• 한국진공학회지
• /
• 제18권6호
• /
• pp.474-480
• /
• 2009

분자선 에피택시 (molecular beam epitaxy: MBE)를 이용하여 GaAs (100) 기판에 Indium interruption growth법으로 성장한 InAs 양자점 (quantum dots: QDs)의 광학적 특성을 photoluminescence (PL)와 time-resolved PL (TRPL) 실험을 이용하여 분석하였다. In interruption growth법은 InAs 양자점 성장 동안 As 공급은 계속 유지하면서 셔터 (shutter)를 이용해 서 In 공급을 조절하는 방법이다. 본 연구에서는 In을 1초 동안 공급하고 셔터를 0초, 9초, 19초, 29초, 또는 39초 동안 닫아 In 공급을 차단하였으며, 공급과 차단 과정을 각 30회 반복하여 양자점을 성장하였다. In interruption 시간을 0초에서 19초까지 증가하였을 때 PL 피크는 1096 nm에서 1198 nm로 적색편이 (~100 nm)하고 PL 세기는 증가하였으나, 19초에서 39초까지 증가하였을 때 PL 스펙트럼의 변화는 없고 PL 세기는 감소하였다. 모든 양자점의 PL 소멸시간 (decay time)은 약 1 ns로 바닥상태 (ground state) PL 피크에서 가장 길게 나타났다. In interruption 시간이 19초인 시료가 가장 좋은 PL 특성과 가장 짧은 운반자 소멸시간을 나타내었다. PL 특성의 향상은 In interruption 시간동안 일정한 양의 In 원자들의 분리와 이동이 증가한 것으로 설명될 수 있다. 이러한 결과로부터 In interruption 법을 이용하여 InAs 양자점의 크기, 균일도, 조밀도 등을 조절하여 원하는 파장대의 양자점을 성장할 수 있음을 알 수 있다.

• 한국진공학회지
• /
• 제19권5호
• /
• pp.365-370
• /
• 2010

분자선 에피택시 방법을 이용하여 GaAs 기판 위에 GaAs 및 AlGaAs 에피층을 성장하면서 성장 멈춤 효과를 연구하였다. 성장 멈춤 시간에 따른 에피층 성장 과정은 반사 고에너지 전자회절로 측정하였다. 성장 멈춤 시간은 0, 15, 30, 60초로 하였다. 그리고 성장 멈춤 시간을 달리하여 GaAs/$Al_{0.3}Ga_{0.7}As$ 다양자우물을 성장한 후 양자우물의 특성을 조사하였다. 반사 고에너지 전자회절의 강도 진동은 성장 멈춤 시간에 영향을 받고 있었다. 그리고 양자우물의 광특성도 성장 멈춤 시간에 의존하고 있었다. 성장 멈춤 시간이 30초일 때 우물과 장벽층 사이에 급준한 계면을 가지는 에피층을 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.636-639
• /
• 2001

InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) grown with various growth interruptions between the InGaN well and GaN barrier by metal-organic chemical vapor deposition were investigated using photoluminescence, high-resolution transmission electron microscopy, and energy filtered transmission electron microscopy (EFTEM). The luminescence intensity of the MQWs with growth interruptions is abruptly reduced compared to that of the MQW without growth interruption. Also, as the interruption time increases the peak emission shows a continuous blue shift. Evidence of indium clustering is directly observed both by using an indium ratio map of the MQWs and from indium composition measurements along an InGaN well using EFTEM. The higher intensity and lower energy emission of light from the MQW grown without interruption showing indium clustering is believed to be caused by the recombination of excitons localized in indium clustering regions and the increased indium composition in these recombination centers.

• 조명전기설비학회논문지
• /
• 제21권4호
• /
• pp.45-52
• /
• 2007

Electric power is an important element in any modern economy. The availability of a reliable power supply at a reasonable cost is important for the economic growth and development of a country. Electric power utilities throughout the world therefore strive to meet customer demands economically with high quality and reliability. As the power industry moves towards open competition, therefore, there has been a call for a methodology by which to evaluate power system reliability through the use of customer interruption characteristics. This paper presents the results of an investigation and analysis of interruption characteristics of an industrial customer in Korea. This study used a direct visit survey to determine the investigation and analysis of electric service quality and the characteristics of industrial customers in Korea. A customer survey conducted throughout Korea via personal interviews of 660 sample customers is presented here. Variation according to characteristics of interruption such as duration, time of day, frequency and day of interruption was also investigated

• 생물환경조절학회지
• /
• 제31권4호
• /
• pp.319-324
• /
• 2022

본 연구는 식물 공장에서 배초향(Agastache rugosa Kuntze) 재배 시, 야파시간에 따른 생육과 항산화 물질 함량에 미치는 영향에 대하여 살펴보고자 수행하였다. 본엽 4매인 배초향 묘를 백색 LEDs를 이용한 수경재배 시스템에 정식하였다. 야파처리 효과를 알아보기 위해 06시부터 광도 200μmol·m^-2·s^-1 조건으로 시간을 24시간 주기에서 18:1:2:3, 18:2:2:2, 18:3:2:1(명기:암기:명기:암기) 비율로 처리하였으며 대조구는 20:4(명기:암기)로 설정하여 4주간 재배하였다. 엽장과 엽폭, 화아수를 제외하고는 유의적 차이가 발생하지 않았다. 배초향 지상부의 항산화물질 함량은 tilianin과 acacetin이 높았고, 지하부에서는 rosmarinic acid(RA)의 함량이 유의하게 높았다. 배초향의 건물중당 RA함량은 18:1:2:3과 18:2:2:2에서 대조구보다 47.92, 51.46% 높았고, 건물중당 tilianin과 acactin은 18:3:2:1에서 유의적으로 높게 나타났다. 야파처리를 하였을때 동일한 누적 광량으로 인해 생육 차이를 보이지 않았지만, 18:2:2:2의 야파처리가 총 폴리페놀 함량이 높게 나타났다. 따라서 인공광을 이용한 배초향 재배 시스템에서 야파처리를 통하여 생육 저하 없이 배초향의 항산화 물질 증대 효과를 기대할 수 있을 것으로 사료된다.

• 아시안잔디학회지
• /
• 제23권1호
• /
• pp.35-44
• /
• 2009

본 연구는 해안가 매립지인 간척지에서 염분이 포함된 물을 관수하면서 한지형잔디와 난지형 잔디 총 8종의 생육을 평가해 보고자 수행되었다. 사용된 관개용수의 전기전도도(ECw)는 $0.28{\sim}3.3\;dS{\cdot}m^{-1}$)의 범위였다. 토양은 모세관수 차단층 처리구와 무처리구를 각각 비교하였다. 모세관수 차단층 처리구의 전기전도도는 $0.55{\sim}4.29\;dS{\cdot}m^{-1}$의 범위를 보였고, 모세관수 차단층을 설치하지 않은 시험구에서는 $1.8{\sim}9.4\;dS{\sim}m^{-1}$의 범위를 나타내었다. 파종 후 관행적인 관리 하에서 잔디의 피복률, 엽색, 품질, 밀도, 생육랑 등을 조사하였다. 간척지 염해지 조건에서 피복률이 90% 이상을 보이며 양호한 생육을 보인 초종은 '중지', 크리핑 벤트그래스, '세녹', '밀록' 등 4개 초종이었다. 켄터키블루그래스, 퍼레니얼 라이그래스, 켄터키+라이그리스 혼합 및 종자형 한극잔디 '제니스' 등 4 초종은 염해 피해를 받아 조성율이 70% 이하로 낮게 나타났다. 모세판수 차단층 설치지역에서는 크리핑 벤트그래스와 켄터키 블루그래스의 생육이 무설치구에 비해 우수하였으며, 난지형 잔디류는 모세관수 차단층 설치유무에 따른 피복률 차이는 관찰되지 않았으나, 뿌리길이는 모세관수 차단층 설치구가 길어지는 경향을 보였다. 본 연구자료는 간척지에 건설되고 있는 골프장에서 염류 모세관수 차단층 설치 유무에 따른 한지형 잔디와 난지형 잔디의 생육조건을 구명하는데 필요한 기초자료로 활용할 수 있을 것이다.

• 한국작물학회지
• /
• 제40권5호
• /
• pp.543-547
• /
• 1995

들깨잎의 주년생산을 위한 일장이 짧은 겨울동안 개화를 억제하기 위하여 들깨품종 엽실들깨, 옥동들깨에 대한 광조도별 0.5∼1 Lux, 3∼10 Lux, 30∼100 Lux, 야간조명시간별 10, 30, 60분간 처리로 실험을 수행한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 엽실들깨는 옥동들깨보다 처리에 따라 정식후 개화소요일수는 1∼4일 정도 더 소요되었으며 광조도 0.5∼1Lux/야간조명시간 10분간 처리구 에서 개화소요일수가 가장 짧았으며 광조도 3∼10 Lux/야간조명시간 60분간 처리구와 광조도 30∼100Lux/야간조명시간 10, 30, 60분간 처리구 모두 개화가 되지 않았다. 2. 경장은 광조도 0.5∼1 Lux/야간조명시간 10분 처리구가 53∼56cm로 가장 작았고, 광조도 30∼100 Lux/야간조명시간 10분 처리구가 87∼91cm로 가장 컸다. 3.엽면적은 광조도 0.5∼1 Lux, 3∼10 Lux의 처리구에서는 야간조명시간이 길수록 광조도가 강할수록 엽면적은 증가되었으며 광조도 30∼100 Lux 처리구에서는 야간조명시간에 관계없이 엽면적은 큰 차이를 보이지 않았다. 4. 건물량은 광조도 30∼100 Lux/야간조명시간 10, 30, 60분간 처리구에서 주당 25∼29g으로 가장 무거웠고, 광조도 0.5∼1 Lux/야간조명시간 10분간 처리구에서 주당 16g으로 가장 낮았다. 5. 따라서 일장이 짧은 겨울동안의 개화억제 정도는 광조도 30∼100 Lux/ 야간조명시간 10분 정도 처리하면 효과가 커 그 이상 광조도와 야간조명시간은 엽생산을 위해 필요 없을 것으로 사료되었다.

• 한국진공학회지
• /
• 제12권S1호
• /
• pp.95-99
• /
• 2003

We successfully grew InN/GaN single quantum well structures by metal-organic chemical vapor deposition and confirmed their formation by optical and structural measurements. We speculate that relatively high growth temperature ($730^{\circ}C$) of InN layer enhanced the formation of 2-dimensional quantum well structures, presumably due to high adatom mobility. As the growth interruption time increased, the PL emission efficiency from InN layer improved with peak position blue-shifted and the dislocation density decreased by one order of magnitude. The high resolution cross-sectional TEM images clearly showed that the InN layer thickness reduced from 2.5 nm (without GI) to about I urn (with 10 sec GI) and the InN/GaN interface became very flat with 10 sec GI. We suggest that decomposition and mass transport processes on InN during GI is responsible for these phenomena.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.146-147
• /
• 2012

InP 기판위에 자발성장법으로 성장된 InAs 양자점은 $1.55{\mu}m$ 영역에서 발진하는 양자점 반도체 레이저 다이오드 및 광 증폭기를 제작할 수 있기 때문에 많은 관심을 받고 있다. 광통신 대역의 $1.55{\mu}m$ 반도체 레이저 다이오드 및 광 증폭기 분야에서 InAs/InP 양자점이 많은 관심을 받고 있으나, InAs/GaAs 양자점에 비해 제작이 어려운 단점을 가지고 있다. InAs/InP 양자점은 InAs/GaAs 양자점에 비해 격자 불일치가 작아 양자점의 크기가 크고 특히 As 계 박막과 P 계박막의 계면에서 V 족 원소 교환 반응으로 계면 특성 저하가 발생하여 성장이 까다롭다. As 과 P 간의 교환반응은 성장온도와 V/III 에 의해 크게 영향을 받는 것으로 보고되었다. 그러나, P계 InGaAsP 박막 위에 InAs 성장 시 발생하는 As/P 교환반응에 대한 연구는 매우 적다. 본 연구에서는 InGaAsP 박막 위에 InAs 양자점 성장 시 GI (growth interruption)에 의한 As/P 교환반응이 InAs 양자점의 형상 및 광학적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 시료는 수직형 저압 Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)를 이용하여 $520^{\circ}C$의 온도에서 성장하였다. 그림1(a) 구조의 양자점은 InP (100) 기판위에 InP buffer layer를 성장한 후 InP와 격자상수가 일치하는 $1.1{\mu}m$ 파장의 InGaAsP barrier를 50 nm 성장하였다. 그 후 As 분위기 하에서 다양한 GI 시간을 주었고 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 양자점 성장 후 InGaAsP barrier를 50 nm, InP capping layer를 50 nm 성장하였다. AFM측정을 위해 InP capping layer 위에 동일한 GI 조건의 InAs/InGaAsP 양자점을 성장하였고 양자점 성장 후 As분위기 하에 온도를 내려주었다. 그림1(b) 구조의 양자점은 그림1(a) 와 모든 조건은 동일하나 InAs 양자점과 InGaAsP barrier 사이에 GaAs 2ML를 삽입한 구조이다. 양자점 형상 특성 평가는 Atomic force microscopy를 이용하였으며, 광특성 분석은 Photoluminescence를 이용하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제7권2호
• /
• pp.104-111
• /
• 1998

저압 MOCVD 방법을 이용하여 InGaAs/InP 양자우물구조를 성장하였다. 성장 정지 시간에 따른 photoluminescence특성의 변화를 통하여 계면구조를 분석하였다. InP표면을 $PH_3$ 분위기로, InGaAs표면을 $AsH_3$분위기로 유지하며 성장을 정지하는 경우에는 성장 정지 시간이 길어짐에 따라 불순물 유입에 의한 것으로 생각되는 PL반가폭의 증가를 관찰하였다. InP표면에 AsH3을 공급하는 경우에는 As-P교환에 의해 우물층 두께가 증가하여 PL피크가 저에너지로 이동하였고, 반가폭의 변화는 크지 않았다. 계면 양자우물구조를 형성하여 As-P 교환작용에 대해 조사하였고, 1-2monolayer가 InAs유효두께로 계산되었다. InGaAs 표면에 $PH_3$을 공급한 결과, PL피크가 고에너지로 이동하는 것을 관찰하였고 동시에 반가폭도 증가 하였다. 이는 메모리 효과에 의해 InP층으로 As침투를 억제하고, InGaAs표면에서의 국부적 인 As-P교환에 의한 것으로 생각된다.