The hydrolysis of gallium(III) has been studied using potentiometric techniques under physiological conditions of temperature 37 C and ionic strength 0.15 moldm-3 NaCl and at different metal ion concentrations. Changes in pH were monitored with a glass electrode calibrated daily in hydrogen ions concentrations. The titration data within the pH range of 2.5-9.99 were analyzed to determine stability constants of hydroxide species using the SUPERQUAD program. Several different species were considered during the calculation procedure and the following hydroxides have been characterized: Ga(OH)3, Ga(OH)4- Ga3(OH)112-, Ga4(OH)11+ and Ga6(OH)153+. Speciation calculations based on the determined constants were then used to simulate the species distribution.
We have investigated the structures, the energetic, and the nanomechanics of the single-wall boron-, aluminum-, and gallium-nitride nanotubes using atomistic simulations based on the Tersoff-type potential. The Tersoff-type potential for the III-nitride materials has effectively described the properties of the III-nitride nanotubes. Nanomechanics of boron-, aluminum-, and gallium-nitride nanotubes under the compression loading has been investigated and their Young's moduli were calculated.
Kim, Young-Shil;Seok, O-Gyun;Han, Min-Koo;Ha, Min-Woo
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
제12권4호
/
pp.148-151
/
2011
We designed and fabricated aluminium gallium nitride (AlGaN)/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with stable reverse blocking characteristics established by employing a selective fluoride plasma treatment on the drainside gate edge region where the electric field is concentrated. Implanted fluoride ions caused a depolarization in the AlGaN layer and introduced an extra depletion region. The overall contour of the depletion region was expanded along the drift region. The expanded depletion region distributed the field more uniformly and reduced the field intensity peak. Through this field modulation, the leakage current was reduced to 9.3 nA and the breakdown voltage ($V_{BR}$) improved from 900 V to 1,400 V.
결정결함의 밀도가 낮은 GaN epitaxy 막을 MOCVD(metal organic chemical vapour deposition) 방법에 의해 성장시켰다. 기판은 6H-SiC를 사용하였으며, AlN과 GaN으로 구성된 이중 buffer 층을 도입하였다. GaN buffer 층은 반응원료인 trimethyl gallium(TMG)과 NH3 가스를 교호식펄스공급(alternating pulsative supply, APS)방법에 의해 만들었다. AlN buffer/6H-SiC 위에 초기단계에 형성되는 GaN 섬은 APS처리에 의해 크기가 커지는 것을 AFM(atomic force microscope)으로 관찰하였다. Buffer 층의 역할은 그 위에 성막시킨 GaN epitaxy 막의 결정성과 결함밀도에 의해 조사하였다. 성막된 GaN의 결정구조와 결정성은 DCXRD(double crystal X-ray diffractormeter)에 의해 측정되었다. 결정결함은 EPD(etching pit density)를 측정하는 방법으로 알칼리혼합용에서 처리된 막을 SEM(scanning electron microscope)으로 관찰하였다.
Yahaya, Nor Zaihar;Raethar, Mumtaj Begam Kassim;Awan, Mohammad
Journal of Power Electronics
/
제9권1호
/
pp.36-42
/
2009
This paper presents a review of an improved high power-high frequency III-V wide bandgap (WBG) semiconductor device, Gallium Nitride (GaN). The device offers better efficiency and thermal management with higher switching frequency. By having higher blocking voltage, GaN can be used for high voltage applications. In addition, the weight and size of passive components on the printed circuit board can be reduced substantially when operating at high frequency. With proper management of thermal and gate drive design, the GaN power converter is expected to generate higher power density with lower stress compared to its counterparts, Silicon (Si) devices. The main contribution of this work is to provide additional information to young researchers in exploring new approaches based on the device's capability and characteristics in applications using the GaN power converter design.
액체특성구조이론을 액체 갈륨의 구조와 성질연구에 적용하였다. 이 연구에서 액체 Ga 속에는 $\beta$-Ga와 비슷한 구조와 $\alpha$-Ga와 비슷한 구조의 두가지가 있다는 가정을 하여 액체분배함수를 구하였다. 이를 사용하여 넓은 온도 범위에서 액체 Ga의 열역학적 및 수송학적 성질을 구하였다. 계산결과는 실험치와 잘 일치함을 보여주고 있다.
The rate of the bromine-exchange reaction between gallium bromide and i-butyl bromide in 1,2,4-trichlorobenzene or nitrobenzene was measured at 19, 25 and $40^{\circ}C$, using i-butyl bromide labelled with Br-82. The results indicated that the exchange reaction was second order with respect to gallium bromide and first order with respect to i-butyl bromide. The third-order rate constant determined at $19{\circ}C$ was $3.28{\times}10^{-2}l^2{\cdot}mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$ in 1,2,4-trichlorobenzene and $9.25{\times}10^{-3}l^2{\cdot}mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$ in nitrobenzene. The activation energy, the enthalpy of activation and the entropy of activation for the exchange reaction were also determined.
The rate of the bromine-exchange reaction between gallium bromide and n-propyl bromide in 1,2,4-trichlorobenzene and in nitrobenzene was measured at 19, 25 and $40^{\circ}C$, using n-propyl bromide labelled with Br-82. The results indicated that the exchange reaction was second order with respect to gallium bromide and first order with respect to n-propyl bromide. The third-order rate constant determined at $19^{\circ}C$ is $2.9{\times} 10^{-2}l^2{\cdot}mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$ in 1,2,4-trichlorobenzene and $4.5{\times}10^{-3}l^2{\cdot}mole^{-2}{\cdot}sec^{-1}$. in nitrobenzene. The activation energy, the enthalpy of activation and the entropy of activation for the exchange reaction were also determined. Reaction mechanism for the bromine exchange of n-propyl bromide seemed to be similar to those observed in earlier studies with other alkyl bromides.
제주도 넙치 양식장에서 주로 발생하는 어류질병세균인 S. parauberis, S. iniae, E. tarda에 대한 피해를 줄이고자 갈륨을 이용하여 어류질병세균을 억제하고자 한다. 본 연구진은 Sp, Si, Et의 생육도와 biofilm 형성능을 확인하였으며, 세균의 성장도와 biofilm 형성능간의 특정한 패턴은 없었으며 세균의 성장도가 높다 하더라도 biofilm을 활발히 형성하지 않음을 알 수 있었다. 어류질병세균이 형성하는 biofilm을 저해하기 위해 갈륨을 2.0, 4.0, 8.0 mg/ml로 첨가하여 저해능을 확인한 결과 72시간째 biofilm의 형성이 크게 저해되는 것을 확인하였다. 또한 biofilm을 저해하는 동시에 균주의 사멸능을 확인하기 위해 resazurin assay와 propidium iodide를 이용하여 염색한 결과 갈륨의 농도에 따라 균주의 사멸이 증가하는 것을 확인하였다. 이에 따라 in vitro 상에서 갈륨이 어류질병세균의 biofilm을 억제하는 동시에 균주를 사멸시키는 물질로서 가치가 있다고 사료된다.
연구배경 : 속립성 결핵은 진단에 있어서 단순 흉부 X-선 사진에서 특징적인 미만성 결절을 보이나 조직학적인 확진이 없을때 이와 같은 미만성 결절을 보이는 다른 질환과의 감별을 요한다. 그러므로 속립성 결핵의 진단을 위한 그 보조적인 수단으로 임상중상, 이학적 소견, 혈청내 Adenosine deaminase, High-resolutional computerized tomogram 등이 이용되어 왔으나 이들은 속립성 결핵의 임상적 정도를 정확하게 반영하지 못하는 것이 사실이다. 이에 일반적으로 염증성 질환에서 양성으로 나타나는 $Ga^{67}$ 주사가 속립성 결핵의 진단에 유용하며 $Ga^{67}$ 주사의 흡수율 정도가 속립성 결핵의 임상 정도와 상관관계가 있으리라 생각한다. 방법 : 조직학적으로 확진된 속립성 결핵 환자를 대상으로 $Ga^{67}$ 주사, 단순 흉부 X-선 사진 및 동맥혈 검사를 실시하였다. 결과 : 1) 속립성 결핵환자 10예에서 폐의 $Ga^{67}$ 섭취율이 정상보다 모두 증가되어 있는 것으로 나타났다. 2) 단순 흉부 X-선사진에서 등급이 높을수록 $Ga^{67}$ 주사의 등급도 증가되어 이 둘사이에 유의한 상관관계가 있음을 보였다. 3) $Ga^{67}$ 주사의 섭취율이 높은 환자일수록 동맥혈검사상 저산소증이 더 심한 것이 관찰되므로 $Ga^{67}$ 주사의 등급이 속립성 결핵의 임상 정도와 비례함을 보였다. 결론 : 단순 흉부 X-사진상 미만성 결절을 보이는 경우 $Ga^{67}$ 주사는 속립성 결핵에서 모두 $Ga^{67}$ 섭취율이 증가되었을 뿐만 아니라 $Ga^{67}$ 섭취율에 따른 등급은 임상정도를 반영하는 지표로 사용될 수 있으리라 사료된다.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.