• Title/Summary/Keyword: Gain Flatness

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A Study on Implementation and Performance Evaluation of Error Amplifier for the Feedforward Linear Power Amplifier (Feedforward 선형 전력증폭기를 위한 에러증폭기의 구현 및 성능평가에 관한 연구)

  • Jeon, Joong-Sung;Cho, Hee-Jea;Kim, Seon-Keun;Kim, Ki-Moon
    • Journal of Navigation and Port Research
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    • v.27 no.2
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    • pp.209-215
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    • 2003
  • In this paper. We tested and fabricated the error amplifier for the 15 Watt linear power amplifier for the IMT-2000 baseband station. The error amplifier was comprised of subtractor for detecting intermodulation distortion, variable attenuator for control amplitude, variable phase shifter for control phase, low power amplifier and high power amplifier. This component was designed on the RO4350 substrate and integrated the aluminum case with active biasing circuit. For suppression of spurious, the through capacitance was used. The characteristics of error amplifier measured up to 45 dB gain, $\pm$0.66 dB gain flatness and -15 dB input return loss. Results of application to the 15 Watt feedforward Linear Power Amplifier, the error amplifier improved with 27 dB cancellation from 34 dBc to 61 dBc IM$_3$.

The RF Power Amplifier Using Active Biasing Circuit for Suppression Drain Current under Variation Temperature (RF전력 증폭기의 온도 변화에 따른 Drain 전류변동 억제를 위한 능동 바이어스 회로의 구현 및 특성 측정)

  • Cho, Hee-Jea;Jeon, Joong-Sung;Sim, Jun-Hwan;Kang, In-Ho;Ye, Byeong-Duck;Hong, Tchang-Hee
    • Journal of Navigation and Port Research
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    • v.27 no.1
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    • pp.81-86
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    • 2003
  • In the paper, the power amplifier using active biasing for LDMOS MRF-21060 is designed and fabricated. Driving amplifier using AH1 and parallel power amplifier AH11 is made to drive the LDMOS MRF 21060 power amplifier. The variation of current consumption in the fabricated 5 Watt power amplifier has an excellent characteristics of less than 0.1A, whereas passive biasing circuit dissipate more than 0.5A. The implemented power amplifier has the gain over 12 dB, the gain flatness of less than $\pm$0.09dB and input and output return loss of less than -19dB over the frequency range 2.11~2.17GHz. The DC operation point of this power amplifier at temperature variation from $0^{\circ}C$ to $60^{\circ}C$ is fixed by active circuit.

Development of Compact and Lightweight Broadband Power Amplifier with HMIC Technology (HMIC 기술을 적용한 소형화 경량화 광대역 전력증폭기 개발)

  • Byun, Kisik;Choi, Jin-Young;Park, Jae Woo
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.19 no.11
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    • pp.695-700
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    • 2018
  • This paper presents the development of compact and lightweight broadband power amplifier module using HMIC (Hybrid Microwave Integrated Circuit) technology that could be high-density integration for many non-packaged microwave components into the small area of a high dielectric constant printed circuit board, such as a ceramic substrate, also using the special design and fabrication schemes for the structure of minimized electromagnetic interference to obtain the homogeneous electrical performance at the wideband frequency. The results confirmed that the small signal gain has a gain flatness of ${\pm}1.5dB$ within the range of 32 to 36 dB. In addition, the output power satisfied more than 30 dBm. The noise figure was measured within 7 dB, and OIP3 (Output Third Order Intercept Point) was more than 39 dBm. The fabricated broadband power amplifier satisfied the target specification required to electrically drive the high power amplifiers of jamming generators for electronic warfare, so the actual applicability to the system was verified. Future studies will be aimed at designing other similar microwave power amplifiers in the future.

Design and fabrication of GaAs MMIC high power amplfier and microstrip combiner for IMT-2000 handset (IMT-2000 고출력 전력전폭기의 GaAs MMIC화 및 전송결합기 설계 구현에 관한 연구)

  • 정명남;이윤현
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.25 no.11A
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    • pp.1661-1671
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    • 2000
  • 본 고에서는 한국통신(Korea Telecom) IMT-2000 시험시스템(이하: Trial system 라고 함) 단말기용 전력증폭단으로 적용하기 위한 다단구동증폭기 및 전력증폭기를 GaAs MMIC로 설계 구현하는 기술을 제시하였다. 설계된 구동증폭기는 3단으로구성하여 RF(Radia Frequency) 송신신호(1955$\pm$70MHz)대역에서 2단 (중간단)의 이득 조정범위가 40 dB이상이 될 수 있도록 능동부품인 MESFET를 Cascade 형으로 구성하고 MESFET의 게이트(gate)에 조정전압을 인가하는 증폭기를 설계하여 GaAs MMIC화 1 침(크기4$\times$5 mm)으로 제작하였다. 아울러, 본 논문에서는 제시한 구동증폭기는 동작주파수 대역폭 범위기 3.5배이고 출력전력은 15dBmm 이며, 출력전력이득이 25~27dB이고 반사계수는 -15~20dB이며 이득평탄도 3dB(동작주파수 대역폭내)로써 Trial system용 단말기의 최종단인 전력증폭단의 출력단 특성을 효과적으로 나타내었다. 그리고, 전력 증폭기는 2개의 입력단에서 출력되는 신호를 분배하는 전력분배기와 병렬구조인 4개의 증폭단에서 출력되는 출력신호를 외부에서 접속하는 전력결합기를 접소하여 구성하였으며 RF(Radio Frequency) 주파수(1955 $\pm$70NHz)에서 대역폭을 4배로 설계하여 광대역인 대역폭을 구현하였고 출력전력은 570mW이며, 출력부가효율(PAE; Power Added Efficency)가 -15$\pm$20dB이고, 이득 평탄도(Gain flatness)는 동작주파수 대역내에서 0.5dB이며 입출력 전압정재파비(Input & Output VSWR)가 13이하인 고출력 전력증포기를 GaAs MMIC화 1칩 (크기; 3$\times$4mm)으로 제작하였다.의 다양성이나 편리성으로 변화하는 것이 국적을 바꾸는 것보다 어려운 시 대가 멀지 않은 미래에 도래할 것이다. 신세기 통신 과 SK 텔레콤에는 현재 1,300만명이 넘 는 고객이 있으며. 이들 고객은 어 이상 음성통화 중심의 이동전화 고객이 아니라 신세기 통신과 SK텔레콤이 함께 구축해 나갈 거대란 무선 네트워크 사회에서 정보화 시대를 살아 갈 회원들이다. '컨텐츠의 시대'가 개막되는 것이며, 신세기통신과 SK텔레콤은 선의의 경쟁 과 협력을 통해 이동인터넷 서비스의 컨텐츠를 개발해 나가게 될 것이다. 3배가 높았다. 효소 활성에 필수적인 물의 양에 따른 DIAION WA30의 라세미화 효율에 관하여 실험한 결과, 물의 양이 증가할수록 그 효율은 감소하였다. DIAION WA30을 라세미화 촉매로 사용하여 아이소옥탄 내에서 라세믹 나프록센 2,2,2-트리플로로에틸 씨오에스터의 효소적 DKR 반응을 수행해 보았다. 그 결과 DIAION WA30을 사용하지 않은 경우에 비해 반응 전환율과 생성물의 광학 순도는 급격히 향상되었다. 전통적 광학분할 반응의 최대 50%라는 전환율의 제한이 본 연구에서 찾은 DIAION WA30을 첨가함으로써 성공적으로 극복되었다. 또한 고체 염기촉매인 DIAION WA30의 사용은 라세미화 촉매의 회수 및 재사용이 가능하게 해준다.해준다.다. TN5 세포주를 0.2 L 규모 (1 L spinner flask)oJl에서 세포간의 응집현상 없이 부유배양에 적응,배양시킨 후 세포성장 시기에 따른 발현을 조사한 결과 1 MOI의 감염조건 하에서는 $0.6\times10^6$cell/mL의 early exponential시기의 세포밀도에서 72시간 배양하였을 대 최대 발현양을 나타내었다. 나타내었다. $\beta$4 integrin의 표현이 침투 능력을 높이는 역할을 하나 이때에는 laminin과 같은 리간드와의 특이

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