Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2006.10a
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pp.154-157
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2006
ITO(indium tin oxide)/glass 기판 위에 PEDOT:PSS[poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)]와 PVK[poly(N-vinyl carbazole)] 고분자 물질을 정공 주입 및 수송층으로, 발광층으로 PFO-poss[Poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with POSS]를 사용하여 스핀코팅법과 열 증착법으로 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조의 고분자 발광 다이오드를 제작하였다. PFO-poss 유기발광 층의 열처리 조건 (온도, 시간)이 PLED 소자의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 1 wt%의 농도를 갖는 PFO-poss 유기물 발광 층을 200C 온도로 3시간 열처리 할 경우 11 V 인가전압에서 $1497\;cd/m^2$의 최대 휘도를 나타내었다. 동일온도에서 열처리 시간을 1시간에서 3시간으로 증가시킬 경우 휘도의 증가와 함께 발광 개시온도가 감소하는 경향을 보여주었다. 또한 열처리 온도와 시간을 증가시킬 경우 제2발광피크인 excimer 피크가 크게 나타났으며 청색에서 황색 발광 쪽으로 천이되는 경향을 나타내었다.
For this research an extension of the LIF technique that the LIEF(Laser Induced Exciplex Fluorescence) technique has been used LIEF technique is the unique method to allows the visualization of fuel vapor phase and liquid phase individually by capturing each signals of them. In this work performed that the basic procedure for advanced LIEF technique using TEA and benzene as dopants md high power KrF excimer laser to excite the dopants. Iso-octane is used as the fuel because it does not absorb light at the laser wavelength. The boiling point of benzene and TEA are $81^{\circ}C\;and89^{\circ}C$, respectively, in comparison to $99^{\circ}C$ for iso-octane. It is observed that the behavior and distribution of high pressed fuel injection from various test condition. The injection pressure is set as 3MPa. and 5MPa. And the ambient pressure of test chamber is atmospheric pressure and 1MPa, the ambient temperature of chamber is room temperature, $300^{\circ}C\;and\;500^{\circ}C$ to imitate the condition of GDI engine cylinder.
Two bicarbazyl-containing fluorene copolymers, PFEBCz (95/5) and PFEBCz (75/25), were synthesized for white light electroluminescence from a single emitting polymer. All synthesized polymers were soluble in common organic solvents such as chloroform and toluene. The weight-average molecular weights (Mw) of the PFEBCz (95/5) and PFEBCz (75/25) copolymers were found to be 11,000 and 5,700 with polydispersity indices 1.4 and 1.8. The EL spectrum of the PFEBCz (75/25) device showed bright white-light emission with CIE coordinates of (0.32, 0.34) at 1000 cd/m2, which is very close to that for pure white (0.33, 0.33). This white emission may have been due to strong excimer formation between the bicarbazyl and fluorene polymer backbone. The device exhibited a maximum brightness of 3400 cd/m2 with a maximum efficiency of 0.2 cd/A.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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1997.10a
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pp.887-890
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1997
Recently micromachining using DPSSL(Diode Pumped Solid State Laser) with 3rd harmonic wavelength is actively studied in laser machining area. Micromachining using DPSSL have outstanding advantages as UV source comparing with excimer laser in various aspect such a maintenance cost, maskless machining, high repetition rate and so on. In this study micro-drilling of PCB type substrate which consists of Cu-PI-Cu layer was performed using DPSS Nd:YAG laser(355nm, wavelength) in vector scanning method. Experimental and numerical method(Matlab simulation, FEM) are used to optimize process parameter and control machining depth. The man mechanism of this process is laser ablation. It is known that there is large gap between energy threshold of copper and that of PI. Matlab simulation considering energy threshold of material is performed to effect of duplication of pulse and FEM thermal analysis is used to predict the ablation depth of copper. This study could be widely used in various laser micromachining including via hole microdrilling of PCB, and micromachining of semiconductor components, medical parts and printer nozzle and so on.
Laser Raman scattering method has been applied to measure equivalence ratio of methane/air mixture in injected spray. We used high power KrF excimer laser$(\lambda=248nm)$ and a high gain ICCD camera to capture low intensity signal. Raman shifts and Raman scattering cross -sections of $H_2,\;O_2,\;N_2,\;CO_2,\;CH_4\;and\;C_3H_8$ are measured precisely. Our results show an excellent agreement with those of other groups. Mole fraction measurement of $O_2\;and\;N_2$ from air shows that $O_2:N_2=0.206:0.794$. We used gas injector which was operated at 1 bar. Methane is used as a fuel. Spray region is $10mm\times37mm$ and this region is divided into 80 points. In Raman signals are obtained and ensemble averaged for each point. 3-d and contour plot of distribution of equuivalence ratio is presented. Our measured results show that the equivalence ratio of methane/air mixture in methane-rich region is reasonable. However, more study is necessary for methane-lean region because background noise level is almost same as Raman intensity of methane.
We fabricated a number of optical fiber Bragg gratings by varying the UV beam parameters such as the laser energy density, pulse repetition rate and exposing time. The reflectance and the Bragg wavelength shift of the fiber Bragg gratings formed with a KrF excimer laser in real time depend strongly on the UV beam parameters. The index changes in the gratings during the exposing time are well fitted to the well known equations.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.287.1-287.1
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2014
본 연구에서는 현재 디스플레이에서 가장 널리 이용되는 저온 polycrystalline silicon (poly-Si)의 결정화 방법에 따른 thin-film transistor (TFT)의 전기적 특성을 분석하였다. 분석에 이용된 결정화 방식은 Excimer Laser Annealing (ELA)와 Metal Induced Crystallization (MIC)이다. ELA와 MIC TFTs의 전기적 특성 측정을 통한 분석결과 ELA와 MIC poly-Si TFTs의 전기적 특성 [field-effect mobility (${\mu}_{FE}$), on/off current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$), sub-threshold swing (SS)]은 큰 차이는 없지만, ELA를 이용한 poly-Si TFT의 전기적 특성이 조금 우수하다. 하지만, MIC poly-Si TFT의 경우 threshold voltage ($V_{TH}$)가 0V에 보다 가까울 뿐만 아니라, 전기적 스트레스를 통한 신뢰성 확인 시 ELA poly-Si TFT보다 조금 더 안정적이다. 이는 ELA의 경우 좁은 면에 선형 레이저 빔으로 조사하면서 생기는 hill-lock의 영향으로 표면이 거칠고 균일하지 못하여 바이어스 인가시 생기는 문제이다. 또한 MIC는 금속 촉매를 이용해 결정립 경계를 확장하고 결정 크기를 키워 대면적화에 유리하다. Thermal Stress에서는 (from 293K to 373K) TFT에 점차 높은 온도를 가하자 MIC poly-Si TFT의 경우 off 상태에서 누설 전류 값이 증가하며 열에 민감한 반응을 보이는 것을 확인하였다.
Kim, Dong-Sik;Park, Hui-Gwon;Grigoropoulos, Costas-P.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.25
no.8
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pp.1140-1147
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2001
Experimental schemes that enable characterization of phase-change phenomena in the microscale regime are essential for understanding the phase-change kinetics. Particularly, monitoring rapid vaporization on a submicron length scale is an important yet challenging task in a variety of laser-processing application, including steam laser cleaning and liquid-assisted material ablation. This paper introduces a novel technique based on Michelson interferometry for probing the liquid-vaporization process on a solid surface heated by a KrF excimer laser pulse(λ=248nm, FWHM=24ns) in water. The effective thickness of a microbubble layer has been measured with nanosecond time resolution. The maximum bubble size and growth rate are estimated to be of the order of 0.1㎛ and 1m/s, respectively. The results show that the acoustic enhancement in the laser induced vaporization process is caused by bubble expansion in the initial growth stage, not by bubble collapse. This work demonstrates that the interference method is effective for detecting bubble nucleation and microscale vaporization kinetics.
In recent years, there has been highly interestedin pulsed laser deposition (PLD) method for fabrication of the organic thin films, as an alternative to conventional fabrication method such as vacuum evaporation and spin coating techniques. In this study, organic thin films of $Alq_3$ (aluminato-tris-8-hydroxyquinolate) and TPD for organic light emitting diodes (OLED) were deposited by PLD using KrF excimer ($\lambda$=278 nm) laser in nitrogen atmosphere. Deposited films were evaluated by photoluminescence(PL), Fourier-transform Infrared Spectroscopy (FT-IR) to study the effect of the laser and $N_2$ atmosphere parameters on the structural and optical properties.
Low temperature deposition of silicon and silicon nitride films by catalytic CVD technique was studied for application to thin film transistors on plastic substrates for flexible AMOLEDs. The substrate temperature initially held at room temperature, and was controlled successfully below $150^{\circ}C$ during the entire deposition process. Amorphous silicon films having good adhesion, good surface morphology and sufficiently low content of atomic hydrogen were obtained and could be successfully crystallized using excimer laser without a prior dehydrogenation step. $SiN_x$ films showed a good refractive index, a high deposition rate, a moderate breakdown field and a dielectric constant. The Cat-CVD silicon and silicon nitride films can be good candidates for fabricating thin films transistors on plastic substrates to drive active-matrix organic light emitting display.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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