• 한국진공학회지
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• 제17권6호
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• pp.495-500
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• 2008

Ne+Ar의 혼합 기체와 수은이 주입된 세관 형광램프에서 플라즈마의 형성에 필요한 기체 수은의 량을 계산하였다. 전자($kT_e{\sim}1\;eV$)와 중성 원자(Ne, Ar, Hg)들과의 충돌에 의한 각 원자들의 이온화를 계산하여, 양광주 플라즈마의 밀도($n_o{\sim}10^{17}m^{-3}$)를 생성하는 조건으로부터 기체 수은 원자의 밀도 $3.43{\times}10^{22}m^{-3}$을 얻었다. $32{\sim}42$ 인치 LCD-TV용 액정표시장치에 사용되는 직경이 4 mm인 형광램프의 혼합 기체 Ne(95%)+Ar(5%) 50 Torr에 대하여, 글로우 방전에 필요한 기체 수은의 량은 $0.02{\sim}0.08\;mg$으로 계산되었다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제10권6호
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• pp.477-486
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• 2017

무전극 램프의 광학적 특성 분석을 위한 연구에서는 램프 표면의 온도를 모두 동일하게 취급해 왔었다. 그러나 이러한 방법에 의해 광학적 특성을 해석하는 것은 정확도를 고려할 때 충분하지 않은 문제점을 가지고 있었다. 본 논문에서는 이러한 문제를 극복하고자 벌브 내부를 열점과 냉점의 두 부분으로 나누어 서로 다른 온도에 의한 수은의 밀도차이를 분석하였다. 여기서는 온도와 밀도의 분포가 선형적임을 가정하였다. 열점과 냉점의 밀도의 재분배를 통한 광 특성의 영향을 분석하였다. 또한, 재분배된 방전기체 간의 밀도의 비가 광 특성의 포화에 지대한 영향을 미치고 있음도 확인하였다. 따라서 가정을 통한 설계 방법이 실제의 설계에서 매우 유용함을 입증하였으며, 또한 광 특성이 안정되는 시간을 단축하는 방법에 대한 성과도 확보하였다. 이러한 결과를 토대로 원통형 무전극 방전램프의 효율적인 설계의 한 방안을 제시하였다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제10권1호
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• pp.31-37
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• 2017

본 논문에서는 고출력 무전극 램프 시스템 개발에서 램프 내에 가스종류, 혼합비, 압력과 방전관 사이즈, 아말감종류 및 혼합비, 페라이트코어의 특성등의 최적화를 통한 램프 설계 부분을 연구하였다. 또한 구동방식에 따른 점등회로의 역율 및 효율개선, 파형이나 인가 주파수에 따른 특성 분석을 통한 점등회로설계 부분 등을 고려하였으며, 최종적으로 주변 환경을 고려 무전극 등기구 설계를 수행 하였다. 고출력 무전극 램프용 점등회로의 설계를 통한 특성분석을 진행하여 개선 보완을 통하여 효울을 향상 시켰으며 점등회로의 구동주파수에 따른 무전극 램프의 광학적 특성 및 시스템 영향을 확인한 결과, $7{\sim}10^{\circ}C$ 정도 낮은 특성의 135kHz로 구동하는 점등회로를 최적화하였다. 실험적으로 Peak Noise 발생으로 인한 FET(Q3,Q4) demage 현상을 개선하였다. 최종적으로 무전극램프용 점등회로 최종 설계도을 통해 약 2~3배 이상의 수명을 확보함으로써 안정기의 신뢰성 및 무전극 램프 시스템의 효율이 높음을 알 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제17권6호
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• pp.481-486
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• 2008

나트륨(Na) 함유량이 다른 세 종류의 유리관인 Borosilicate($Na_2O$ 4%), Soda-Lime($Na_2O$ 14%), 그리고 Aluminosilicate($Na_2O$ 0.06%) 유리관의 방전 실험을 통하여 유리관 내벽의 흑화를 관측하였다. 수은 혼합기체(Ne+Ar+Hg)의 방전에서 나트륨 함유량이 많은 유리관일수록 흑화가 심하게 나타난다. 무수은 가스(Ne+Ar)의 방전에서는 흑화가 나타나지 않는다. 나트륨 함유량이 많은 수은 방전 램프에서 봉입 기체의 압력이 작을수록 흑화의 정도가 커진다. 흑화 방지재를 도포한 유리관은 흑화가 미약하게 나타난다. 이 실험을 통하여 흑화는 유리재의 나트륨 성분과 수은 이온의 결합에 의한 아말감($NaHg_2$)이 유리관 내벽에 형성된 것으로 분석된다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제21권4호
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• pp.106-109
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• 2022

The green-emitting Zn₂SiO₄:Mn²⁺ phosphor film was evaluated in a xenon excimer lamp. The phosphor film with 2 ㎛ thick was formed of monolithic structure on the inner side of quartz through a long-time annealing process of coated ZnO solution doped with Mn²⁺ ion and SiO₂ of quartz tube. The coated quartz was filled with 100 torr of xenon gas, and simultaneously both sides was melt and sealed. The xenon-field quartz tube was discharge by applying the voltage of 15 kV with a frequency of 26 kHz, and emitted the glow with dominant peak at 172 nm. The vacuum ultraviolet excited the inner-side coated Zn₂SiO₄:Mn²⁺ phosphor film, which emitted the pure and strong green light.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1762-1764
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• 2001

대기환경오염물질인 NO가스의 제거를 위하여 방전관을 채용한 3전극-2갭 방식의 새로운 형태의 오존발생기를 설계 제작하였다. 본 논문에서는 원료가스의 유량, 방전전력 및 오존발생기의 사용 개수 변화에 따른 방전특성과 오존생성특성을 연구검토하였으며, 오존발생기로부터 생성된 오존을 NO가스에 접촉시켰을 때 NO 제거특성이 우수하여 방전관형 오존발생기가 대기환경개선 설비로 적용가능함을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.492-494
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• 2002

The fundamental principles of the operation of microwave discharges that are used to convert microwave energy to broad spectrum visual light are known. In this paper, emission dependance of microwave discharges in mixture content of sulfur with noble gases was studied. It is shown that the excitation of this gaseous mixture is carried out in two phases: (1) ionization of noble gas atoms by a microwave field and (2) the consequent maintenance of slightly ionized nonequilibrium plasma by the field. These two processes have essentially various thresholds for the microwave pump. The purpose of this work is to investigate spectral properties of the high frequency discharges in a mixture sulfur vapors with noble gases.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.105-105
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• 2012

We have developed a photoemission-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition (PAPE-CVD) [1,2], in which photoelectrons emitting from the substrate surface irradiated with UV light ($h{\nu}$=7.2 eV) from a Xe excimer lamp are utilized as a trigger for generating DC discharge plasma as depicted in Fig. 1. As a result, photoemission-assisted plasma can appear just above the substrate surface with a limited interval between the substrate and the electrode (~10 mm), enabling us to suppress effectively the unintended deposition of soot on the chamber walls, to increase the deposition rate, and to decrease drastically the electric power consumption. In case of the deposition of DLC gate insulator films for the top-gate graphene channel FET, plasma discharge power is reduced down to as low as 0.01W, giving rise to decrease significantly the plasma-induced damage on the graphene channel [3]. In addition, DLC thickness can be precisely controlled in an atomic scale and dielectric constant is also changed from low ${\kappa}$ for the passivation layer to high ${\kappa}$ for the gate insulator. On the other hand, negative electron affinity (NEA) of a hydrogen-terminated diamond surface is attractive and of practical importance for PAPECVD, because the diamond surface under PAPE-CVD with H2-diluted (about 1%) CH4 gas is exposed to a lot of hydrogen radicals and therefore can perform as a high-efficiency electron emitter due to NEA. In fact, we observed a large change of discharge current between with and without hydrogen termination. It is noted that photoelectrons are emitted from the SiO2 (350 nm)/Si interface with 7.2-eV UV light, making it possible to grow few-layer graphene on the thick SiO2 surface with no transition layer of amorphous carbon by means of PAPE-CVD without any metal catalyst.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.441-443
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• 2005

According as CCFL(Cold Cathode Fluorescent lamp) of light source in Backlight unit for Note PC (Personal computer) is presently needed to low power consumption and long life time, the development focus of CCFL is going on the discharge gas, phosphor and electrode material. First of all, discharge voltage characteristic of CCFL is closely connected with electrode material For low discharge voltage, the characteristic of electrode material is needed to low work function, low sputtering ratio and superior manufacturing property. We developed new CCFL with Nb/Ni Clad electrode superior to conventional CCFL. Because Nb/Ni Clad electrode with Ni material and Nb material, the electrical characteristic is superior to other electrode materials. The electrode of Nb/Ni Clad is composed that Ni of outside material has superior manufacturing property and Nb of inside material has low work function. Nb/Ni Clad of new electrode material is made by process of Rolling mill at high pressure and heat treatment. We compared electrical characteristic of Nb/Ni clad electrode with conventional Mo electrode by measurement. Mo electrode and Nb/Ni Clad electrode of cup type with diameter 1.1 mm and length 3.0mm are used to this experiment. Material content of Mo electrode is Mo 100%. But, Nb/Ni Clad electrode is composed by content of Nb 40% and Ni 60%. The result of comparison measurement between new CCFL with Nb/Ni Clad electrode and conventional CCFL was appeared that CCFL with Nb/Ni Clad electrode had superior characteristic than conventional CCFL. As a result of experiment, we completed Note PC with low power consumption and long life time by application of new CCFL with Nb/Ni Clad electrode.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제38권1호
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• pp.48-55
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• 2014

UV 발생용 플래시램프의 전원공급장치는 강력한 아크방전을 유발하기 위하여 높은 승압 비를 갖는 전압변환회로를 가지고 있다. 일반적인 구조는 높은 승압비의 트랜스포머와 배전압정류방식(코크라프트 올튼 회로 등)으로 방전관의 절연을 파괴함과 동시에 방전관에 전류를 급격히 통과시키는 방식으로 구동한다. 이 때, 제논방전관의 방전특성상 입력전류를 제한하지 않으면 방전관의 과다 발열, 전극손실, 봉입기체의 산화가속 등으로 수명저하의 원인이 되므로, 반드시 방전관에 유입되는 전류를 제한해야 되며, 이를 Ballast라 하는데 일반적으로 인덕터나 저항을 사용하여 인입전류량을 제한한다. 트랜스포머의 자가 공진(self-resonance)을 이용하면 낮은 1, 2차권선 비에도 고유주파수의 전후에서 비교적 높은 피크 전압을 얻을 수 있다. 또한 트랜스포머의 특정주파수에서 고유임피던스 성분을 이용하여 출력전압을 필터링하면 제논방전관이 자가 발진방식으로 동작하므로 종래의 회로구성보다 간단하고 경제적인 아크방전 파워 스테이지의 구성이 가능하다.