• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.319-322
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• 2003

To match the charge induced by the insulators $CeO_2$ with the remanent polarization of ferro electric SBT thin films, areas of Pt/SBT/Pt (MFM) and those of $Pt/CeO_2/Si$ (MIS) capacitors were ind ependently designed. The area $S_M$ of MIS capacitors to the area $S_F$ of MFM capacitors were varied from 1 to 10, 15, and 20. Top electrode Pt and SBT layers were etched with for various area ratios of $S_M\;/\;S_F$. Bottom electrode Pt and $CeO_2$ layers were respectively deposited by do and rf sputtering in-situ process. SBT thin film were prepared by the metal orgnic decomposition (MOD) technique. $Pt(100nm)/SBT(350nm)/Pt(300nm)/CeO_2(40nm)/p-Si$ (MFMIS) gate structures have been fabricated with the various $S_M\;/\;S_F$ ratios using inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE). The leakage current density of MFMIS gate structures were improved to $6.32{\times}10^{-7}\;A/cm^2$ at the applied gate voltage of 10 V. It is shown that in the memory window increase with the area ratio $S_M\;/\;S_F$ of the MFMIS structures and a larger memory window of 3 V can be obtained for a voltage sweep of ${\pm}9\;V$ for MFMIS structures with an area ratio $S_M\;/\;S_F\;=\;6$ than that of 0.9 V of MFS at the same applied voltage. The maximum memory windows of MFMIS structures were 2.28 V, 3.35 V, and 3.7 V with the are a ratios 1, 2, and 6 at the applied gate voltage of 11 V, respectively. It is concluded that ferroelectric gate capacitors of MFMIS are good candidates for nondestructive readout-nonvolatile memories.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.277-281
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• 2003

Effects of $CaF_2$ addition as a filler on the high frequency dielectric properties and sintering of CaO-$Al_2O_3-SiO_2-B_2O_3$(CASB) and ZnO-MgO-$B_2O_3-SiO_2$(ZMBS) glass composites were investigated. The optimal glass composition in the CASB system was 33.0CaO-$17.0Al_2O_3-35.0SiO_2-15.0B_O_3$(in wt%). The corresponding dielectric properties were k=8.1 and $Q{\times}fo$=1,200GHz. The sintering temperature was $800{\mu}m$. In case of 2MBS system, 25.0ZnO-25.0MgO-20.0$B_2O_3-30.0SiO_2$(in wt%) glass showed k=6.8 and $Q{\times}fo$=5,200GHz when it was sintered at $750^{\circ}C$. The maximum amount of $CaF_2$ in the CASB and 2MBS glass system without any detrimental effect on the sintering was 25.0 v/o and 15.0 v/o, respectively. The addition of $CaF_2$ in the glass systems improved the high frequency dielectric properties. In case of CASB+$CaF_2$ composite, k was 7.1 and $Q{\times}fo$ was 2,300GHz. And in case of 2MBS+$CaF_2$ composite, k was 5.9 and $Q{\times}fo$ was 8,100GHz. $CaF_2$ addition also reduced sintering temperature. Effects of $CaF_2$ on the dielectric and sintering properties was analyzed in terms of viscosity and crystallization behavior changes due to the interaction between $CaF_2$ and the glass systems.

• 한국생물공학회:학술대회논문집
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• 한국생물공학회 2003년도 생물공학의 동향(XII)
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• pp.393-397
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• 2003

P. aeruginosa F722는 탄화수소를 분해하는 과정에 biosurfactant (BS)를 생산한다. 탄화수소 분해에 사용되는 C-배지에서 BS 생산량은 0.78 $g/{\ell}$ 이였나, 질소원과 탄소원을 각각 0.05% (w/v) $NH_4Cl\;+\;0.1%$ (w/v) yeast extract과 3.0% (w/v) glucose로 조정한 경우는 BS 생산량이 1.66 $g/{\ell}$로 증가하였다. 최적의 BS 생산조건으로 배양하는 동안 air 1.0 LPM를 공급해 주었을 때는 공기를 공급하지 않을 때의 1.66 $g/{\ell}$보다 약 20% 증가한 1.94 $g/{\ell}$이였다. 뿐만 아니라, glucose 분해속도는 대수증식기와 정지기에서 air를 공급하지 않은 경우0.25, 0.18 $h^{-1}$였으나, 1.0 LPM를 공급한 경우 0.33, 0.29 $h^{-1}$로 조사되었다. 또한, air를 공급하면서 BS 생산 실험을 수행하였을 때, BS 활성이 더 안정적이었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제16권5호
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• pp.181-188
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• 2006

스컬용융법에 의해 성장시킨 rutile단결정을 성장 축과 수평 또는 수직으로 절단한 후 ${\phi}5.5mmx1.0mm$ 크기의 웨이퍼로 양면연마 하였다. 연마한 흑색 웨이퍼들은 $1200^{\circ}C$에서 $3{\sim}15$시간, $1300^{\circ}C$에서 $10{\sim}50$시간 annealing을 행함에 의해 옅은 황색으로 변화되었다. Annealing 후 구조적 및 광학적 특성은 비중, SEM-EBSP, XRD, FT-IR, laser Raman, PL 그리고 XPS 등으로 분석하였고, 이들 결과들은 공기중의 무게 증가, 수중의 무게 및 비중의 감소,침상의 2차상, 산소이온 확산 및 $Ti^{3+}$ 이온이 감소되는 것으로 분석되었다. 이는 스컬용융법에 의해 성장된 rutile 단결정에 $O_v,\;Ti^{3+},\;O_v-Ti^{3+}$ interstitial 그리고 $F^+-H^+$와 같은 결함의 존재를 의미한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1381_1382
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• 2009

Nondestructive tests were performed on two 4.16kV motors. Epoxy-mica coupler(80pF) was connected to 4.16 kV motor stator windings. The voltage applied to the stator windings was 2.4 kV, 3.0kV, 3.5kV and 4.16kV, respectively. Digital partial discharge detector(PDD) and turbine generator analyzer(TGA) were used to measure partial discharge(PD) activity. TGA summarizes each plot with two quantities such as the normalized quantity number(NQN) and the peak PD magnitude(Qm). The PD levels in pC were measured with PDD. PD patterns of stator windings were indicated the internal discharge. PD patterns are consistent with the result of measurement using PDD and TGA.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.507-510
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• 2000

The purpose of this study is to research and developV$_2$O$_{5}$-SP270 composite electrode for supercapacitor. Property of an electrical double layer capacitor depend both on the technique used to prepare the electrode and on the current collector structure. The study is to research that V$_2$O$_{5}$-carbon composite electrode for supercapacitor with different voltage range. Suprcapacitor cell of V$_2$O$_{5}$-SP270 composite electrode with 25PVDFLiC1O$_4$PC$_{10}$ polymer electrolyte bring out good capacitor performance below 3V. The discharge capacitance of SP270 in 1st cycles was 13F/g at 0.1mA/cm$^2$, 3V. We performed cycle voltammogram, charge/discharge property.y.rty.y.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.366-369
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• 1999

The purpose of this study is to research and develop V2Os-AC(activated carbon) composite electrode for supercapacitor. Supaercapacitor cell of V2Os-AC composite electrode with 25P70FLiCIO$_{4}$/PC$_{10}$/EC$_{10}$ polymer electrolyte bring out good capacitor Performance below 3V. The discharge capacitance of V2Os-AC(30:70) composite with 70wt.% AC in 1st and 200th cycles was 9.6 and 8.2 F/g at current density of 1m7/cm2. The capacitance of V$_2$O$_{5}$-AC composite with 70wt.% AC capacitor was larger than that of others. The coulombic efficiency of supercapacitor at discharge process of 1 and 200 cycles were 96 and 100%, respectively. V$_2$O$_{5}$-AC composite supercapacitor with 70wt.% AC content showed good capacitance and stability with cycling.ing.ing.

• 센서학회지
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• 제10권6호
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• pp.295-303
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• 2001

형광체로서 ZnS를 사용하고 BST 강유전체 박막을 절연체로 사용한 전계발광소자를 제작하고 그 특성을 조사하였다. 형광체로는 청색 및 녹색발광을 위해 각각 $ZnS:AgF_3$와 ZnS:$TbF_3$를 사용하였으며 적색을 위해 ZnS:Mn과 $ZnS:SmF_3$를 사용했다. 이들의 형광체가 증착 도중에 분해되는 것을 막기 위해 석영관에 그들을 각각 봉입해서 열처리하여 결정화시킨 후에 진공증착원으로 사용하였다. 한편 절연층으로 사용한 BST박막은 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$세라믹스 타겟을 사용하여 마그네트론 스퍼터링 방법으로 제조하였다. 이때 기판온도, 분위기압 및 작동기체인 $Ar:O_2$의 비가 각각 $400^{\circ}C$, 30 mTorr 및 9:1이였다. 각 형광체의 두께는 150 nm씩 합계 600 nm였고, 절연층은 상부가 400 nm 및 하두가 200 nm이었다. 이와 같이 만든 박막 전계발광소자의 발광 문턱전압은 $75\;V_{rms}$이고, 최고 휘도는 $100\;V_{rms}$에서 $3200\;cd/m^2$이었다. 그리고 절연층의 유전상수는 1 kHz에서 254이다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제3권2호
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• pp.105-114
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• 1990

SiO$_{2}$막을 NH$_{3}$분위기에서 급속열처리 하여 nitroxide막을 생성시키고 그 전기적 특성을 조사하였다. 굴절율과 유전율은 열처리시간과 온도에 따라 증가 하였으며 IR스펙트럼분석으로 SiO$_{2}$박이 질화된 것을 확인하였다. 절연파괴내력은 대체로 SiO$_{2}$막보다 우수하였으며 .+-.BT 처리와 C-V측정의 결과 nitroxide막이 초기 산화막보다 고전계 stress에 대해 안정한 특성이 나타났다. MIS 다이오드의 1/f 잡음 특성은 C-V 측정결과와 비슷한 경향을 나타내어 1/f 잡음특성이 박막의 계면특성과 밀접한 관련성이 있음을 알 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.77-78
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• 2006

최근 flexible OLED의 구동에 사용하기 위한 유기박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)의 연구에서는 용매에 용해되어 spin coating이 가능한 재료의 개발에 관심을 두고 있다. 현재 pentacene으로는 아직 spin coating으로 제작할 수 있는 상용화된 제품이 없고 spin coating이 가능한 활성층 물질(active material)로 P3HT가 쓰이고 있다. 본 연구에서는 용해 가능한 P3HT 활성층 물질과 여러 종류의 용해 가능한 게이트 절연물(gate insulator, Gl)을 사용하여 안정된 소자를 구현할 수 있는 공정을 개발하는 목적으로 metal-insulator-semironductor(MIS) 소자를 제작하여 C-V 특성을 측정하고 분석하였다. 먼저 7mm${\times}$7mm 크기의 pyrex glass 시편 위에 바닥 전극으로 $1600{\AA}$ Au을 증착하고 spin coating 방식을 이용하여 PVP, PVA, PVK, BCB, Pl의 5종류의 게이트 절연층을 각각 형성하였고 그 위에 같은 방법으로 P3HT를 코팅하였다. P3HT 코팅 시 bake 공정의 유무와 spin rpm의 변화에 따른 P3HT의 두께를 측정하였다. Gl의 종류별로 주파수에 따른 capatltancc를 측정하여 비교, 분석하였다. C-V 측정 결과 PVP, PVA, PVK, BCB, Pl의 단위 면적당 capacitance 값은 각각 1.06, 2.73, 2.94, 3.43, $2.78nF/cm^2$로 측정되었다. Threshold voltage, $V_{th}$는 각각 -0.4, -0.7, -1.6, -0.1, -0.2V를 나타냈다. 주파수에 따른 capacitance 변화율을 측정한 결과 Gl 물질 모두 주파수가 높을수록 capacitance가 점점 감소하는 경향을 보였으나 1${\sim}$2nF 이내의 범위에서 작은 변화율만 나타냈다. P3HT의 두께와 bake 온도를 변화시켜 C-V 값을 측정한 결과 차이는 없었다. FE-SEM으로 관찰한 결과에서도 두께나 온도에 따른 P3HT의 표면 morphology 차이를 확인할 수 없었다. 본 연구에서 PVK와 P3HT의 조합이 수율(yield)면에서 가장 안정적이면서 $3.43\;nF/cm^2$의 가장 높은 capacitance 값을 나타내고 $V_{th}$ 값 또한 -1.6V로 가장 낮은 값을 보였다.