• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제29권2호
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• pp.372-376
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• 2008

The hydrolysis of gallium(III) has been studied using potentiometric techniques under physiological conditions of temperature 37 C and ionic strength 0.15 moldm-3 NaCl and at different metal ion concentrations. Changes in pH were monitored with a glass electrode calibrated daily in hydrogen ions concentrations. The titration data within the pH range of 2.5-9.99 were analyzed to determine stability constants of hydroxide species using the SUPERQUAD program. Several different species were considered during the calculation procedure and the following hydroxides have been characterized: Ga(OH)3, Ga(OH)4- Ga3(OH)112-, Ga4(OH)11+ and Ga6(OH)153+. Speciation calculations based on the determined constants were then used to simulate the species distribution.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.127-137
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• 2004

We have investigated the structures, the energetic, and the nanomechanics of the single-wall boron-, aluminum-, and gallium-nitride nanotubes using atomistic simulations based on the Tersoff-type potential. The Tersoff-type potential for the III-nitride materials has effectively described the properties of the III-nitride nanotubes. Nanomechanics of boron-, aluminum-, and gallium-nitride nanotubes under the compression loading has been investigated and their Young's moduli were calculated.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권4호
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• pp.148-151
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• 2011

We designed and fabricated aluminium gallium nitride (AlGaN)/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with stable reverse blocking characteristics established by employing a selective fluoride plasma treatment on the drainside gate edge region where the electric field is concentrated. Implanted fluoride ions caused a depolarization in the AlGaN layer and introduced an extra depletion region. The overall contour of the depletion region was expanded along the drift region. The expanded depletion region distributed the field more uniformly and reduced the field intensity peak. Through this field modulation, the leakage current was reduced to 9.3 nA and the breakdown voltage ($V_{BR}$) improved from 900 V to 1,400 V.

• 한국결정학회지
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• 제9권2호
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• pp.131-137
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• 1998

결정결함의 밀도가 낮은 GaN epitaxy 막을 MOCVD(metal organic chemical vapour deposition) 방법에 의해 성장시켰다. 기판은 6H-SiC를 사용하였으며, AlN과 GaN으로 구성된 이중 buffer 층을 도입하였다. GaN buffer 층은 반응원료인 trimethyl gallium(TMG)과 NH3 가스를 교호식펄스공급(alternating pulsative supply, APS)방법에 의해 만들었다. AlN buffer/6H-SiC 위에 초기단계에 형성되는 GaN 섬은 APS처리에 의해 크기가 커지는 것을 AFM(atomic force microscope)으로 관찰하였다. Buffer 층의 역할은 그 위에 성막시킨 GaN epitaxy 막의 결정성과 결함밀도에 의해 조사하였다. 성막된 GaN의 결정구조와 결정성은 DCXRD(double crystal X-ray diffractormeter)에 의해 측정되었다. 결정결함은 EPD(etching pit density)를 측정하는 방법으로 알칼리혼합용에서 처리된 막을 SEM(scanning electron microscope)으로 관찰하였다.

• Journal of Power Electronics
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• 제9권1호
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• pp.36-42
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• 2009

This paper presents a review of an improved high power-high frequency III-V wide bandgap (WBG) semiconductor device, Gallium Nitride (GaN). The device offers better efficiency and thermal management with higher switching frequency. By having higher blocking voltage, GaN can be used for high voltage applications. In addition, the weight and size of passive components on the printed circuit board can be reduced substantially when operating at high frequency. With proper management of thermal and gate drive design, the GaN power converter is expected to generate higher power density with lower stress compared to its counterparts, Silicon (Si) devices. The main contribution of this work is to provide additional information to young researchers in exploring new approaches based on the device's capability and characteristics in applications using the GaN power converter design.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제14권1호
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• pp.10-16
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• 1982

액체특성구조이론을 액체 갈륨의 구조와 성질연구에 적용하였다. 이 연구에서 액체 Ga 속에는 $\beta$-Ga와 비슷한 구조와 $\alpha$-Ga와 비슷한 구조의 두가지가 있다는 가정을 하여 액체분배함수를 구하였다. 이를 사용하여 넓은 온도 범위에서 액체 Ga의 열역학적 및 수송학적 성질을 구하였다. 계산결과는 실험치와 잘 일치함을 보여주고 있다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제2권4호
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• pp.138-141
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• 1981

The rate of the bromine-exchange reaction between gallium bromide and i-butyl bromide in 1,2,4-trichlorobenzene or nitrobenzene was measured at 19, 25 and $40^{\circ}C$, using i-butyl bromide labelled with Br-82. The results indicated that the exchange reaction was second order with respect to gallium bromide and first order with respect to i-butyl bromide. The third-order rate constant determined at $19{\circ}C$ was $3.28{\times}10^{-2}l^2{\cdot}mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$ in 1,2,4-trichlorobenzene and $9.25{\times}10^{-3}l^2{\cdot}mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$ in nitrobenzene. The activation energy, the enthalpy of activation and the entropy of activation for the exchange reaction were also determined.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제2권3호
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• pp.86-89
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• 1981

The rate of the bromine-exchange reaction between gallium bromide and n-propyl bromide in 1,2,4-trichlorobenzene and in nitrobenzene was measured at 19, 25 and $40^{\circ}C$, using n-propyl bromide labelled with Br-82. The results indicated that the exchange reaction was second order with respect to gallium bromide and first order with respect to n-propyl bromide. The third-order rate constant determined at $19^{\circ}C$ is $2.9{\times} 10^{-2}l^2{\cdot}mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$ in 1,2,4-trichlorobenzene and $4.5{\times}10^{-3}l^2{\cdot}mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$. in nitrobenzene. The activation energy, the enthalpy of activation and the entropy of activation for the exchange reaction were also determined. Reaction mechanism for the bromine exchange of n-propyl bromide seemed to be similar to those observed in earlier studies with other alkyl bromides.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제44권4호
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• pp.535-539
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• 2016

제주도 넙치 양식장에서 주로 발생하는 어류질병세균인 S. parauberis, S. iniae, E. tarda에 대한 피해를 줄이고자 갈륨을 이용하여 어류질병세균을 억제하고자 한다. 본 연구진은 Sp, Si, Et의 생육도와 biofilm 형성능을 확인하였으며, 세균의 성장도와 biofilm 형성능간의 특정한 패턴은 없었으며 세균의 성장도가 높다 하더라도 biofilm을 활발히 형성하지 않음을 알 수 있었다. 어류질병세균이 형성하는 biofilm을 저해하기 위해 갈륨을 2.0, 4.0, 8.0 mg/ml로 첨가하여 저해능을 확인한 결과 72시간째 biofilm의 형성이 크게 저해되는 것을 확인하였다. 또한 biofilm을 저해하는 동시에 균주의 사멸능을 확인하기 위해 resazurin assay와 propidium iodide를 이용하여 염색한 결과 갈륨의 농도에 따라 균주의 사멸이 증가하는 것을 확인하였다. 이에 따라 in vitro 상에서 갈륨이 어류질병세균의 biofilm을 억제하는 동시에 균주를 사멸시키는 물질로서 가치가 있다고 사료된다.

• Tuberculosis and Respiratory Diseases
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• 제40권5호
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• pp.558-564
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• 1993

연구배경 : 속립성 결핵은 진단에 있어서 단순 흉부 X-선 사진에서 특징적인 미만성 결절을 보이나 조직학적인 확진이 없을때 이와 같은 미만성 결절을 보이는 다른 질환과의 감별을 요한다. 그러므로 속립성 결핵의 진단을 위한 그 보조적인 수단으로 임상중상, 이학적 소견, 혈청내 Adenosine deaminase, High-resolutional computerized tomogram 등이 이용되어 왔으나 이들은 속립성 결핵의 임상적 정도를 정확하게 반영하지 못하는 것이 사실이다. 이에 일반적으로 염증성 질환에서 양성으로 나타나는 $Ga^{67}$ 주사가 속립성 결핵의 진단에 유용하며 $Ga^{67}$ 주사의 흡수율 정도가 속립성 결핵의 임상 정도와 상관관계가 있으리라 생각한다. 방법 : 조직학적으로 확진된 속립성 결핵 환자를 대상으로 $Ga^{67}$ 주사, 단순 흉부 X-선 사진 및 동맥혈 검사를 실시하였다. 결과 : 1) 속립성 결핵환자 10예에서 폐의 $Ga^{67}$ 섭취율이 정상보다 모두 증가되어 있는 것으로 나타났다. 2) 단순 흉부 X-선사진에서 등급이 높을수록 $Ga^{67}$ 주사의 등급도 증가되어 이 둘사이에 유의한 상관관계가 있음을 보였다. 3) $Ga^{67}$ 주사의 섭취율이 높은 환자일수록 동맥혈검사상 저산소증이 더 심한 것이 관찰되므로 $Ga^{67}$ 주사의 등급이 속립성 결핵의 임상 정도와 비례함을 보였다. 결론 : 단순 흉부 X-사진상 미만성 결절을 보이는 경우 $Ga^{67}$ 주사는 속립성 결핵에서 모두 $Ga^{67}$ 섭취율이 증가되었을 뿐만 아니라 $Ga^{67}$ 섭취율에 따른 등급은 임상정도를 반영하는 지표로 사용될 수 있으리라 사료된다.