• The Journal of Korean Medicine
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• v.33 no.1
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• pp.42-51
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• 2012

Objectives: We measured the density of smoke and harmful gases emitted from burning adhesive indirect moxa. Through the test we aimed to find out if there was an excessive amount of smoke emitted and if it included harmful gases. Methods: 9 types of adhesive indirect moxa were chosen. The buffer layers which do not burn during treatment were removed and 10g of each moxa were made into powder and put into a holder. A smoke density chamber (Smoke Density Chamber FTT. U.K) and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR I 4001. MIDAC U.S.A.) were used to measure the density of smoke and harmful gases emitted from burning moxa by ISO 5659-2 test. Results: The result of measuring maximum smoke density showed that the regular indirect adhesive moxa (A-F) emitted high density smoke of 172.1-291.4Ds. The smokeless moxas, Seoam moxas, emitted the least amount of 3.4-5.5Ds. Concentrations of 7 typical harmful gases (CO, HCl, HCN, HBr, HF, SO2, NOx) were measured and all of the moxas emitted CO due to incomplete combustion. 4 types of moxa emitted NOx and all smokless moxas emitted NOx. HBr, HCN, HCl, HF, SO2 were not found in any of the moxas. Conclusions: The amount of harmful gases emitted from burning moxa was much lower than short-term exposure standards of chemical and physical factors (Ministry of Labor 2010-44). Further experiments measuring gases from moxa combustion should be done in larger environments similar to normal medical clinics.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.27 no.6
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• pp.449-456
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• 1983

The facile route of preparing S-2-(${\omega}$-aminoalkylamino) ethyl dihydrogen phosphorothioates, potential chemical radioprotectants, have been studied. Intermediate 3-(2-phthalimidoethyl)-2-oxazolidinone was prepared by a reaction of potassium phthalimide and 3-(2-bromoethyl)-2-oxazolidinone, which was obtained through the alkaline ring closure of a mixture of carbonate and 2,2'-dibromo diethylamine prepared from diethanolamine. This was converted to N-[2-(2-bromoethylamino)ethyl] phthalimide hydrobromide by 30% HBr(gas) in acetic acid and N-(2-bromoethyl)-1,2-ethanediamine dihydrobromide was obtained by reacting the hydrobromide with a solution of HBr-HOAc. N-(2-bromoethyl)-1,3-propanediamine dihydrobromide could be prepared through the Cortese treatment of 2-(3-aminopropylamino) ethanol, which was prepared by a reaction of 1,3-diaminopropane and 2-chloroethanol. These dihydrobromides were treated by sodium thiophosphate in DMF to result S-2-(${\omega}$-aminoalkylamino) ethyl dihydrogen phosphorothioates. The characteristics of each reaction path were discussed in regards to reaction conditions and overall yields and a facile route of preparing each derivative was proposed.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.8 no.4A
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• pp.490-495
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• 1999

In 0.18 $\mu \textrm m$ LOGIC device, the etch rate of NMOS polysilicons is different from that of PMOS polysilicons due to the state of polysilicon to manufacture gate line. To control the etch profile, we tested the ratio of $Cl_2$/HBr gas and the total chamber pressure, and also we reduced Back He pressure to get the vertical profile. In the case of manufacturing the gate photoresist line, we used Bottom Anti-Reflective Coating (BARC) to protect refrection of light. As a result we found that $CF_4O_2$ gas is good to etch BARC, because of high selectivity and good photoresist line profile after etching BARC. in the results of the characterization of plasma damage to the antenna effect of gate oxide, NO type thin film(growing gate oxide in 0, ambient followed by an NO anneal) is better than wet type thin film(growing gate oxide in $0_2+H_2$ ambient).

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.19 no.12
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• pp.1078-1084
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• 2006

Impurity contamination induced by $CF_4\;and\;HBr/Cl_2/O_2$ plasma etching on Si surface was examined by using surface spectroscopes. XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) surface analysis showed that F of 0.4 at % exists in the surface layer in the form of Si-F bonding but Br and Cl are below the detection limit $(0.1{\sim}1.0%)$ of the spectroscope. Static-SIMS(secondary ion mass spectrometry) surface analysis showed that the etched Si surface was contaminated with etching gas elements such as H, F, Cl and Br, and they existed to the depth of about $20{\sim}40nm$. The etched Si surface was treated with three different methods that were HF dip, thermal oxidation followed by HF dip and oxygen-plasma oxidation followed by HF dip. They showed an effect in reducing the impurity contamination and the oxygen-plasma oxidation followed by HF dipping method appears to be a little bit more effective.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.246-246
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• 1999

TFT-LCD 제조공정의 발전에 따라, 박막층(a-Si, SiNx, gate 전극, ITO 등)에 대한 습식공정을 대치하는 건식식각이 선호되고 있다. scan signal의 전파지연시간을 단축시키는 장점을 갖는 Al gate 전극의 건식식각의 경우, 높은 식각속도와 slope angle의 조절, 그리고 식각균일도가 요구된다. 이러한 Al gate 전극물질로는 Al에 Ti이나 Nd와 같은 금속을 첨가하여 post annealing 동안에 발생하는 hillock을 방지하고 더불어 낮은 resistivity(<10$\mu$$\Omega$cm)와 열과 부식에 대한 높은 저항성을 얻을 수 있다. 그러나 Al-Nd alloy 박막은 식각속도와 photoresist에 대한 식각선택도가 낮아 문제로 지적되고 있다. 본 실험에서는 고밀도 플라즈마원의 일종인 자화된 고밀도 유도결합형 플라즈마를 이용하여 식각가스 조합, inductive power, bias voltage 그리고 공정압력 등의 다양한 공정변수에 따른 Al-Nd film의 기본적인 식각특성 변화를 관찰하였다. 식각시 chloring gas를 주요 식각가스로 사용하고 BCl, HBr 등을 10mTorr의 일정한 압력을 유지하는 조건하에서 첨가하였으며 inductive power는 5100W~800W, bias voltage는 -50V~-200V까지 변화를 주었다. 식각공정의 전후를 통하여 Al-Nd 박막표면의 조성변화를 관찰하기 위하여 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하였으며 공정변수에 따른 식각후 profile 관찰은 scanning electron microscopy(SEM)을 통하여 관찰하였다. Al-Nd 식각속도는 100% Cl2 플라즈마에 비해 BCl3의 양이 증가할수록 증가하였으며 75%의 BCl3 gas를 첨가하였을 때 가장 높은 식각속도를 얻을 수 있었다. 또한 SEM을 이용한 표면분석으로 roughness가 감소된 공정조건을 찾을 수 있었다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.49 no.11
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• pp.199-204
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• 2012

The study for developments and economics about the energies from the global warming is very active. For the effective saving and the spanning of the life extension about the 19% rates for the illumination system spending power about the whole electric energies, we proposed the new type of the current control method using a mixing system of the frequency modulation together with the pulse width modulation for the half-bridge power instrument. And we proved the excellence and the stability for our suggested system and analyzed the characteristics.

• Proceedings of the Korea Institute of Fire Science and Engineering Conference
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• 2012.04a
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• pp.137-140
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• 2012

현대의 건축 재료는 각종 고분자 화합물의 비중이 커지고 있어 건축 재료가 연소할 때 발생하는 가스의 성분비가 천연재료를 이용하던 과거의 건축물과 차이를 보인다. 실제로 근래의 건축재료 연소가스의 정성분석결과에서도 천연재료의 연소가스에서 발견되는 CO, $CO_2$ 외에도 HF, HCN, HBr, HCl, NO, $NO_2$, $SO_2$등의 화학종이 발견되고 있다. 이러한 화학종들은 고분자 화합물에서 발생하는 것으로 분석되며, 건축 재료에서 화합물의 비중이 높아지는 만큼 향후 이러한 화학종들이 건축물의 화재에서 대피의 주요 방해요인으로 작용할 수 있다. 이에 본 연구에서는 HF를 대상으로 동물 노출실험을 통하여 얻은 결과와 HF에 대한 기존연구를 비교 분석하여 HF의 독성에 대한 기초 연구를 수행하였다.

• The Korean Journal of Nuclear Medicine
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• v.30 no.4
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• pp.532-540
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• 1996

목적 : 종양세포의 증식을 평가하기 위해 radiofluorinated ethyluracil (FEU)과 deoxyadenosine analogue(FAD)를 합성하여 종양의 영상화를 시도하였다. 대상 및 방법 : 5-(2-Fluoroethyl)uracil ([$^{18}F$]FEU)은 2, 4-dimethoxy-5-(2-hydroxyethyl) pyrimidine을 $K^{18}F$와 처리한 후 HBr로 가수분해하여 얻었으며 Fluorodeoxyadenosine은 adenosine의 triacetylated analogue를 $K^{18}F$와 처리하여 얻었다. 생물학적 조직분포는 유방암 세포(13762 NF, 100,000 cells per rat, im)를 쥐에 접종한 후 0.5, 1, 2 및 4시간에 주요장기를 적출하여 %ID/g을 측정하고 자가방사영상은 방사성의약품 투여 45분 후에 얻었다. PET 영상은 VX-2 종양을 접종한 가토를 이용하여 얻었다. In vitro cell proliferation assay는 사람의 말초단핵구를 이용하였다. 결 과 : In vitro assay상 ([$^{18}F$]FEU는 세포증식시 DNA/RNA에 결합함을 시사하였다. ([$^{18}F$]FAD와 ([$^{18}F$]FEU의 종양/비종양 방사능 섭취비는 시간경과에 따라 증가하였으며 ([$^{18}F$]FAD와 ([$^{18}F$]FEU를 이용한 자가방사영상과 ([$^{18}F$]FEU를 이용한 PET 영상에서 종양을 잘 관찰할 수 있었다. 결 론 : ([$^{18}F$]FAD 및 ([$^{18}F$]FEU를 이용하여 종양세포의 증식을 PET 영상에서 평가할 수 있으리라 사료된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.168-168
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• 2011

정보화 사회가 도래함으로 개인별 정보 이용량이 급격히 증가하였고 스마트폰과 같은 모바일 기기의 개발로 정보 이용량이 최고치를 갱신 중이다. 이러한 흐름 속에 사람들은 빠른 처리 속도와 고도의 저장 능력을 요구하게 되고 이에 따라 새로운 Random Access Memory에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재 Dynamic Random Access Memory (DRAM)가 눈부신 발전과 성과를 이룩하고 있지만 전원 공급이 중단 될 경우 저장된 내용들이 지워진다는 단점을 가지고 있다. DRAM의 장점에 이러한 단점을 보완할 수 있는 차세대 반도체 소자로 주목 받고 있는 것이 Magnetic Random Access Memory (MRAM)이다. DRAM에서 Capacitor와 유사한 기능을 하는 MTJ stack은 tunneling magnetoresistance (TMR) 현상을 나타내는 자기저항 박막을 이용하여 MRAM 소자에 집적된다. 본 연구에서는 MRAM의 자성 재료로 구성된 MTJ stack을 효과적으로 식각하고 우수한 식각 profile을 얻는 동시에 재증착의 문제를 해결하는데 목적을 둔다. 본 IrMn 자성 박막의 식각 연구는 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각 (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching: ICPRIE)법을 이용하여 진행되었다. 특히 본 연구에서는 종래의 $Cl_2$, $BCl_3$ 그리고 HBr과 같은 부식성 가스가 아닌 부식성이 없는 $CH_4$가스를 선택하여 그 농도를 변화시키면서 식각하였고 더 나아가 $O_2$를 첨가하면서 그 효과를 극대화하려고 시도하였다. IrMn 자성 박막의 식각 속도, TiN 하드 마스크에 대한 식각 선택도 그리고 profile 등이 조사되었고 최종적으로 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 이용하여 식각 메카니즘을 이해하려고 하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.29 no.2
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• pp.393-397
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• 2008

Inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES) was used to determine the presence of germanium and phosphorus in a pure gold bonding wire. The samples were dissolved with hydrobromic acid and nitric acid at room temperature. The quantitation limits were 0.012 mg L-1 at 265.118 nm for Ge and 0.009 mg L-1 at 177.495 nm for P. Using the mixed acid digestion formula of DIW+HBr+HNO3, the recoveries were in the range of 98-100% and the relative standard deviation was within 1.1-2.3%. On the other hand, the amount of Ge decreased by about 16.2% using DIW+HCl+HNO3, due to the formation of a volatile compound. The Ge contents determined using the external method and the standard addition method were 9.45 mg kg-1 and 9.24 mg kg-1, respectively, and the P contents, using the same methods, were 22.49 mg kg-1 and 23.09 mg kg-1, respectively. Both methods were successfully used to determine the trace amounts of P and Ge in the pure gold bonding wire samples.