• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.240-242
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• 1994

Spectroscopic ellipsometry(SE) was employed to characterize the Si/$Si_{1-x}Ge_x$ heterostructure. The dielectric function spectrum of $Si_{1-x}Ge_x$ at an arbitrary x value in the spectral range of $1.5{\sim}4.5\;eV$ was computed by EMA (effective medium approximation) model using the available optical constants measured at a number of fixed x values of Ge composition. The thickness and the Ge composition of $Si_{1-x}Ge_x$ measured by SE was compared with those measured by RBS. DC bias effect on the $E_2$ peak of dielectric function spectra was studied.

• 한국재료학회지
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• 제18권2호
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• pp.61-64
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• 2008

Electrical optical switching and structural transformation of $Ge_{15}Sb_{85}$, $Sb_{65}Se_{35}$ and N2.0 sccm doped $Sb_{83}Si_{17}$ were studied to investigate the phase change characteristics for PRAM application. Sb-based materials were deposited by a RF magnetron co-sputtering system and the phase change characteristics were analyzed using an X-ray diffractometer (XRD), a static tester and a four-point probe. Doping Ge, Se or Si atoms reinforced the amorphous stability of the Sb-based materials, which affected the switching characteristics. The crystallization temperature of the Sb-based materials increased as the concentration of the Ge, Se or Si increased. The minimum time of $Ge_{15}Sb_{85}$, $Sb_{65}Se_{35}$ and N2.0 sccm doped $Sb_{83}Si_{17}$ for crystallization was 120, 50 and 90 ns at 12 mW, respectively. $Sb_{65}Se_{35}$ was crystallized at $170^{\circ}C$. In addition, the difference in the sheet resistances between amorphous and crystalline states was higher than $10^4{\Omega}/{\gamma}$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권3호
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• pp.183-189
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• 2013

The chalcogenide glass has superior optical properties in IR region transmittances. We have determined the composition of GeSbSe chalcogenide glass for the application of good IR lenses, resulting in the composite rate of $Ge_{19}Sb_{23}Se_{58}$. The optical, structural, thermal and physical properties were measured by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), X-ray diffraction (XRD), Differential scanning calorimeter (DSC), X-ray computed tomography (X-ray CT) respectively. The fabrication of the chalcogenide glass lens for infrared optics applications was proposed using a diamond turning machining technology which is known as the suitable ways for the production cost reduction and the accurate fabrication process control.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권11호
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• pp.3217-3220
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• 2010

The electronic structures and bonding configuration of histidine on Ge(100) have been investigated with various sample treatments using core-level photoemission spectroscopy (CLPES). Interpretation of the Ge 3d, C 1s, N 1s, and O 1s core level spectra being included in these systems revealed that both the imino nitrogen in the imidazole ring and the carboxyl group in the glycine moiety concurrently participate in the adsorption of histidine on a Ge(100) surface at 380 K. Moreover, we could clearly confirm that the imino nitrogen with a free lone pair in the imidazole group adsorbs on Ge(100) more strongly than the carboxyl group in the glycine moiety by examining systems annealed at various temperatures.

• 한국광학회지
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• 제8권6호
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• pp.445-449
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• 1997

비정질상과 결정상으로 가역변화하는 특성을 이용하여, 기존의 읽기전용 기록매체인 Compact Disk(CD)를 대체할 차세대 광기록매체로 주목받고 있는 Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$(GST)의 상태변화에 따른 굴절율과 소광계수, 박막의 두께와 밀도 등 박막상수들을 구하였다. DC 스퍼터링방법으로 제작한 두꺼운 GST의 복소굴절율을 양자역학적 분산식을 이용한 모델링방법으로 구하고, 한편으로는 표면미시거칠기를 AFM(Atomic Force Microscopy)으로 결정한 다음, 타원해석 스펙트럼들을 수치해석적 역방계산하여 구한 복소굴절율과 비교하였다. 결정상과 비정질상일 때의 GST의 복소굴절율을 각각 구하고 이로부터 계산된 반사율을 측정된 반사율과 비교함으로써 수치해석적인 방법이 실제 GST의 복소굴절율과 더 일치하는 값ㅇㄹ 가지게 됨을 확인하였다. 이렇게 구한 GST의 복소굴절율을 기준데이터로 사용하여 실제 설계두께를 가지는 GST박막의 두께 및 표면거칠기층을 정량적으로 구하였다.다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.106-107
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• 2007

A detailed investigation of cell structure and electrical characteristic in chalcogenide-based phase-change random access memory(PRAM) devices is presented. We used compound of Ge-Se-Te material for phase-change cell. Actually, the performance properties have been improved surprisingly then conventional Ge-Sb-Te. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this experiment in order to solve that problem by doping-Sb with annealing.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1988년도 추계학술대회 논문집
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• pp.91-94
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• 1988

This paper is investigated on the diffraction grating formation of the amorphous As-Se-S-Ge films. AS$\_$40/Se$\_$15/S$\_$36/Ge$\_$10/ film of thickness 0.76 $\mu\textrm{m}$ has achieved a high diffraction efficiency of 4.6%. In this film, high diffraction efficiency is increased to 18% by chemical etching.

• 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
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• 제28권1호
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• pp.25-32
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• 2005

목 적 : 마스카라와 아이섀도가 자기공명영상 획득시 artifact를 어느 정도 일으키는가를 알아보고, pulse sequence에 따른 영상 왜곡의 차이를 비교하고자 한다. 대상 및 방법 : 실제 국내 여성들이 많이 사용 중인 3개 제조사의 제품 중 마스카라(M1, M2, M3)와 아이섀도(E1, E2, E3)를 선별하여 사용하였다. 자체 제작한 내경이 4 cm, 코일의 길이가 8 cm인 Tx/Rx 겸용의 quadrature type의 안장 코일을 사용하였다. 실험 1에서는 마스카라를 실험 2에서는 아이섀도를 실험 3에서는 마스카라에 아이섀도를 덧바른 후 영상을 획득하였다. Pulse sequence는 FSE(fast spin echo), SE(spin echo), GE(gradient echo)기법을 적용하였으며, 나타난 artifacts는 axial상에서 폭, sagittal상에서 길이를 각각 측정하였다. 각 sequence별로 측정된 영상왜곡 정도를 정량적 및 정성적으로 분석하였다. 결 과 : 마스카라와 아이섀도가 자기공명영상에서 부분적으로 artifact가 발생되어 영상왜곡을 유발하였다. Pulse sequence에 따른 artifact의 유발 정도도 다소 차이가 나타났다. 마스카라에 아이섀도를 덧바른 실험 3에서는 axial상에서 GE sequence에서 16.73 mm, SE에서 6.64 mm, FSE에서 6.19 mm의 폭으로 GE 기법에서 가장 많이 유발되었으며, SE, FSE 기법 순으로 높게 나타났다. sagittal상에서 GE sequence에서 22.84 mm, SE에서 18.15 mm, SE에서 17.81 mm의 길이로 GE 기법에서 가장 많이 유발되었으며, SE, FSE 기법 순으로 낮게 나타났다. 결 론 : 마스카라와 아이섀도로 화장한 여성의 뇌 및 안구 영상검사시 artifact가 영상진단에 영향을 미치는 것으로 판단된다. 뇌 및 안구 T2 강조영상을 얻고자 하는 경우는 pulse sequence를 GE보다 FSE 기법을 사용하는 것이 적합한 것으로 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제37회 하계학술대회 초록집
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• pp.252-252
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• 2009

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 전기.전자공학 학술대회 논문집(I)
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• pp.525-527
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• 1987