Impurity-free vacancy diffusion 방법을 이용하여 압축 응력을 가진 InGaAs/InGaAsP 다중 양자 우물 구조에서 열처리 온도에 따른 무질서 정도를 조사하였다. InGaAs/SiO$_2$ cap 구조가 InP/$SiO_2$ cap 구조보다 급속열처리 (rapid thermal annealing : RTA) 과정에서 더 많은 청색 천이를 나타내었다. 열처리 온도 $700^{\circ}C$에서, InGaAs/$SiO_2$ cap 구조의 경우 다중양자우물의 밴드갭 파장은 1.55 $\mu\textrm{m}$대역에서 1.3 $\mu\textrm{m}$ 대역으로 이동하였으며, InGaAs/$SiO_2$ cap 구조와 InP/$SiO_2$ cap 구조의 밴드갭 파장차이는 195 nm (123 meV)로 높은 선택성을 나타내었다. 또한, DCXRD 스펙트럼으로부터 다중양자우물 구조에서 균일한 합금형태로 완전히 무질서화되는 것을 볼 수 있었다.
Kim, In-Sub;Shin, Dong-Woo;So, You-Young;Lee, Byung-Ha
The Korean Journal of Ceramics
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제3권1호
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pp.47-51
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1997
The dense sintered bodies of Si/SiC composite with various Si contents could be fabricated by changing the green density in the forming process. The Si/SiC/graphite composites with various graphite contents could be also fabricated by changing a graphite content in the starting composition. Their mechanical and tribological properties were characterized and wear mechanism was also studided. The hardness and strength of the Si/SiC and the Si/SiC/graphite were decreased with increasing the contents of free Si and graphite, respectively. However, the friction coefficient and specific wear rate had no specific relations to their hardness and strength. Adhesion of free Si was a main factor to determine a wear resistance of the Si/SiC composite. In the case of the Si/SiC/graphite, solid lubricationl and liquid reservoir of the graphite particles played the main role of the reduction of the friction force. In the torque test to estimate the possibility of practical of practical applications, the value of torque between the Al2O3 disk and Si/SiC/graphite disk was 1/6 lower compared with two $Al_2O_3$ disks on the basis of 100,000 cycles.
A hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method was performed to prepare the thick-fi lm GaN on AIN/Si substrates. We obtained substrate-free GaN. The foul t-width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve from 350 ${\mu}{\textrm}{m}$ thick substrate-free GaN was ~1000 arcsec. The photoluminescence spectrum (at 20 K) shows the narrow bound exiton (I$_2$) line and wealth donor-acceptor pair recombination however. there was not observed deep donor-accepter pair recombination indicate the substrate-free GaN crystal prepared in this study are of high purity and high crystalline quality.
We calculate the free energy surfaces for two small proteins and a protein-RNA complex system by using a lattice model approach. In particular, we employ the Munoz-Eaton model, which is a native-structure based statistical mechanical model for studying protein folding problem. The model can provide very useful insights into the folding mechanisms by allowing one to calculate the free energy surfaces efficiently. We first calculate the free energy surfaces of ubiquitin and BBL, using both approximate and recently developed exact solutions of the model. Ubiquitin exhibits a typical two-state folding behavior, while BBL downhill folding in our study. We then extend the method to study of a protein-RNA complex. In particular, we focus on PAZ-siRNA complex. In order to elucidate the interplay between folding and binding kinetics for this system we perform comparative studies of PAZ only, PAZ-siRNA complex and two mutated complexes. We find that folding and binding are strongly coupled with each other and the bound PAZ is more stable than the unbound PAZ. Our results also suggest that the binding sites of the siRNA may serve act as a nucleus in the folding process.
A free piston linear engine could be operated under HCCI combustion due to its variable compression ratios. To obtain HCCI combustion, the free piston linear engine needs a high compression ratio to achieve auto-ignition of the fuel/air mixture. In this study, an idea for obtaining a high compression ratio using the transition from SI combustion to HCCI combustion was proposed. The fuel used in this study is hydrogen, which is considered to be an environmentally friendly fuel. Besides, the effects of key parameters such as equivalence ratio (${\phi}$), load resistance ($R_L$) and intake temperature ($T_{in}$) on the SI-HCCI transition were numerically investigated. The simulation results show that the SI-HCCI transition is successful without any significant reduction of in-cylinder pressure as the intake temperature is increased from $T_{in}$=300K (SI mode) to $T_{in}$=450K (HCCI mode), while the load resistance and equivalence ratio are retained respectively at $R_L=120{\Omega}$ and ${\phi}$=0.6 in both SI mode and HCCI mode.
폴리페닐카보실란은 페닐그룹을 포함하고 있는 카보실란계 고분자로서 열분해 후 과량의 탄소를 함유할 수 있는 세라믹 전구체이다. 카보실란계열의 고분자는 산화특성이 있어 SiOC 코팅 용도에도 사용되고 있는데, 폴리페닐카보실란은 free 탄소를 함유하는 SiOC:C 필름을 형성할 수 있다. SiOC 코팅 전구체로는 일반적으로 실리카졸, 실라잔 계열의 고분자, 실록산 계열의 고분자가 사용되고 있으나, 폴리페닐카보실란의 경우 상기 전구체에 비하여 보관 안정성 및 뛰어난 부착특성을 나타낸다. 기존 연구에서는 폴리페닐카보실란으로부터 형성된 SiOC:C 필름의 저유전막, 산화방지막, 분진방지막 등의 응용성에 대하여 고찰한 바 있다. 폴리페닐카보실란은 열처리 온도 영역에 따라 응용 분야가 달라질 수 있는데, 이에 본 연구에서는 각 열처리 온도 영역에 따라 형성되는 SiOC:C 필름의 구조적 변화를 고찰하였다. 필름 형성은 20 % 폴리카보실란 용액을 스핀코팅하고 대기상에서 경화를 실시하였으며, 질소 분위기에서 400 ~ 1200 도 범위에서 열처리하였다. 이렇게 얻어진 300 nm 두께의 필름은 XPS 표면분석과 FT-IR, Solid-NMR을 이용하여 C-Si-O 네트워크 형성의 거동을 확인하였으며, 800 도 이상에서 나타나는 특징적인 free 탄소는 Raman을 이용하여 확인하였다.
Very High Temperature gas cooler Reactor (VHTR) has been considered as one of the most promising nuclear reactor because of many advantages including high inherent safety to avoid environmental pollution, high thermal efficiency and the role of secondary energy source. The TRISO coated fuel particles used in VHTR are composed of 4 layers as OPyC, SiC, IPyC and buffer PyC. The significance of CVD-SiC coatings used in tri-isotropic(TRISO) nuclear coated fuel particles is to maintain the strength of the whole particle. Various methods have been proposed to evaluate the mechanical properties of CVD-SiC film at room temperature. However, few works have been attempted to characterize properties of CVD-SiC film at high temperature. In this study, micro tensile system was newly developed for mechanical characterization of SiC thin film at elevated temperature. Two kinds of CVD-SiC films were prepared for micro tensile test. SiC-A had [111]-preferred orientation, while SiC-B had [220]-preferred orientation. The free silicon was co-deposited in SiC-B coating layer. The fracture strength of two different CVD-SiC films was characterized up to $1000^{\circ}C$.The strength of SiC-B film decreased with temperature. This result can be explained by free silicon, observed in SiC-B along the columnar boundaries by TEM. The presence of free silicon causes strength degradation. Also, larger Weibull-modulus was measured. The new method can be used for thin film material at high temperature.
Au-Ag 합금 박막에서 화학적으로 덜 안정한 Ag를 선택적으로 에칭하는 dealloying 기법을 통하여 crack-free 나노기공 gold 박막을 Si 기판에 제조하였다. Au-Ag 합금 박막은 두 가지 방법을 이용하였다: 1) thermal 또는 electron beam 증착법을 이용하여 Au 와 Ag 다층 박막을 Si 기판에 증착시킨 후 열처리를 통한 합금 박막제조; 2) co-thermal 증착법을 이용하여 Au-Ag 합금박막을 Si 기판에 직접 증착. Crack-free 나노기공 gold 박막 제조에 적합한 합금조성을 얻기 위하여 증착 속도, 열처리조건, dealloying 조건등을 조절하였다. Perchloric acid, HClO4 전해질을 이용한 전기화학적 dealloying을 통하여 crack-free 나노기공 gold 박막을 제조하였고, 기공크기를 조절할 수 있었다. 이에 더하여, electrophoretic 방법을 이용하여 나노기공 gold와 semiconductive 양자점 (CdTe 또는 CdSe)의 나노복합박막을 형성시킨 후 특성을 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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