켰다. 증착과정 중 hexamethyldisilane/$H_{2}$ gas system에 HCI gas를 도입하여 mask 재료에 의해 부분적으로 덮여져 있는 Si 기판에서 SiC 증착의 선택성을 조사하였다. Si 기판과 mask 재료에서 SiC 증착의 선택성을 증진시키기 위해 출발물질과 HCI gas의 공급 방법을 변화시켰다. 결국, HCI gas를 도입함으로서 SiC 증착의 선택성은 증진되었고 펄스 형태로의 gas 공급 방법은 선택성을 향상시키는데 효율적이었다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 15TH KACG TECHNICAL MEETING-PACIFIC RIM 3 SATELLITE SYMPOSIUM SESSION 4, HOTEL HYUNDAI, KYONGJU, SEPTEMBER 20-23, 1998
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• pp.91-95
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• 1998

Selectivity of SiC deposition on a Si substrate partially covered with a masking material was investigated by introducing HCl gas into hexamethyldisilane/H2 gas system during the deposition. the schedule of the precursor and HCl gas flows was modified so that the selectivity of SiC deposition between a Si substrate and a mask material should be improved. It was confirmed that the selectivity of SiC deposition was improved by introducing HCl gas. Also, the pulse gas flow technique was effective to enhance the selectivity.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제29권4호
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• pp.782-784
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• 2008

Ag/Ni bimetallic cluster loading on porous carbon fibers was accomplished in order to enhance the HCl removal efficiency of the carbons. The surface properties of the Ag/Ni/carbons were determined by XRD and SEM. N2/77 K adsorption isotherms were investigated using BET and Boers t-plot methods. The HCl removal efficiency was confirmed by a gas chromatography technique, and it was found that that efficiency was predominantly improved in the presence of Ag/Ni clusters compared with the efficiencies of the as-received and single-metal-plated carbons. This indicates that synergetic reactions exist between Ag/Ni and HCl gas, resulting in advanced HCl removal capacity of porous carbons.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제29권4호
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• pp.57-60
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• 2015

화재 시 발생하는 독성 가스인 CO, HCl, HCN, $SO_2$를 방독면에 의해 제거하는 효율은 화재로 인한 인명구조의 핵심 요소이다. 머리와 목끈이 없는 탄력있는 방독면은 전방을 주시할 수 있는 창, 탄력후드, 가스정화기와 공기 환풍구로 되어 있어서 화재 시 빠르고 쉽게 착용할 수 있다. 이 연구에서는 이러한 방독면의 CO, HCl, HCN, $SO_2$ 제거 효율에 대한 연구를 진행하였다. 실험결과 CO 제거 효율은 최초 농도가 2505.0 ppm인 경우 3.5분 후에 99.99%였고, 8.5분 후에는 99.98%로 나타났다. 8.5분 후에는 CO 농도가 급격히 증가하는 특성을 보였다. HCl, HCN, $SO_2$에 대해서는 최초 농도가 각각 1003.0, 399.0, 100.3 ppm인 경우 20분 동안 제거 효율이 100%로 나타났다.

• 약학회지
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• 제19권4호
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• pp.240-245
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• 1975

The quantitative analysis of ethambutol.2HCl as well as commercial ehambutol preparations was undertaken by gas-liquid chromatography by finding optimum conditions, such as the use of internal standard, stability of an ethambutol-2HCl-caffeine standard solution, and the effect of column temperature, N, O-bis-(trimethylsily) acetamide [B.S.A.] concentrations and other substances present in the preparations. Under the chromatiographic conditions, an ethambutol-2HCl. caffeine standard, 9 min, 30sec. The relative molar response of ethambutol.2HCl and caffeine studied was 2.08. Ethambutol.2HCl could be quantitated up to 1$\times$10$^{-8}$ moles. the possible decomposition of B.S.A. due to the moisture when tested and the incoplete reaction for silylation could be minimized.

• 청정기술
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• 제19권2호
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• pp.165-172
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• 2013

본 연구에서는 고정층 반응기(높이 15 cm, 내경 0.5 cm)에서 K-계열 건식 흡수제($K_2CO_3/Al_2O_3$, 한국전력공사 전력연구원)를 이용하여 반응압력 변화에 따른 염화수소 흡수 실험을 수행하였다. 반응온도는 가스화 직후, 필터를 거쳐서 주입되는 것을 가정하여 $400^{\circ}C$로 설정하였으며, 반응기체 농도는 750 ppm HCl ($N_2$ balance)으로 설정하였다. 반응압력은 1, 5, 10, 15, 20 bar로 증가시켰다. 압력이 증가할수록 K-계열 흡수제의 흡수 성능이 증가하였다. 흡수제를 구성하고 있는 주요 물질인 $K_2CO_3$가 HCl 가스와 반응하여 KCl 결정을 형성하였으며, 강한 결합에너지로 인하여 흡수제의 재생이 실질적으로 불가능하였다. 이에 대한 광학적, 물리적, 화학적 특성을 SEM, EDX, BET, TGA, XRD를 이용하여 분석하였다. $400^{\circ}C$, 20 bar 조건(가스화 이후 탈할로겐 공정의 온도 및 압력조건)에서 $K_2CO_3$ 흡수제는 Ca 계열 및 Mg 계열의 흡수제에 비해 높은 HCl 흡수능 및 HCl/$N_2$ 분리 거동을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.97-101
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• 1995

GaN films were prepared on Si(111) substrates by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on HCl-NH$_3$-N$_2$gas system. Effects of HCl gas flow rate on the film investigate under deposition conditions of flow time of 10min, 20min, 30min. The deposition rate increased with increasing HCl gas flow rate in the range of 10cc/min to 40cc/min and deposition time. Strung (00.2) oriented GaN film was obtained at a lower HCl flow rate and improved of the surface morphology.

• 유기물자원화
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• 제18권1호
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• pp.66-72
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• 2010

본 연구는 경기도 A지역 자원회수시설에서 연소온도의 변화에 따른 NOx, SOx, CO, HCL, DUST의 발생변화와 보일러 배출가스 온도, 보일러 출구산소 농도, 반건식 반응탑 출구온도, 촉매탑온도, 배출가스 온도의 변화를 분석하였다. SOx, CO, Hcl, DUST는 자원회수시설 내의 연소온도가 상승함에 따라 거의 5 ppm 미만의 일정한 값을 유지한 반면 NOx 는 40 ppm에서 70 ppm으로 증가하는 추세였다. 한편 보일러 배출가스 온도와 촉매탑 온도는 일정치를 유지하였으나 보일러 출구의 산소농도는 조금씩 감소하는 결과를 나타내었다.

• Carbon letters
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• 제5권3호
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• pp.103-107
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• 2004

The atmospheric pressure plasma treatments ($Ar/O_2$ and $Ar/N_2$) of activated carbon fibers (ACFs) were carried out to introduce hydrophilic functional groups on carbon surfaces in order to enhance the hydrogen chloride gas (HCl) adsorption. Surface properties of the ACFs were determined by XPS and SEM. $N_2$/77 K adsorption isotherms were investigated by BET and D-R (Dubinin-Radushkevich) plot methods. The HCl removal efficiency was confirmed by HCl detecting tubes (range:1~40 or 40~1000 ppm). As experimental results, it was found that all plasma-treated ACFs showed the decrease in the pore volume, but the HCl removal efficiency showed higher level than that of the untreated ACFs. This result indicated that the plasma treatments led to the conformation of hydrophilic functional groups on the carbon surfaces, resulting in the increase of the interaction between the ACFs and HCl gas.