• 한국동물학회지
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• 제26권3호
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• pp.211-217
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• 1983

한국인집단에서 Transferrin C subtypes와 Haptoglobin polymorphism의 분포 및 유전자 빈도에 관한 본 연구에서 얻은 결과는 다음과 같다. 제주집단에서 관찰된 Transferrin C subtypes은 주로 $T_{f}C_{1}, T_{f}C_{2}$ 및 $T_{f}C_{1}-C_{2}$형이었는데 $T_{f}C_{1}$과 $T_{f}C_{1}-C_{2}$이 51%와 42%로 나타났으며, 유전자 빈도는 $T_{f}C^{1}, T_{f}C^{2} 및 T_{f}D^{Jeju}$가 각각 0.7220, 0.2743 및 0.0037이었다. Haptoglobin의 유전자 빈도는 서울집단에서 460명, 제주집단에서 502명을 대상으로 추정한 결과 서울집단에서 $Hp^1 = 0.304, Hp^2 = 0.696$이었고, 제주집단에서는 0.269와 0.731이었으며 두 집단사이에 빈도 차이는 유의하지 않았다.

• 대한수학회보
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• 제58권4호
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• pp.915-937
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• 2021

In this paper we deal with the open problem posed by Lü, Li and Yang [10]. In fact, we prove the following result: Let f(z) be a transcendental meromorphic function of finite order having finitely many poles, c₁, c₂, …, c_n ∈ ℂ\{0} and k, n ∈ ℕ. Suppose fⁿ(z), f(z+c₁)f(z+c₂) ⋯ f(z+c_n) share 0 CM and fⁿ(z)-Q₁(z), (f(z+c₁)f(z+c₂) ⋯ f(z+c_n))^(k) - Q₂(z) share (0, 1), where Q₁(z) and Q₂(z) are non-zero polynomials. If n ≥ k+1, then $(f(z+c_1)f(z+c_2)\;{\cdots}\;f(z+c_n))^{(k)}\;{\equiv}\;{\frac{Q_2(z)}{Q_1(z)}}f^n(z)$. Furthermore, if Q₁(z) ≡ Q₂(z), then $f(z)=c\;e^{\frac{\lambda}{n}z}$, where c, λ ∈ ℂ \ {0} such that e^{λ(c₁+c₂+⋯+c_n)} = 1 and λ^k = 1. Also we exhibit some examples to show that the conditions of our result are the best possible.

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.145-152
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• 1992

Si surfaces exposed to CHF3/C2F6 gas plasmas ih reactive ion etching (RIE) have been characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). CHF3/C2F6 gas plasma exposure of Si surface leads to the deposition of residual film containing carbon and fluorine. The narrow scan spectra of C 1s show various bonding states of carbon as C-Si, C-F/H, C-CFx(x $\leq$ 3), C-F, C-F2, and C-F3. The chemical bonding states of fluorine are described with F-Si, F-C and F-O. And the oxygen and silicon are also detected. The effects of parameters for reactive ion etching as CHF3/C2F6 gas ratio, RF power, and pressure are investigated.

• Korean Journal of Mathematics
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• 제27권2호
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• pp.437-444
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• 2019

For c > -1, let ${\nu}_c$ denote a weighted radial measure on ${\mathbb{C}}$ normalized so that ${\nu}_c(D)=1$. For $c_1,c_2>-1$ and $f{\in}L^1(D^2,\;{\nu}_{c_1}{\times}{\nu}_{c_2})$, we define the weighted Berezin transform $B_{c_1,c_2}f$ on $D^2$ by $$(B_{c_1,c_2})f(z,w)={\displaystyle{\smashmargin2{\int\nolimits_D}{\int\nolimits_D}}}f({\varphi}_z(x),\;{\varphi}_w(y))\;d{\nu}_{c_1}(x)d{\upsilon}_{c_2}(y)$$. This paper is about the space $M^p_{c_1,c_2}$ of function $f{\in}L^p(D^2,\;{\nu}_{c_1}{\times}{\nu}_{c_2})$ ) satisfying $B_{c_1,c_2}f=f$ for $1{\leq}p<{\infty}$. We find the identity operator on $M^p_{c_1,c_2}$ by using invariant Laplacians and we characterize some special type of functions in $M^p_{c_1,c_2}$.

• 대한환경공학회지
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• 제38권6호
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• pp.317-322
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• 2016

PFOS sodium salt ($C_8F_{17}SO_3Na$)는 28일 동안 미생물에 의한 분해가 이루어지지 않은 반면 4종의 대체물질($C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$, $C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$, $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$, $C_{17}F_9H_{25}S_2O_8Na_2$)은 각각 21.6%, 20.5%, 15.8% 그리고 6.4% 분해가 이루어졌다. Daphnia magna를 이용하여 48시간 동안 수행한 물벼룩급성독성시험에서 sodium salt ($C_8F_{17}SO_3Na$)의 반수영향농도($EC_{50}$)는 54.5 mg/L 인 것으로 확인된 반면 4종의 대체물질은 500.0 mg/L에서 아무런 영향이 나타나지 않았다. 500.0 mg/L에서 PFOS sodium salt($C_8F_{17}SO_3Na$)의 표면장력은 46.2 mN/m이었으며 대체물질 4종의 표면장력은 모두 PFOS sodium salt 보다 우수한 것으로 확인되었다. $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$ (20.9 mN/m)는 가장 낮은 표면장력을 갖고 있었다. 그 다음은 $C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$ (23.4 mN/m), $C_{17}F_9H_{25}S_2O_8Na_2$ (27.3 mN/m) 그리고 $C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$ (28.2 mN/m) 순인 것으로 확인되었다. 미생물분해시험, 물벼룩급성독성시험 그리고 표면장력측정 결과를 종합해 보면 4종의 PFOS 대체물질($C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$, $C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$, $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$, $C_{17}F_9H_{25}S_2O_8Na_2$)은 모두 PFOS sodium salt ($C_8F_{17}SO_3Na$) 보다 우수한 것으로 확인되었으며 특히 3종의 대체물질($C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$, $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$, $C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$)은 미생물분해율이 15.8~21.6%로 상대적으로 높고, 물벼룩급성독성과 표면장력측정이 PFOS sodium salt 보다 상당히 우수하다. 그러므로 이들 4종의 대체물질은 PFOS 대체물질로 활용이 가능할 것으로 판단된다.

• 대한화학회지
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• 제43권1호
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• pp.52-57
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• 1999

In($C_6F_5)_3{\cdot}D(D=CH_3CN$, O($C_2H_5)_2$)와 ($CH_3)_3SiC_6F_5$/CsF, $C_6F_5$MgBr 또는 Cd($C_6F_5)_2$을 반응시켜 [In($C_6F_5)_4$]- 음이온 화합물을 합성하였으나, 이들 indium(III) 음이온 화합물들은 온도에 민감하고 습기에 대해 불안정하다. 안정한 indium(III) 음이온 착물은 PNPCl(PNP=bis(triphenylphosphino)ammonium)과의 양이온 치환반응시켜 얻었으며, 관 크로마토 그래피를 이용하여 분리 정제하였다. 합성된 화합물의 특성은 핵자기 공명 분석법, 적외선 분광분석법, 분자량 측정, DTA/TG 그리고 원소분석법을 이용하여 조사하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.36-36
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• 2010

Low-pressure fluorocarbon plasmas are widely used in microelectronics fabrication for a variety of surface modification purposes. In particular, fluorocarbon plasmas are used for the etching of dielectrics such as silicon dioxide and silicon nitride. Among the various fluorocarbons, this study focuses on C4F6 molecules (C4F6s) which are composed of hexafluorocyclobutene (c-C4F6), hexafluoro-1, 3-butadiene (1, 3-C4F6), and hexafluoro-2-butyne (2-C4F6). We have investigated the dissociation reactions of C4F6s, resulting in CF2, CF3, C2F3, and C3F3 fragments, by using the wB97X-D functional with various basis sets. In this presentation, the geometrical properties, energetics, and dissociation mechanisms of C4F6s will be suggested.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제2권4호
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• pp.269-272
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• 1970

순도 99.98%의 LiF 분말에서 열형광을 검출하였으며 이 때 glow curve의 Peak는 12$0^{\circ}C$, 22$0^{\circ}C$ 및 30$0^{\circ}C$에 있다. 이 LiF 분말에 중량비로 2%(mol 비로 4%)의 MgC1$_2$를 첨가하여 소결시킨 LiF 분말은 비약적으로 강한 열형광을 발휘하였으며 그 flow curve의 특성이 상세하게 조사되었다. 열형광선량계로서 이용되고 있는 LiF는 Mg, Mn 등의 불순물에 의한 전자 trap을 가지고 있는 것이 알려져 있으며 이 실험결과는 이들 불순물중의 하나인 Mg가 확실히 LiF의 결정내에 확신된 것을 시사한다. 소결시간의 효과를 glow curve에서 명확하게 검출하였고 또한 원료인 MgC1$_2$도 열형광을 발휘한다는 것이 이 glow curve를 얻음으로써 확인되었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권2호
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• pp.90-94
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• 2015

In this study, the characterizations of oxide contact hole etching are investigated with C₄F₈/O₂/Ar and CH₂F₂/C₄F₈/O₂/ Ar plasma. As the percent composition of C₄F₈ in a C₄F₈/O₂/Ar mixture increases, the amount of polymer deposited on the etched surface also increases because the C_xF_y polymer layer retards the reaction of oxygen atoms with PR. Adding CH₂F₂ into the C₄F₈/O₂/Ar plasma increases the etch rate of the oxide and the selectivity of oxide to PR. The profile of contact holes was close to 90°, and no visible residue was seen in the SEM image at a C₄F₈/(C₄F₈+O₂) ratio of 58%. The changes of chemical composition in the chamber were analyzed using optical emission spectroscopy, and the chemical reaction on the etched surface was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy.

• 한국진공학회지
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• 제7권4호
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• pp.368-373
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• 1998

초고집적 회로의 미세화에 따라 다층배선에서 기생저항(parasitic resistance)과 정전 용량의 증가는 RC시정수(time constant)의 증가로 인하여 소자의 동작속도를 제한하고 있 다. 이로 인하여 발생되는 배선지연의 문제를 해결하기 위하여 매우 낮은 유전상수를 갖는 층간 절연물질이 필요하다. 이러한 저유전상수 층간절연물질로서 현재 유기계 물질중의 하 나인 a-C:F이 주목받고 있는 물질이다. 본 연구에서는 ECRCVD를 이용하여 a-C:F박막과 Si기판사이의 밀착력을 향상시키기 위하여 a-C:H박막을 500$\AA$증착한 후 a-C:F을 증착전력 500W에서 원료가스의 유량비($C_2F_6, CH_4/(C_2F_6+CH_4)$))를 0~1.0까지 변화시키면서 상온에서 증착하 였다. a-C:F박막의 특성은 SEM, FT0IR, XPS, C-V meter와 AFM등을 이용하여 두께, 결 합상태, 유전상수, 표면형상 및 표면 거칠기를 관찰하였다. a-C:F박막에서 불소함량은 가스 유량비가 1.0일 경우에는 최대 약31at.%정도 검출되었으며, 가스 유량비가 증가됨에 따라 증 가하였다. 또한 유전상수는 a-C:H의 유전상수 $\varepsilon$=3.8에서 $\varepsilon$=2.35까지 감소하였다. 이는 영 구 쌍극자 모멘트가 1.5인 C-H결합은 감소하고 영구 쌍극자 모멘트가 0.6, 0.5인 CF, CF2결 합이 증가하였기 때문이다. 하지만 $400^{\circ}C$에서 질소분위기로 1시간 동안 furnace열처리 후에 가스유량비가 1.0인 a-C:F박막에서 불소의 함량이 감소하여 C-F결합이 줄어들었다. 이로 인하여 유전상수가 열처리전의 2.7에서 열처리후 3.2까지 상승하였다.