Production of haploids in vitro anther culture of Nicotiana tabacum L. was oriented in a large number on a chemically defined culture medium. The haploids were screened for T.M.V. resistance and the segregating ratio in F$_1$ were in good agreement with the expected ratio.
We have fabricated vortical type organic thin film transistors (OTFTs) consisting of ITO/n type active material/Al gate/n type active material/Al using F16CuPc, NTCDA, PTCDA and PTCDI C-8. The effect of mobility of n type active materials and thin film thickness on current-voltage (I-V) characteristics and on/off ratios were investigated. The vortical type organic transistor using PTCDI C-8 exhibited low operation voltage and high on-off ratio. In addition, we have investigated the feasibility of application in organic light emitting transistor using light emitting polymer. Especially, the light emitting transistor consisting of ITO/PEDOT-PSS/P3HT/F16CuPc/Al gate/F16CuPc/Al showed the maximum quantum efficiency of 0.054.
Journal of the Earthquake Engineering Society of Korea
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v.10
no.2
s.48
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pp.51-62
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2006
In the companion paper (I-Problem Statements of the Current Seismic Design Code), the current Korean seismic design code is required to be modified considering site characteristics in Korea for the reliable estimation of site amplification. In this paper, three site classification methods based on the mean shear wave velocity of the top 30m $V_{S30}$, fundamental site periods $(T_G)$ and bedrock depth were investigated and compared with each other to determine the best classification system. Not enough of a difference in the standard deviation of site coefficients $(F_a\;and\;F_v)$ to determine the best system, and neither is the difference between the average spectral accelerations and the design response spectrum of each system. However, the amplification range of RRS values based on $T_G$ were definitely concentrated on a narrow band than other classification system. It means that sites which have a similar behavior during earthquake will be classified as the same site category at the site classification system based on $T_G$. The regression curves between site coefficients and $T_G$ described the effect of soil non linearity well as the rock shaking intensity increases than the current method based on $V_{S30}$. Furthermore, it is unambiguous to determine sue category based on $T_G$ when the site investigation is performed to shallower depth less than 30m, whereas the current $V_{S30}$ is usually calculated fallaciously by extrapolating the $V_s$ of bedrock to 30m. From the results of this study, new site classification system based on $T_G$ was recommended for legions of shallow bedrock depth in Korea.
To investigate optical properties of (V, Pr)-doped $ZrSiO_4$ green pigments, samples were prepared by the ceramic method using NaF and NaCl as mineralizers. They were characterized by X-ray diffraction, UV-Vis spectroscopy and Raman spectroscopy. The changes of color in the samples during heating and effect of mineralizers were studied in terms of valence of the vanadium and praseodymium in the zircon matrix. (V, Pr)-doped $ZrSiO_4$ pigments give rise to green coloration in $800^{\circ}C$. The oxidation state of V and Pr ions of pigments in the glazed samples were confirmed by UV-Vis absorption spectra. This absorption spectra showed three typical bands of trivalent Pr at the 445, 480~490, 592 nm due to f-f transitions and two broad bands of 302~380, 400~500 nm due to f-d transitions of tetravalent Pr. According to the increasing amounts of $Pr_6O_{11}$, the two broad bands showed decreasing intensity at 290, 640 nm due to d-d transitions of tetravalent V.
Journal of the Korean Society of Clothing and Textiles
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v.19
no.3
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pp.471-482
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1995
Using the acetate velvet and viscose velvet whose pile lengths were sheared as 1.45, 1.55, 1 65, 1.75, 1.85, 1.90mm under the condition equating the weaving process of ground fabric, the conclusions were as follows through the results of the sensory assessments estimated by women students in our university and the physical properties, H. V and T. H. V obtained by KES-F system. 1. In the sensory assessments estimated by the method of paired comparison and ranking of samples, the longer pile length was, the more the hand values of smoothness, softness, thickness, heaviness increased on the whole. 2. The H V. and T. H. V. measured by KES-F system were as follows; Kohi increased to pile length 1.85mm and then decreased a little at 1.90mm. hummer increased as pile length was longer. Fukurami increased to pile length 1.75mm and then decreased gradually as pile length was longer. Total hand value increased gradually from 1. 45mm to 1.85mm, had the top value at 1.85mm, and then decreased a little at 1.90mm. 3. In the results of summarizing $\ulcorner$the physical properties correlated closely with the H. V obtained by sensory assessments$\lrcorner$ and tithe Physical properties correlated closely with the H. V. and T. H. V obtained by KES-F systems, it showed that all the sensory properties correlated closely with compressive energy, flexural rigidity, thickness, weight and pile ratio in the former and that the physical properties correlated closely with each H V and T. H. V were different in the latter. 4. It showed that factor 1 was related to compressive energy, thickness, weight, pile ratio, factor 2 was related to recovery energy, compressive resilience, compressive index, and factor 3 was related to compressive recovery ratio in the result of factor analysis. 5. In the multiple repression analysis, the expressions of all sensory properties had compressive ratio, frictional coefficient in the regression expressions of $\ulcorner$H. V. obtained by sensory assessments$\lrcorner$, while the expressions of each H. V. and different physical properties in the regression expressions of $\ulcorner$H. V. obtained by KES-F system$\lrcorner$.
The objective of this work Is to design, fabricate, and characterize pseudo-capacitor using amorphous $MnO_2\;nH_2O$ electrode material. The cyclic voltammogram under 100mV/s scan rate of the material shows the electrochemically stable potential window of 1V and the specific capacitance of 250F/g. The TDMA pulse test result indicates that the TDMA system (2 parallel-pseudo-capacitor systems) has the ohmic voltage drop of 0.22V and the capacitor voltage drop of 0.38V. The total voltage drop of the TDMA system is 0.60V and less than 1V of which value is the maximum voltage drop requirement or the TDMA satellite phone. Also, the TDMA system had the ESR of $55m{\Omega}$ and the capacitance of 105mF. Therefore, it is confirmed that the TDMA system has the application feasibility as load-leveling capacitor for the satellite phone.
Two kinds of crude oil-degrading microorganisms from soil and one kind from sea were isolated and named strain Al32, strain F722 and strain OM1, respectively. These microorganism were identified Acinetobacter sp., Pseudomonas aeruginosa and Acinetobacter calcoaceticus, respectively. The optimum cultivation temperature of Acinetobacter sp. A132 and P. aeruginosa F722 was $35^{\circ}C$ and optimum growth pH was 8 and 9, respectively. The growth was the highest at 2.0% (w/v) substrate concentration when crude oil was only carbon source. The growth of A. calcoaceticus OM1 isolated from sea was the highest at 3.0% (w/v) of crude oil. In inspection of crude oil degradability, strain Al32 showed 5.49 g/L.day with Eleuthera (OMAN), 2.0% (w/v). P. aeruginosa F722 showed 1.19 g/L g/L.day with L-Zakum (AFRICA). In case of kerosene $nC_9\simnC_{20}$ and diesel $nC_9\simnC_{28}$, A. calcoaceticus OM1 was degraded 95% and 75%, respectively, for 7 days culture, and P. aeruginosa F722 was 80% after 10 days.
Kim, Jun-Sik;Choe, Yeong-Ho;Park, Geun-Yeong;Choe, Si-Yeong
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.4
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pp.35-40
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2002
Ultra-power-saving SBR has been fabricated by using vanadium and molybdenum with low work function. Because reverse leakage current is increased in inverse proportion to work function, we implanted argon ion on the n-Si layer for decreasing leakage current. The dose and acceleration energy of the argon implantation in the silicon was 1$\times$10$^{14}$ ion/$\textrm{cm}^2$, 40 keV, respectively. The forward voltages drop of fabricated V-SBR and Mo-SBR were 0.25 V and 0.39 V at the same forward current density of 60 A/$\textrm{cm}^2$. As a result, it was found that the reverse leakage current of the fabricated V-SBR was reduced over 20$mutextrm{A}$ by the argon implantation in comparison with the no implanted V-SBR. Also, owing to argon implantation, the inferiority of characteristic of the SBR was not detected.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.35D
no.6
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pp.21-27
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1998
Electrical and optical characteristics of ZnS:Mn/ZnS:Tb multilayer TFEL devices were investigated for multi-color electroluminescent display applications. Emission spectra of M $n^{2+}$ and T $b^{3+}$ ions were observed from ZnS:Mn/ZnS:Tb multi-layer TFEL devices, and were very broad from 540 nm to 640 nm. Saturation luminance measured at 155 V was 1025 Cd/$m^2$. C-V, $Q_{t}$ - $V_{p}$ curves showed that the phosphor capacitance ( $C_{p}$ ) and the insulator capacitance ( $C_{i}$ ) were 13.5nF/$\textrm{cm}^2$ and 60 nF/$\textrm{cm}^2$, respectively. Threshold voltage( $V_{thl}$) was shown to decrease from 126 V to 93 V due to the increase of the applied voltage from 155 V to 185 V, which was attributed to the increase of the polarization charge. The equation for the calculation of the threshold voltage as a function of the applied voltage was proposed for the first time. The calculated threshold voltage agreed well with the data obtained from the measurement.t.t.t.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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