Ultra thin tantalum nitride (TaNx) films with various thicknesses (10 nm to 40 nm) have been deposited by rf magnetron sputtering technique on glass substrates. The as deposited films were systematically characterized by several analytical techniques such as X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, field emission scanning electron microscopy, atomic force microscopy, UV-Vis-NIR double beam spectrophotometer and four point probe method. From the XRD results, the as deposited films are in amorphous nature, irrespective of the film thicknesses. The films composition was changed greatly with increasing the film thickness. SEM micrographs exhibited the densely pack microstructure, and homogeneous surface covered by small size grains at lower thickness deposited films. The surface roughness of the films was linearly increases with increasing the films thickness, consequently the transmittance decreased. The absorption edge was shifted towards higher wavelength as the film thickness increases.
Double skin façade is known that several features affected the building energy and daylighting performance. That is why the envelope is able to consist of all architectural materials such as glass, aluminum, wood and insulation for vision of residents and workers in buildings. Its specifications is very diverse according to the building designers and building owners. In recent times, visual environment became a major focus and resulted in the development of cutting edge engineering of diverse glazing systems and shading devices by growing interests of friendly environment. Thus this research has evaluated the fluctuations of interior lighting and atmospheric conditions based on double skin facade systems. Especially in terms of daylighting environment as dependent on solar variations, this research provides quantitative analysis of interior lighting conditions and how it affects the living conditions as well as improve the design of interior spaces.
In this work, we studied the characteristics of nitride films for the optimization of PMD(pro-metal dielectric) linear process, which can be applied to the recent semiconductor manufacturing process. We split the deposit condition of nitride films into four parts such as PO(protect overcoat) nitride, baseline, low hydrogen and high stress and low hydrogen, respectively. We tried to find out correlation between BPSG deposition and densification. In order to analyze the changes of Si-H and Si-NH-Si bonding density, we used FTIR area method. We also investigated the crack generation on wafer edge after BPSG densification, and the changes of nitride film stress as a function of RF power variation to judge whether the deposited films.
The IR spectra of he heavy metal fluoride glasses showed peaks at $1, 400cm^{-1}$ or $1, 100cm^{-1}$ due to metal oxyfluoride impurities. The intensity of this band and hence the oxide impurity content of the glass could be reduced considerably by the use of reactive atmosphere melting under $CCl_4$ In comparison with the fundamental IR absorption band of heavy metal oxides the oxide impurity bands observed in the heavy metal fluoride glasses are multiphonon bands due to a 2-phonon absorption process. The envelope of the a vs. v curve beyond thue fundamental region shows the exponential fall off of a with increasing v-typical of intrinsic multiphonon absorption. In the multiphonon region the amount of structure is intermediate between that observed for covalent solids and that for ionic solids.
ZnO:Al transparent conductive films were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering technique and annealed by rapid thermal annealing system. The influence of annealing time on the structural, electrical, and optical properties of ZnO:Al thin films was investigated by atomic force microscopy, X-ray diffraction, Hall method and optical transmission spectroscopy. As the annealing time increases from 0 to 5 min, the crystallinity is improved, the root main square surface roughness is decreased and the sheet resistance is decreased. The lowest sheet resistance of ZnO:Al thin film is 90 ohm/sq. The reduction of sheet resistance is caused by increasing carrier concentration due to substituent Al ion. All films are transparent up to 80% in the visible wavelength range and the adsorption edge is a blue-shift due to Burstein-Moss effect with increasing annealing time.
ZnO:Ga thin films were deposited by RF magnetron sputtering technique from ZnO (3 wt.% $Ga_2O_3$) target onto glass substrates under various RF power. The influence of RF power on the structural, electrical, and optical properties of ZnO:Ga thin films was investigated by X-ray diffraction, atomic force microscopy, Hall method and optical transmission spectroscopy. As the RF power increases from 50 to 110W, the crystallinity is deteriorated, the root main square surface roughness is decreased and the sheet resistance is increased. The increase of sheet resistance is caused by decreasing carrier concentration due to interstitial Ga ion. All films are transparent up to 80% in the visible wavelength range and the adsorption edge is a red-shift with increasing RF power.
CdS films were deposited on glass substrates by R.F. magnetron sputtering method and the films were annealed at various substrate temperatures ranging from room temperature to $300^{\circ}C$. Structural properties of the films were studied by X-ray diffraction analysis. The structural parameters as crystallite size have been evaluated. The crystallite sizes were found to increase, and the X-ray diffraction patterns were seen to sharpen by increasing substrate temperatures. X-ray diffraction patterns of these films indicated that they contain both cubic (zincblende) and hexagonal (wurtzite) structures as a mixture. Optical properties of the films were measured at room temperature by using UV/VIS spectrometer in the wavelength range of 190 to 1100nm and optical absorption coefficients were calculated using these data. The energy gap of the films was found to decrease, and the band edge sharpness of the optical absorption was seen to oscillate by annealing. The results show that heat treatments under optimal annealing condition can provide significant improvements in the properties of CdS thin films.
We studied the structural and optical characterization of zinc sulfide (ZnS) thin films by RF magnetron sputtering on glass substrates. The substrate temperature was varied in the range of 100$^{\circ}C$ to 400$^{\circ}C$. The XRD analyses indicated that ZnS films had cubic structures with (111) preferential orientation and grain size varied from 20 to 60 nm, increasing with substrate temperatures. The optical properties were carried out by UV-visible spectrophotometer. Transmission measurement showed that the films had more than 70% transmittance in the wavelength larger than 400 nm, and the absorption edge shifted to shorter wavelength with the increase of substrate temperatures.
We report a covalent functionalization of graphene nanoparticles (GnPs) employing 2,3,4-Tri-O-acetyl-${\beta}$-D-xylopyranosyl azide followed by fabrication of an epoxy/functionalized graphene nanocomposite and an evaluation of its thermo-mechanical performance. Successful functionalization of GnP was confirmed via thermal and spectroscopic study. Raman spectroscopy indicated that the functionalization was on the edge of the graphene sheets; the basal plane was not perturbed as a result of the functionalization. The epoxy/functionalized GnP composite system exhibited an increase in flexural modulus (~18%) and glass transition temperature (${\sim}10^{\circ}C$) compared to an un-functionalized GnP based epoxy composite.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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