• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.116-117
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• 2006

I-D ZnO nanostructures were fabricated by thermal evaporation method on Si(100), GaN and $Al_2O_3$ substrates without a catalyst at the reaction temperature of $700^{\circ}C$. Only pure Zn powder was used as a source material and Ar was used as a carrier gas. The shape and growth direction of synthesized ZnO nanostructures is determined by the crystal structure and the lattice mismatch between ZnO and substrates. The ZnO nanostructure on Si substrate were inclined regardless of their substrate orientation. The origin of ZnO/Si interface is highly lattice-mismatched and the surface of the Si substrate inevitably has the $SiO_2$ layer. The ZnO nanostructure on the $Al_2O_3$ substrate was synthesized into the rod shape and grown into particular direction. For the GaN substrate, however, ZnO nanostructure with the honeycomb-like shape was vertically grown, owing to the similar lattice parameter with GaN substrate.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1028-1031
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• 2002

Ga-based semiconductor nanowires (GaN, GaP) were synthesized by the reaction of Ga metal and GaN/GaP powder with a $NH_3/Ar$ gas using thermal chemical vapor deposition. The field emission and emission stability under oxygen and argon environments were investigated. Field emission energy distributions of electrons from these nanowires revealed that field emission mechanism of the semiconductor nanowires were different from carbon nanotubes.

• Archives of Pharmacal Research
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• 제13권2호
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• pp.174-179
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• 1990

Second derivative (D2) spectrometry using ion-pair extraction technique was development for the determination of total glycyrrhetic acid (GA) in Glycyrrhizae Radix, Glycyr-rhizin (G) obtained from Glycyrrhizae Radix was hydrolyzed into GA in 2 N-HCI and methanol (1:1) and extracted from aqueous phase in the form of an ion-pair complex with tetrapentylammonium bromide (TPA) as a counter ion. Maximum D2 amplitude (Z value) was obtained when 1000-fold or greater molar ratio of TPA was used at pH 11. Reaction an effective extraction solvent of the ion-pair complex. The linearity of standard curve of ion-pair GA was obtained in the range of 4.120 $\mu$g/ml as GA. Assayed contents of GA in dry powder by D2 UV spectrometry and HPLC method were 5.31 $\pm$ 0.04% and 5.20 $\pm$ 0.008%, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.984-989
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• 2012

We have investigated the structural, electrical and optical properties of Ga-doped ZnO (GZO) thin films prepared by RF magnetron sputtering with laboratory-made ZnO targets containing 1, 3, 5, 7 wt% of $Ga_2O_3$ powder as a doping source. The GZO thin films show the typical crystallographic orientation with c-axis regardless of $Ga_2O_3$ content in the targets. The $3,000{\AA}$ thick GZO thin films with the lowest resistivity of $7{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ are obtained by using the GZO ($Ga_2O_3$= 5 wt%) target. Optical transmittance of all films shows higher than 80% at the visible region. The optical energy band gap for GZO films increases as the carrier concentration ($n_e$) in the film increases.

• 한국재료학회지
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• 제2권5호
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• pp.360-365
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• 1992

Ga 첨가효과 및 Sputter 제조조건이 전기적 특성에 미치는 영향을 고찰하기 위해 ZnO분말과 G$a_2O_3$분말을 소결하여 타겟트를 제조하여 Sputter법으로 유리기판에 Ga-doped ZnO 다결정박막을 제조하였다. RF 전력밀도, 아르곤 개스압력 및 Ga 함유량등을 최적화한 후 제조한 투명한 Ga-doped ZnO 박막의 비저항은 1$0^{-3}$ohm-cm이며, undoped 및 Ga-doped ZnO 박막의 전자농도는 각 $10^{18}$, $10^{21}$/c$m^2$이였다. 공기와 질소분위기에서 열처리를 행하였을 때 Ga-doped ZnO 박막의 비저항은 $10^{2}$ order 증가하였다. 가시광영역의 투과율은 80% 이상이였으며, Ga 함유량이 증가하면 optical band gap도 넓어졌다.

• 한국결정성장학회지
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• 제33권2호
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• pp.83-90
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• 2023

최근 전력반도체 소재로 관심을 가지는 Ga₂O₃의 β-상은 열역학적으로 가장 안정한 상을 가지며 4.8~4.9 eV의 넓은 밴드갭과 8 MV/cm의 높은 절연파괴전압을 갖는다. 이러한 우수한 물리적 특성으로 인해 전력반도체 소재로 많은 주목을 받고 있다. β-Ga₂O₃는 SiC 및 GaN의 소재와는 다르게 액상이 존재하기 때문에 액상 성장법으로 단결정 성장이 가능하다. 하지만 성장한 순수 β-Ga₂O₃ 단결정은 전력 소자에 적용하기에는 낮은 전도성으로 인해 의도적으로 제어된 도핑 기술이 필요하며 도핑 특성에 관한 연구가 매우 중요하다. 이 연구에서는 Ga₂O₃ 분말과 SnO₂ 분말의 몰 비율을 다르게 첨가하여 Un-doped, Sn 0.05 mol%, Sn 0.1mol%, Sn 1.5 mol%, Sn 2 mol%, Sn 3 mol%의 혼합분말을 제조하여 EFG(Edge-defined Film-fed Growth) 방법으로 β-Ga₂O₃ 단결정을 성장시켰다. 성장된 β-Ga₂O₃ 단결정의 Sn dopant 함량에 따른 결정 품질 및 광학적, 전기적 특성 변화를 분석하였으며 Sn 도핑에 따른 특성 변화를 광범위하게 연구하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.293-297
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• 2010

We have studied the optical and electrical properties of a-IGZO thin films on the n-type semiconductor fabricated by RF magnetron sputtering method. The ceramic target was used in which $In_2O_3$, $Ga_2O_3$ and ZnO powder were mixed with 1:1:2 mol% ratio and furnished. The RF power was set at 25 W, 50 W, 75 W and 100 W as a variable process condition. The transmittance of the films in the visible range was above 80%, and it was 92% in the case of 25 W power. AFM analysis showed that the roughness increased as increasing RF power, and XRD showed amorphous structure of the films without any peak. The films are electrically characterized by high mobility above 10 $cm^2/V{\cdot}s$ at low RF power, high carrier concentration and low resistivity. It is required to study further finding the optimal process condition such as lowering the RF power, prolonging the deposition ratio and qualification analysis.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.191-191
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• 2003

가시광선영역에서 높은 광학적 투명도를 갖는 n-type 반도체인 ZnO 박막은 넓은 범위에서 응용되고 있다. 현재 ZnO 박막의 특성 향상을 위하여 여러 원소(Al, Ga)의 도핑을 시도하고 있다. 특히 Al-doped ZnO 박막은 sol-gel dip coating에 의해서도 높은 전기전도도와 투과율로 활발히 연구되고 있다 본 논문에서는 여러 도핑농도를 갖는 Al-doped ZnO 박막이 sol-gel dip coating법에 의해 준비되었다. Al-doped ZnO 박막은 zinc acetate [Zn($CH_3$COO$_2$)ㆍ2$H_2O$] powder 와 여러 도핑농도를 갖는 aluminum nitrate (Al(NO$_3$)$_3$ㆍ9$H_2O$) powder를 알코올에 용해하여 $H_2O$, Ethylene glycol, Ethylene diamine 등을 첨가하여 제조하였다 XRD와 SEM (Scanning electron microscope)이 막의 상형성 분석을 위해 이용되었으며, 가시광선 영역 투과율(UV/VIS spectrophotometer)과 표면전기저항(four point probe)이 주요 특성으로 분석되었다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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• pp.152-153
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• 2006

We demonstrate the methodology of engineering the multi-component ceramic nanopowder with precise morphology by nanoblast calcinations decomposition of preliminary engineered nanoreactors. Multiple explosions of just melted $C_3H_6N_6O_6$ embedded into preliminary engineered nanoreactors break apart the agglomerates due to the highly energetic impacts of the blast waves. Also, the solid-solubility of one component into the other is enhanced by the extremely high local temperature generated during each nano-explosion in surrounding area. This methodology was applied for production of agglomeratefree nano-aggregates of $Gd_{20}Ce_{80}O_{1.95}$ with an average size of 42 nm and $LaSrGaMgO_{3-x}$ nanopowder with an average aggregate size of 83 nm.

• 한국자기학회지
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• 제12권2호
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• pp.57-63
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• 2002

Nd-Fe-B계 소결자석의 특성을 향상시키기 위해서는 Nd-Fe-B계 합금의 조성 및 제조공정을 조절하여 자성분말의 입도 및 입도분포, 강자성상인 N $d_2$F $e_{14}$B상의 분율, 자성분말의 배향도, 산소 함량, grain size 등과 같은 factor들을 최적화 하여야 한다. 본 연구에서는 실험실 규모로 Nd-Fe-B계 합금 조성 및 공정 조절을 통하여 Nd-Fe-B계 소결자석을 제조하는 연구를 수행하였으며, 분쇄매체 분쇄시간 및 ball size에 따른 Nd-Fe-B계 소결자석의 자기적특성을 분석하여 최적의 분쇄조건을 조사하였다. 또한 분쇄공정 중 FeGa합금을 첨가하여 잔류자속밀도의 감소없이 Nd-Fe-B계 소결자석의 보자력을 향상시킬 수 있었다. 이와 같은 분쇄 조건의 연구, FeGa 합금에 의한 보자력 향상, 건식분쇄 방법 및 powder blending 공정을 적용하여 잔류자속밀도( $B_{r}$,) : 14.4kG, 보자력($_{i}$ $H_{c}$) : 9.4kOe, 최대자기에너지적((BH)$_{\max}$) : 47 MGOe의 자기적 특성을 갖는 Nd-Fe-B계 소결자석을 제조하였다.