Park, Jong-Pil;Kim, Sin-Kyu;Park, Jae-Young;Ok, Kang-Min;Shim, Il-Wun
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제30권1호
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pp.114-118
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2009
A new Zn/O single source precursor, TMEDA-Zn$(eacac)_2$, has been synthesized by using N, N, N’, N’-tetramethylethylendiamine (TMEDA), sodium ethyl-acetoacetate, and $ZnCl_2$. From this organometallic precursor, ZnO thin films have been successfully grown on Si (100) substrates through the metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method at relatively mild conditions in the temperature range of 390~430 ${^{\circ}C}$. The synthesized ZnO films have been found to possess average grain sizes of about 70 nm with an orientation along the c-axis. The precursor and ZnO films are characterized through infrared spectroscopy, nuclear magnetic resonance spectroscopy, EI-FAB-spectroscopy, elemental analyses, thermal analysis, X-ray diffraction, and field emission scanning electron microscopic analyses.
Compressive creep of dense polycrystalline $BaTiO_3$, with average grain sizes of 19.3-52.4$\mu\textrm{m}$, has been investigated at 1100-$1300^{\circ}C$ in air or under controlled atmospheres $(10^2-10^5Pa \;O_2)$. Some cavity growth occurred during deformation because of non-steady-state damage accumulation in the form of cavitation. Comparison of the creep data of polycrystalline BaTiO3 with existing diffusivity and creep data for perovskite oxides suggested that deformation of polycrystalline $BaTiO_3$ was controlled by the extrinsic lattice diffusion of barium or titanium.
De la Torre, M. A. Lopez;Dura, O. J.;Hernandez, M.;Garcia-Cordobes, M.;Herranz, G.;Sanchez-Bautista, C.;Rodriguez, G. P.
한국분말야금학회:학술대회논문집
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한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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pp.670-671
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2006
We report on the mechanical and structural properties of nanocrystalline 8% and 10% mol yttria stabilized zirconia (YSZ) obtained using mechanical alloying (MA). The as-milled powders show a body-centered cubic structure with grain sizes in the nanometer scale. After uniaxial pressing and sintering the compacts exhibit good mechanical properties. We discuss the correlation of these enhanced properties with the microstructural changes induced by heat treatment.
Change of dielectric loss of use in high relative permitivity capacitor BaTiO$_3$ ceramic depends on Mn doping have been investigated. The powders used in this study were commercial BaTiO$_3$, TiO$_2$and, MnCO$_3$. Sample was fabricated by conventional ceramic process. The quantity of Mn was changed gradually from 0.lmol% to 10mo1%. The sintering densities were reduced with increasing amount of MnCO$_3$. This result is because of increase of low density second phase BaMnO$_3$. When the samples were doped by over 0.2mol% of MnCO$_3$, average grain sizes were enlarge to several tens ${\mu}{\textrm}{m}$. The dielectric losses were reduced by Mn doping to lmol% but, increased from lmol% to 10mo1% gradually.
Nanostructured ZnS thin films were grown on the slide glass substrate by the chemical bath deposition using an aqueous so1ution Of ZnSO$_4$and CH$_3$CSNH$_2$at 95$^{\circ}C$. The average grain sizes of the ZnS thin film estimating from the Debye-Scherrer formula are 4.8 nm. The optical transmittance edge of the ZnS thin films (4.0 eV) was shifted to the shelter wavelength compared with that of the bulk ZnS (3.67 eV) due to the quantum size effects. The ZnS thin films showed a strong photoluminescence intensity and a sharp emission band from 410 to 480 nm 3t room temperature. The PWHM of photoluminescence peak was about 40 nm. For the viloet(410 nm) and blue(480 nm) emission of the ZnS thin films, the temperature dependence can be described by an Arrhenius equation with an activation energy of 168 and 157 meV, respectively.
The purpose of this study is to analyze effects of filtering system of cutting fluid which is used for machining silicon electrode. For the research, different sizes of filter clothes are applied to check grain size of sludge of cutting fluid. Surface roughness of machined workpiece, depth of damage inside of silicon electrode, and suspended solids of cutting fluid are experimented and analyzed. From these experiments, it is verified that filtering system of cutting fluid is very important factor for machining. Results of this study can affect various benefits to the semiconductor industry for better productivity and better atmospheric pollution in workplace.
진우도 해빈에서 2005년 11월과 2006년 5월의 2회에 걸쳐서 표층퇴적물을 채취하여 퇴적물의 조직변수를 분석하였다. 2005년 11월에 비하여 2006년 5월에는 진우도 서쪽 해빈의 최빈값은 $3.0\phi$(i.e., 0.125 mm)로 변화가 거의 없었으나, 동쪽 해빈에서는 최빈값$3.0\phi$(i.e., 0.125 mm)의 함량이 대폭 감소하고 $2.5\phi$(i.e., 0.177 mm)가 절대적으로 우세한 조립화 경향이 발생하였다. 마찬가지로 표층퇴적물 평균 입도는 서쪽 해빈에서는 두 조사의 차이가 거의 미약하지만, 동쪽 해빈의 평균입도는 증가되어 조립화된 특징을 반영한다. 이러한 조립화는 2006년 5월에 진우도의 동쪽 해빈의 표층퇴적물에서 상대적으로 양의 값으로 변화된 왜도 경향과 일치한다. 결과적으로 2005년 겨울을 지나면서 진우도의 표층퇴적물은 서쪽 해빈은 큰 변화를 보이지 않는 반면에 동쪽 해빈은 $3.0\phi$(i.e., 0.125 mm)의 세립 사질퇴적물이 제거되는 현저한 조립화 경향이 나타난 것이다. 이와 같은 변화는 낙동강 하구역에 하계동안 증가된 강수량과 낙동강 방출량 그리고 동계동안 우세한 파랑 그리고 조석의 영향 등이 복합적으로 작용하여 진우도 서쪽 해빈과 동쪽 해빈의 표층퇴적물에 영향을 주는 수리학적 조건과 퇴적물의 공급/제거가 다르기 때문이다.
자유면대수층의 수리전도도와 전기비저항 사이의 상관관계를 도출하기 위하여 입자크기가 비교적 균일한 주문진표 준사와 여러 가지 입자크기의 유리구슬을 대상으로 정수위 투수 시험과 전기비저항 측정을 실시하였다. 첫 번째 실험에서는 주문진표준사의 입자배열의 변화에 따라서 그리고 두 번째 실험에서는 유리구슬의 입도 변화에 따라서 공극률, 수리전도도, 전기비저항간의 변화를 파악하였다. 그 결과, 첫 번째 실험에서는 주문진표준사의 다짐정도가 커질수록 공극의 크기와 공극률은 감소하기 때문에, 수리전도도는 작아지고 전기비저항은 커지는 경향을 보였다. 두 번째 실험에서는 유리구슬의 입자크기가 커질수록 공극의 크기는 커지지만 공극률은 작아졌으며, 수리전도도와 전기비저항은 모두 증가하는 경향을 보였다. 따라서 입자배열이 입방체 배열에서 능면체 배열로 변화할 때 수리전도도와 전기비저항은 반비례관계를 나타내는 반면, 입자 크기가 커지면 수리전도도와 전기비저항은 비례관계를 나타내는 것으로 밝혀졌다.
Kim, Han-Soo;Kim, Si-Hyung;Lee, Young-Woo;Na, Sang-Ho
Nuclear Engineering and Technology
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제28권5호
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pp.458-466
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1996
The effects of dopants on the modification of microstructure of UO$_2$ and UO$_2$-4wt%CeO$_2$ sintered pellets have been studied in hydrogen and $CO_2$/CO mixture atmospheres by using $Ta_2O_5$, TiO$_2$ and $Nb_2O_5$ as sintering additives. The dopant were added as oxide powders and homogenized by attrition milling. The mixed powders were pressed, and then sintered in hydrogen at 1$700^{\circ}C$ , or in oxidizing atmosphere using Controlled $CO_2$/CO mixtures at 125$0^{\circ}C$. Both density and microstructure of UO$_2$ are modified by the addition of dopants in reducing atmosphere. The sintered density is increased with $Ta_2O_5$ addition up to 0.33wt% and subsequently decreased with higher content of the additive. The effect on the densification and the gain growth are apparent with the addition of 0.24wt% $Nb_2O_5$. With 0.lwt% titania and 0.6wt% $Ta_2O_5$, the sintered density is decreased, but the grain size is increased. In oxidizing atmosphere, the grain sizes for UO$_2$ doped with the above additives are smaller than that for pure UO$_2$. The grain size of Ta or Nb-doped UO$_2$ is decreased with increasing $CO_2$/CO ratio, but that of pure UO$_2$or T-doped UO$_2$ is increased. A large portion of second phases is observed in UO$_2$ doped with 0.lwt% TiO$_2$ sintered in hydrogen atmosphere, while, in $CO_2$/CO atmospheres, the second phases or dopant agglomerates are not observed. For UO$_2$-4wt%CeO$_2$ mixed oxide, the effect of additives on the gain growth is not so much as that for the pure UO$_2$. This is attributed to the formation of clusters by dopant cations and Ce ions, so that the additives contribute to a lesser exent to the grain growth for the mixed oxide.
평균입자크기가 서로 다른 WC-Co계 모재위에 고온 열처리법과 화학적 에칭방법을 이용하여 다이아몬드 막을 코팅하고 압흔법을 통해 그 접착력(adhesion strength)을 평가하였다. $1450^{\circ}C$의 고온 열처리 방법에 의해 준비된 WC-Co 시편표면에서는 WC 입자가 성장하였으며, 그 결과 20$\mu$m 이상의 다이아몬드 막이 증착된 경우에도 100kg의 하중에서도 우수한 접착력이 얻어졌다. 그러나, 모재 표면입자의 과도한 입성장으로 시편 인선부에는 변형이 발생하였으며, 증착된 다이아몬드 막은 거친 표면조도를 보였다. 이와 비교하여, 화학적 부식의 경우에는 submicron 크기의 WC 입자를 제외하고, 2$\mu$m 이상의 WC 입자를 가지는 모재를 이용하여 10$\mu$m의 다이아몬드 코팅막을 증착시킨 경우에는, 60kg의 하중에서도 양호한 접착력이 유지되었다 특히, WC 입자가 클수록 접착력의 신뢰성이 대폭 향상되었다. 이는 수 $\mu$m 이내의 비교적 얇은 두께의 다이아몬드 막을 증착하는 경우 화학적 에칭방법이 시편 형상의 변형을 방지하고, 양호한 표면조도를 얻을 수 있어 고온 열처리 방식에 비해 효과적임을 의미한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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