• 한국지능시스템학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.590-595
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• 2003

본 논문에서는 mGA를 이용해 축구로봇의 속도를 제어하는 새로운 기법을 제안하였다 축구 로봇의 목표를 최소 시간 내에 도착하기 위해 속도제어에 크게 영향을 미치는 거리 오차와 각도 오차 등의 비율을 나타내는 각종 파라미터가 포함되어 있는 제어 함수를 제안하였다. 이들 파라미터들을 mGA을 이용하여 최적의 값들을 탐색함으로써 변화되는 환경 속에서도 로봇의 목적지에 최소 시간 내에 이동하도록 속도제어 전략을 제안한다.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제24권5호
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• pp.53-64
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• 2019

본 연구에서는 재사용 가능한 제품을 대상으로 순방향물류(Forward logistics)에서 부터 역방향물류(Reverse logistics)에 이르기까지 전체 물류비용과 수요와 회수에 따른 제조업자에서의 재고관리, 재사용을 위한 과정에서 발생하는 청소공정비용 및 폐기비용을 고려한 재사용 네트워크 모델(Reusable network model)을 제안한다. 제안 모델의 유효성을 검증하기 위하여 최적화 기법 중 하나인 유전자 알고리즘(Genetic algorithm: GA)을 이용한다. 파라미터가 해(Solution)에 미치는 영향을 알아보기 위해서 세 가지 파라미터 조건에서 우선 순위형 GA(Priority-based GA: priGA)와, 각 세대(Generation)마다 파라미터가 조정되는 개량형 하이브리드 GA(Modified hybrid genetic algorithm: mhGA)를 사이즈가 다른 4가지 예제에 적용하여 시뮬레이션을 실시한다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제10권4호
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• pp.107-112
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• 2011

This paper is for improving the RF frequency performance of a fabricated 100nm ${\Gamma}$-gate MHEMT, scaling down vertically for the epitaxy-structure layers of the device. Hydrodynamic simulation parameters are calibrated for the fabricated MHEMT with the modulation-doped $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}$As heterostructure grown on the GaAs substrate. With these calibrated parameters, simulations for the vertically-scaled epitaxial layers of the device are performed and analyzed for DC/RF characteristics, including the quantization effect due to the thickness reduction of InGaAs channel layer. A newly designed epitaxy-structure device shows higher extrinsic transconductance, $g_m$ of 1.556 S/mm, and higher frequency performance, $f_T$ of 222.5 GHz and $f_{max}$ of 849.6 GHz.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2005년도 ICCAS
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• pp.969-972
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• 2005

This paper presents a GA-fuzzy $P^2ID$ control system for the flexible-joint robot arm. This controller is designed based on the parameter adjustment using fuzzy logic and genetic algorithms. According to the simulations, the better performance has been achieved acquired that the robot moved smoothly and met its required objectives. The results of comparison between 8 parameters and 10 parameters can be conclusion that the 10 parameters have setting time little than 8 parameters. In usability can be use 8 or 10 parameters these one.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.235-240
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• 2003

대면적 GaN 기판재료의 개발은 GaN 계열의 응용 가능성을 확대하기 위한 중요한 과제중 하나이다. 이러한 가능성을 조사하고자 본 연구에서는 seed 기판으로 MOCVD-GaN 박막과 소스 물질로서 상업용 GaN 분말을 이용하여 승화법에 의해 GaN 후막 성장을 시도하였다. 일정한 $N_2$ gas와 $NH_3$ gas 유량으로 성장실의 압력을 대기압으로 유지할 때 후막성장에 대한 승화소스물질과 seed 기판 사이의 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도, 성장시간 등의 영향들을 연구하였다. 성장된 GaN후막은 SEM 및 XRD등을 이용하여 후막성장 형태 및 구조를 관찰하였고 상온에서 PL특성측정을 통하여 후막의 광학적인 밴드갭 및 결함 등을 조사하였다. 이로부터 양호한 GaN 후막성장에 필요한 공정요소로서 소스와 seed 기판 간 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도 및 성장시간 등의 조건들을 정할 수 있었다.

• 한국지능시스템학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.555-561
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• 2008

GA 기반의 4족 보행로봇의 걸음새의 속도와 안정성을 최적화하는 걸음새의 자동 생성 방법을 구현한다. 기존에 사용된 걸음새 파라미터 집합에서 중요 파라미터의 영향을 분석하였고, 이를 통해 효율적인 탐색 방향을 설정하였다. 또한 속도 위주의 기존 연구와는 달리 반 정확도가 수반된 결과를 얻도록 하였다. 제안된 기법의 검증을 위하여 SONY Aibo 4족 보행 로봇에 대해서 ODE 기반의 물리적 특성을 포함한 정교한 시뮬레이션이 가능한 Webots 을 이용하여 실험을 수행하였고, 속도와 안정성 면에서 향상된 결과를 얻었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.60-65
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• 1984

본 논문은 광통신용 광원의 가장 중요한 설계변수인 주파수응답의 최적화를 위하여 대칭 CaAs/(Ca, Al)As DH-LED를 모델로 채택하여 다이오드의 설계변수들인 활성층의 불순물농도, 활성층폭, 소수캐리어수명, 금지대폭, 굴절률, 공간전하용량, 주입전류밀도 등의 물리적 제인자들의 백호관계를 체계적으로 정립하여 컴퓨터 시뮬레이션에 의한 최적설계변수치들을 설정하는데 그 목적이 있다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(3)
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• pp.27-30
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• 2000

Many human inventions were inspired by nature. The artificial neural network is one example. Another example is Genetic Algorithms(GA). GAs search by simulating evolution, starting from an initial set of solutions or hypotheses, and generating successive "generations" of solutions. This particular branch of AI was inspired by the way living things evolved into more successful organisms in nature. To simulate the process of GA in a computer, we must simulate many times according to varying many GA parameters. This paper describes the implementation of Java Package for efficient applications on Genetic Algorithms, called "JavaGA". The JavaGA used as a application program as well as applet provides graphical user interface of assigning major GA parameters.

• 한국마린엔지니어링학회:학술대회논문집
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• 한국마린엔지니어링학회 2002년도 춘계학술대회논문집
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• pp.239-244
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• 2002

Even though, tanks are used at the many industry plants, it is very difficult to control the tank level without any overflow and shortage; moreover, cause of its complication of dynamics and nonlinearity, it's impossible to realize the accurate control using the mathematical model which can be applied to the various operation modes. However, the sliding mode controller(SMC) is known as having the robust variable structures for the nonlinear control systems with the parametric perturbations and with the sudden disturbances, but the auto-tuning of parameters was a problem. Therefore, in this paper, a Genetic Algorithm based Sliding Mode Controller (GA-SMC) for the precise control of the coupled tank level was tried. GA optimized the SMCs switching parameters easily and rapidly. The simulation results are shown that the tank level could be satisfactorily controlled with less overshoot and steady-stale error by the proposed GA-SMC.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권6호
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• pp.164-171
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• 1996

We report the experimental resutls on AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with carbon-doped base structure. To characterize the output power, load-pull mehtod was employed. By characterizing the devices with HP8510C, we extracted the small-signal equivalent circuit. The HBTs were fabricated employing wet mesa etching and lift-off process of ohmic metals. the implementation of polyimide into the fabriction process was accomplished to obtain the lower dielectric constant resultig in significant reduction of interconnect routing capacitance. The fabricated HBTs with an emitter area of 6${\times}14{\mu}m^{2}$ exhibited current gain of 45, BV$_{CEO}$ of 10V, cut-off frequency of 30GHz and power gain of 1 3dBm. To extract the small signal equivalent circuit, the de-embedded method was applied for parasitic parameters and the calculation of circuit equations for intrinsic parameters.