Low-Temperature Selective Epitaxial Growth of SiGe using a Cyclic Process of Deposition-and-Etching
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김상훈
(한국전자통신연구원 무선통신소자연구부 SiGe 소자팀)
이승윤 (한국전자통신연구원 무선통신소자연구부 SiGe 소자팀) 박찬우 (한국전자통신연구원 무선통신소자연구부 SiGe 소자팀) 심규환 (한국전자통신연구원 무선통신소자연구부 SiGe 소자팀) 강진영 (한국전자통신연구원 무선통신소자연구부 SiGe 소자팀) |
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Electrical properties of <TEX>$metal/Si_{1-x}Ge_{x}/Si(100)$</TEX> hetero junctions
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Pattern sensitivity of selective chemical vapor deposition : pressure dependence
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상압 화학 기상 증착기를 이용한 고출력 SiGe HBT 제작
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Si-Ge-H-Cl 계를 이용한 자기정렬 HBT 용 Si 및 SiGe의 선택적 에피성장
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Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for <TEX>$Ge_{x}Si_{1-x}/Si$</TEX> strained layer hetero-structure
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DOI |
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Kinetics of selective epitaxial deposition of <TEX>$Si_{1-x}Ge_{x}$</TEX>
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DOI |
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Selective epitaxial Si based layer and TiSi₂deposition by integrated chemical vapor deposition
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DOI ScienceOn |
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Low temperature selective epitaxy by ultra high vacuum chemical vapor deposition from SiH₄and GeH₄/H₂
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DOI |
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초고주파 응용을 위한 Si/SiGe 이종 접합 쌍극자 트렌지스터 기술 동향
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