We introduce the inline type mass production tool for the large size lighting OLEDs and flexible OLEDs. The manufacturing tool includes the linear belt source what is new concept for the organic deposition processes and the deposition operation combines directly to the encapsulation operation in a tool. The linear belt source evaporation in deposition processes is performed during the substrate transferring to innovatively improve the productivity in manufacturing.
Resistive heating sources are widely used to prepare thin films by vapor deposition because they are cheap, and easy to install and handle in vacuum system. Graphite is one of materials used to make the resistive heating source, but until now only limited applications have been possible as it reacts easily with evaporating materials at high temperature. In this study, evaporation characteristics of aluminum have been investigated by using graphite boat thermally treated with BN powder. The employed graphite boat has been prepared by spray-coating BN power onto the cavity surface of the boat and thermal treatment with aluminum in vacuum at the temperature of more than $1400^{\circ}C$. The voltage-current characteristics as well as resistivity changes of the graphite boat have been investigated during aluminum evaporation according to the applied voltage and time. The evaporation aspect has been picturized during flash evaporation for 40 seconds based on the characterization results. The evaporation rate of the graphite boat has been compared with that of BN boat. The graphite boat showed some different characteristics compared with BN boat, in that the evaporation occurred at the last stage of flash evaporation. The film appearance according to the applied voltage has been compared, and also the reflectance of the resulting film has been investigated according to the film thickness. It has been found that the graphite boat thermally treated with BN powder can be used for aluminum evaporation without problem.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.11
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pp.956-960
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2009
The characteristics of organic films can be affected by the temperature of evaporation source because the temperature of evaporation source has an effect on substrate temperature during OLED fabrication process using the thermal evaporation. To investigate the characteristics of OLED devices fabricated by using thermally damaged organic films, I-V-L and half life-time in OLED devices fabricated with various substrate temperatures were measured. During emission layer(EML) evaporation, OLED devices with a structure of ITO(100 nm)/ELM200(50 nm)/NPB(30 nm)/$Alq_3$(55 nm)/LiF(0.7 nm)/Al(100 nm) were fabricated at various substrate temperatures(room temperature, $30^{\circ}C$, $40^{\circ}C$, and $50^{\circ}C$). The characteristics of current density and luminance versus applied voltage in OLED devices fabricated shows that many electrical currents flowed and high brightness appeared at low voltage, but that the lifetime of OLED devices dropped suddenly. This phenomenon explained that the crystallization of $Alq_3$ thin film appeared owing to the substrate heating during evaporation.
In order to simulate OLED evaporation process, modeling of directional distribution of the vaporized organic materials, film thickness distribution profile and pattern-mask shadow effect are required In accordance with many literatures; all of them except shadow effect modeling are studied and developed. In this paper, modeling algorithm of evaporation shadow is presented for process simulation of full-color OLED evaporating system. In OLED evaporating process the offset position of the point cell-source against the substrate rotation axis and the usage of the patterned mask are the principal causes for evaporation shadow. For geometric simulation of shadow using z-map, the film thickness profile, which is condensed on a glass substrate, is converted to the z-map data. In practical evaporation process, the glass substrate is rotated. This physical fact is solved and modeled mathematically for z-map simulation. After simulating the evaporation process, the z-map data can present the shadow-effected film thickness profile. Z-map is an efficient method in that the cross-sectional presentations of the film thickness profile and thickness distribution evaluation are easily and rapidly achieved.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.7
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pp.620-628
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2008
Cadmium sulphide (CdS) thin film, which is used as a window layer of heterojunction solar cell, on the glass substrate was deposited by vacuum evaporation. Effects of deposition conditions such as the source and substrate temperature on electrical and optical properties of CdS films was investigated. As the source temperature was increased, the deposition rate of CdS films was increased. In addition, the optical transmittance and the electrical resistivity of CdS films were decreased as the source temperature was increased. This results were attributed to the increase of excess Cd amount in the film. The crystal structure of CdS films exhibited the hexagonal phase with preferential orientation of the (002) plane. As the substrate temperature was increased, the crystal structure of CdS films was improved and the resistivity of the films was increased due to the decrease of excess Cd in film.
The performance of an OLED fabrication system strongly depends on the design of the evaporation cell-source. Therefore, necessity of the preceding study for cell source development of new concept is becoming increase. A development plan to substitute for experiment is applied as use simulation. In this study interpret behavior of a particle through DSMC techniques, and in this paper presenting a form to make so as to have better performance of the pointtype cell source which had a nozzle.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.3
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pp.141-145
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2014
Tubular-shaped ZnO crystals were synthesized by thermal evaporation technique under air atmosphere. Mixture of Zn and Mg powder was used as the source material. The thermal evaporation and oxidation of Zn/Mg mixture were carried out for 1 hr at $1,000^{\circ}C$ and $1,200^{\circ}C$ under in air under atmospheric pressure. When only Zn powder was used as a source material, tetrapod-shaped ZnO crystals were synthesized. This provides that Mg played a key role in the formation of the tubular-shaped crystals. SEM images showed that the tubular-shaped ZnO crystals grew along [0001] direction. XRD spectrum revealed that the ZnO tubes had hexagonal wurtzite structure. Two emission peaks at 380 nm and 510 nm were observed in the room temperature cathodoluminescence spectrum.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.22
no.9
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pp.1267-1276
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1998
Falling-film evaporation experiments with aqueous lithium bromide (LiBr) solution were performed to investigate the heat transfer characteristics of enhanced copper tubes. Enhanced tubes (a knurled tube, a spirally grooved tube, and a tube coated with $20{\mu}m$ aluminum particles) and a bare tube were selected as test specimens. Averaged evaporation fluxes of water were obtained from horizontal tubes with various film Reynolds numbers, system pressures, LiBr concentrations and degrees of wall superheat. The enhanced performance of steam generation was compared between tubes with varying parameters. The knurled tube geometry showed the most excellent performance among the tubes tested. The specified enhanced tubes were more useful for generating steam on a low grade heat source such as waste heat.
The belt source evaporation is for the large size AMOLED devices to re-sublimate the organic film deposited on the metal plate. Using the plane source, the PL spectrum of the doped organic film has been studied for the first time. The PL peak of the pure Alq3 film was 512nm and that of the pure Rubrene was 557nm. The PL peak of the 2% Rubrene doped Alq3 film was shifted to $536{\pm}2nm$. The PL peak wavelength measured at the front surface of the film and at the back surface of the film was measured as nearly same as that the doping ratio maintains uniform within the film thickness. In conclusion, the doping control of the organic film becomes real using the belt type plate sublimation deposition.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1992.05a
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pp.101-104
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1992
In-doped CdS thin films have been deposited at 150$^{\circ}C$ by simultaneous thermal evaporation of CdS and In. Deposition rate and film thickness were 8A/sec and about 1um, respectively. Indium doping concentration of films varied as Indium source temperature from 500$^{\circ}C$ to 700˚. Properties of In-CdS films have been investigatied by measurements of electrical resistivity, Hall effect, X-ray diffraction and optical trasmission spectra. The conductivity of these films was always n-type. The resistivity, carrier concentration, mobility and optical band gap dependence on Indium source temperature are reported. Carrier concentration and mobility of In-CdS films increased with increasing Indium source temperature: then they decreased. The variation of the optical band gap of In-CdS thin films are related to carrier concentration.
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