• 전자공학회지
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• 제25권7호
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• pp.53-63
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• 1998

This paper reviews development trends of ferroelectric memories. Materials requirements, integration issues, device structures are reviewed for 1T-1C and 1Tr type FRAM. Other types of FRAM such as DSRAM and SFRAM are also described. Limitations in FRAM development are discussed for the viewpoint of memory concept and material properties. Finally, novel FRAM structures and operational concepts are proposed in order to avoid such limitations.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권12호
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• pp.1033-1044
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• 2002

본 논문에서는 grounded-plate PMOS 게이트 (GPPG) 강유전체 메모리 셀을 이용한 새로운 FRAM 설계기술을 제안하였다 GPPG 셀은 PMOS와 강유전체 커패시터로 구성되며 셀 plate 는 ground 에 접지 된다. 제안된 FRAM 에서는 비트라인이 V/sub DD/로 precharge 되고, negative 전압 워드라인 기법이 사용되며, negative 펄스 restore 동작을 이용한다 GPPG 셀을 이용한 FRAM 구조는 셀 plate 구동기폭 사용하지 않으므로 메모리 셀 efficiency를 극대화 할 수 있는 장점이 있다. 또한 기존의 common-plate 셀과는 달리 제안된 FRAM 구조는 데이터의 읽기 및 쓰기 동작 시 강유전체 커패시터에 V/sub DD/거 충분한 전압이 가해지므로 저 전압 동작에 제한이 없다. 아울러 제안된 FRAM 구조는 필요한 8 비트 데이터만 선택하는 column-path 회로를 사용하므로 메모리 array 전력소모를 최소화 할 수 있다. 끝으로 0.5-um, triple-well/1-polycide/2-metal 공정을 이용한 4-Mb FRAM 설계를 통해 GPPG 셀 FRAM architecture 실현 가능성을 확인하였다.

• 전기의세계
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• 제52권2호
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• pp.23-28
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• 2003

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제36권1호
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• pp.16-23
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• 2011

보다 정확한 우라늄 농축도 분석은 핵물질 관리를 위하여 중요하다. 본 연구에서는 감마선을 이용한 우라늄 농축도 분석에서 시료와 검출기 사이에 차폐체가 있는 경우와 측정시간 변화에 따른 분석결과에 대한 정확성 평가 및 오차분석을 수행하였다. 우라늄 농축도를 분석하기 위하여 FRAM (Fixed energy Response function Analysis with Multiple efficiencies)을 이용하였다. FRAM에 의한 분석결과의 정확성은 화학 분석 결과와의 비교를 통해 평가되었다. 연구결과 선원과 검출기사이에 차폐체가 존재할 경우 차폐체의 두께변화에 따른 감마선의 세기는 지수함수 형태로 감소하며 감마선에너지 피이크의 반치폭 (FWHM : Full Width at Half Maximum)은 차폐체의 두께에 영향을 거의 받지 않는 것을 보였다. 따라서 시료와 검출기 사이에 차폐체가 있는 경우의 우라늄 농축도 분석에서 FRAM을 이용한 감마선분광 분석은 유용하게 활용될 수 있다. 본 연구 결과는 차폐체 안에 우라늄이 있는 경우 핵물질 분석에 기여할 수 있을 것이 기대된다.

• 대한안전경영과학회지
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• 제22권1호
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• pp.23-32
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• 2020

There has been a significant decline in the number of rail accidents in Korea since system safety management activities were introduced. Nonetheless, analyzing and preventing human error-related accidents is still an important issue in railway industry. As a railway system is increasingly automated and intelligent, the mechanism and process of an accident occurrence are more and more complicated. It is now essential to consider a variety of factors and their intricate interactions in the analysis of rail accidents. However, it has proved that traditional accident models and methods based on a linear cause-effect relationship are inadequate to analyze and to assess accidents in complex systems such as railway systems. In order to supplement the limitations of traditional safety methods, recently some systemic safety models and methods have been developed. Of those, FRAM(Functional Resonance Analysis Method) has been recognized as one of the most useful methods for analyzing accidents in complex systems. It reflects the concepts of performance adjustment and performance variability in a system, which are fundamental to understanding the processes of an accident in complex systems. This study aims to apply FRAM to the analysis of a rail accident involving human errors, which occurred recently in South Korea. Through the application of FRAM, we found that it can be a useful alternative to traditional methods in the analysis and assessment of accidents in complex systems. In addition, it was also found that FRAM can help analysts understand the interactions between functional elements of a system in a systematic manner.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권10호
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• pp.1-8
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• 2005

본 논문에서는 강유전체 메모리의 셀 효율을 높이기 위해 PMOS-gating 셀을 이용한 설계기법을 기술하였다. PMOS-gating 셀은 PMOS access 트랜지스터와 강유전체 커패시터로 이루어지며 커패시터의 플레이트는 ground에 고정된다. 아울러 read/write 동작시 비트라인이 $V_{DD}$로 precharge 되고, negative 전압 워드라인 기법이 사용되며, negative 펄스 restore 동작을 이용한다. 이는 셀 플레이트 구동없이 단순히 워드라인과 비트라인만 구동하여 메모리 셀의 데이타를 저장하고 읽어낼 수 있는 설계 방식으로, 기존의 셀 플레이트를 구동하는 FRAM 대비 메모리 셀 효율을 극대화 할 수 있어, multi-megabit 이상의 집적도에서 경쟁력 있는 칩 면적 구현이 가능하다. $0.25-{\mu}m$ triple-well 공정을 적용한 2.5-V, 1-Mb FRAM 시제품 설계를 통해 제안한 설계기술을 검증하였고, 시뮬레이션 결과 48 ns의 access time, 11 mA의 동작전류 특성을 보였다. 레이아웃 결과 칩 면적은 $3.22\;mm^{2}$ 이며, 기존의 셀 플레이트 구동기를 사용하는 FRAM 대비 약 $20\;\%$의 셀 효율을 개선하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제62권1호
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• pp.44-52
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• 2024

복잡한 화학공정을 관리하기 위한 목적으로 도입된 공정안전관리(PSM: process safety management)제도는 그간 화학사고 예방에 기여해 왔으나, 최근에는 그 한계를 드러내고 있다. 최근 중대산업사고가 증가하고 있으며 특히 2020년 이후 비정상 작업에서 중대산업사고가 급증하였다. 효과적인 PSM 운영 방안이 필요한 시점이다. 본 연구에서는 비선형적이고 복잡한 상호작용을 모형화하여 인적오류 및 사고 발생 과정을 이해하고 예측하는데 유용한 기법인 기능공명분석기법(FRAM: Functional Resonance Analysis Method)을 활용하여 비정상 작업에서 발생한 사고 사례를 분석하고 나아가 일반적인 PSM 비정상 작업 수행 과정에 대한 분석을 수행함으로써, PSM 운영 과정에서 FRAM이 효과적으로 활용될 수 있음을 검토하였다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 춘계총회,특별강연,심포지움,연구발표회
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• pp.155-155
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• 2000

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제12회 학술발표회 논문개요집
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• pp.31-31
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• 1997

• 한국안전학회지
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• 제36권4호
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• pp.62-70
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• 2021

Representative systematic accident analysis methods proposed so far include AcciMap, STAMP, and FRAM. This study used these three techniques to analyze a fire accident case that occurred during routine manufacturing work in a domestic chemical plant and compared the results. The methods used different approaches to identify the cause of the accident, but they all highlighted similar causal factors. In addition to technical issues, the three accident analysis methods identified factors related to safety education, risk assessment, and the operation of the process safety management system, as well as management philosophy and company culture as problems. The AcciMap and STAMP models play complementary roles because they use hierarchical structures, while FRAM is more effective in analyses centered on human and organizational functions than in technical analyses.