We studied on the reverse twist near the pixel edge depending on the rubbing direction for the fringe field switching (FFS) mode. Liquid crystal (LC) dynamic and the transmittance near the pixel edge, where the various field directions are generated, depend on the initial rubbing direction because the position of reverse twist is decided by the angle between the electric direction and the LC director at a bias voltage. For example, when the rubbing angle is $7^{\circ}$, the reverse twist appears on the bottom position of the right sharp comer of the pixel edge so that the reverse region exists far away from main active region. But, when the rubbing angle is $-7^{\circ}$, the reverse twist appears on the top position of the right sharp comer of the pixel edge, resulting that the region becomes more close to the main active area and the unstable disclination lines (DLs) easily intrude into the active region. Therefore, it is necessary to keep the reverse twist region far from the active region and it is possible by controlling the rubbing direction in the design of a pixel electrode.
We have studied on the effect of the operation voltage according to the reverse twist for the different fringe field switching (FFS) structure. The FFS structure with a vertically patterned edge of the pixel electrode (VPP) has lower operation voltage comparing to the one with a horizontally patterned edge of the pixel electrode (HPP). The reason is like that the number of the pattern of the pixel edge for the VPP structure is one third comparing with the HPP structure and thus, there is small reverse twist area for the VPP structure. Actually, the reverse twist disturbs the twist of LC near adjacent active area, result that LCs near there have the unstable dynamics. That is, the operation voltage increases as the reverse twist area increases. Therefore, it is very important to design pixel electrode with a small reverse twist region for the FFS mode.
In this study, we proposed a novel electrode structure for the fringe field switching (FFS) mode LCD and performed a three-dimensional computer simulation to calculate the optical transmittance for the new structure. In the simulation Erickson-leslie equation and Berreman $4{\times}4$ matrix were used for obtaining the director distribution profiles of liquid crystal molecules and the electro-optical characteristics, respectively. Considering the complexity of the motional equation of the liquid crystal molecules, FDM (finite difference method) was used as a numerical method. From the results, We revealed that the light transmission of the newly designed pixel structure is expended to the edge of the pixel electrode. We also confirmed that the light transmittance increased more than 13% compared to that of the conventional electrode structure.
We have studied how liquid crystal's rubbing direction and voltage driving method affect generation of disclination line. At first, generation of disclination line in vertical alignment(VA) cell and VA-twisted nematic(TN) cell has been examined. When liquid crystal's rubbing direction of bottom substrate was 0$^{\circ}$, the degree of generated disclination line was the smallest value. Further, the generation of disclination line above the electrode is less in the frame inversion than in the line inversion. Secondly, we have examined a generation of disclination line in reflective fringe-field switching cell. When the distance between common electrodes is over 3 ${\mu}{\textrm}{m}$ with on-state of one pixel and off-state of neighboring pixels, the reflectance appears only on-state pixel without generating reflectance in adjacent pixels.
We have studied electro-optic characteristics as a function of splay elastic constants ($K_{11}$) in the fringe-field switching (FFS) mode using the LC with positive dielectric anisotropy. When $K_{11}$ is increased from 7.7pN to 11.7pN, a maximum transmittance is slightly increased and rising time become a little bit fast. However, operating voltage and threshold voltage is independent. In opposition to rising time, decay time is not affected by $K_{11}$. We already know that $K_{11}$ affects tilt angle of liquid crystals. Therefore, on the occasion of high $K_{11}$, liquid crystals are mainly affected by twist deformation because the higher $K_{11}$, the less tilt angle. In the FFS device, high $K_{11}$ is favorable to reduce tilt angle in on state and thus improve rising response time.
We propose a negative liquid crystal (n-LC) cell with parallel patterned electrodes for high transmittance and fast response. The proposed cell has higher transmittance and shorter response time than a conventional fringe-field switching cell using n-LCs, because the proposed cell does not have transmittance dips and does have a thinner LC layer.
We have investigated about compensation film to reduce the light leakage at an oblique angle in-plane switching mode. It is well known that uncompensated in-plane switching (US) and fringe field switching (FFS) liquid crystal displays (LCDs) have much better viewing angle than other modes owing to the in-plane rotation of the LC director. However, to accomplish optimal viewing angle characteristics in these devices, they must be compensated by one or more films. So, in this paper, we have studied how to reduce the light leakage with viewing angle using discotic film in dark state.
We have studied electro-optical characteristics of fringe-field switching (FFS) mode with high $d{\Delta}n$ according to the electrode position. In this device, the fringe-electric field drives the LCs to rotate so that the dielectric torque is electrode-positional dependent, which results in electrode-position dependency in the LC's rotating angle. We confirmed polarization microscope image and chromaticity diagram at the different electrode position with LC that have high $d{\Delta}n$. Since the FFS mode is influenced by horizontal and vertical electric field, the FFS mode modulates light using both phase retardation and polarization rotation effect, which had already been verified with previous studies. However, from another point of view, tight modulation of FFS mode has been demonstrated by performing experiment and calculated simulation at the high $d{\Delta}n$ LC cell.
The light efficiency of fringe-field switching (FFS) mode when using a liquid crystal (LC) with positive dielectric anisotropy was found to be dependent on the magnitude of dielectric anisotropy, such that the lower dielectric anisotropy, the higher. We studied out not only light efficiency but also response time according to dependence on the magnitude of dielectric anisotropy. Rising and decay time became fast and slow respectively according to decreasing the magnitude of dielectric anisotropy. This paper investigates electro-optical characteristic of FFS mode using LC with a positive dielectric anisotropy dependent on the magnitude of dielectric anisotropy of the LC.
In this study, we investigated the electro-optical (EO) characteristic of fringe-field switching (FFS) mode cell by the two kinds of ultraviolet (UV) alignment method on the organic thin film (polyimide Pl). The suitable organic layers for FFS cell and the aligning capabilities of nematic liquid crystal (NLC) using the in-situ photo-alignment method were studied. An unstable V-T curve of UV-aligned FFS-LCD with conventional photo-alignment method can be achieved. However, a stable V-T curve of UV-aligned FFS-LCD with in-situ photo-alignment method (1h), and V-T curve of UV-aligned FFS-LCD with in-situ photo-alignment method was much stable comparing with that of other UV-aligned FFS-LCD's, As a result, more stable EO performance of UV-aligned FFS-LCD with in-Situ photo-alignment method is obtained than that of the other UV-aligned FFS-LCD's.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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