Low-Temperature Selective Epitaxial Growth of SiGe using a Cyclic Process of Deposition-and-Etching (증착과 식각의 연속 공정을 이용한 저온 선택적 실리콘-게르마늄 에피 성장)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.16 no.8
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- pp.657-662
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- 2003