• 자원ㆍ환경경제연구
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• 제13권4호
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• pp.621-655
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• 2004

교토 메커니즘에 따른 국제적 배출권 거래 제도의 지구온난화 가스 저감 효과는 부속서 I 국가들의 무역을 통한 탄소 유출(carbon leakage) 정도에 따라 크게 달라지게 될 것이다. 그리고 무역을 통한 탄소 유출의 정도는 각국의 경상 수지, 배출 수지, 배출 교역 조건 등에 의해 간접적으로 표출될 것이다. 이 논문에서는 부속서 I 국가들과 비부속서 I 국가들 간의 탄소 유출의 정도를 분석하기 위해 각국의 경상 수지와 무역에 함유된 $CO_2$배출량, 배출 수지, 배출 교역 조건 등을 국제 투입-산출 통계 등을 이용하여 계산하였다. 외국의 기존 연구에서는 일부 선진국들을 중심으로 배출 수지가 추정된 적은 있으나, 한국을 포함한 세계 전체의 무역을 통한 배출 수지에 대한 분석이 이루어진 적은 없었다. 이 논문은 세계 주요 배출국의 하나로서 한국을 포함한 세계 각 국 지역 간의 경상수지와 무역에 함유된 배출 수지, 배출 교역 조건 등에 대한 비교 분석을 국내에서는 처음으로 시도한 논문이다. 화석 연료의 대부분을 수입에 의존하는 한국으로서 GHGs 특히 $CO_2$의 배출 저감은 기후변화협약상의 저감 의무와 별개로 그 자체로서 매우 중요하다. 뿐만 아니라 한국도 교토 메커니즘을 활용할 수 있는 부속서 I 국가로서의 지위를 조만간 부여 받지 않을 수 없을 것으로 보아 한국과 교역 대상국 간의 배출 수지에 대한 분석 결과는 한국이 국제적 배출권 거래 제도 등을 이용하는데 유익한 자료가 될 것이다.

• 방사성폐기물학회지
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• 제18권2_spc호
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• pp.227-235
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• 2020

우리는 실험과 MCNP 시뮬레이션을 통해 전알파 분석법의 한계를 설명하였다. 국내에서 중·저준위 방사성폐기물 인도 규정 관련, 전알파 분석법은 방사성폐기물을 처분하기 위해 반드시 규명해야 할 방사성 특성평가 인자이다. 전알파 분석법은 시료 준비 절차가 간단하고 신속한 분석 결과를 제공하지만, 정량분석 인자로 사용하는 것은 적절하지 않다. KCl과 ²⁴¹Am을 이용하여 시편 건조고형물 무게에 따른 전알파 계측효율을 평가하였다. 동일한 무게의 시편일지라도 계측효율의 차이가 20% 나는 것을 확인하였고, 이는 시편의 물리적 형태가 서로 다르기 때문인 것으로 보인다. 토양 중 우라늄을 화학분리 한 후, ICP-MS로 우라늄을 직접 측정한 결과와 전알파 농도를 비교하였다. 전알파는 실제 우라늄 농도에 비해 50% 과소평가되었다. 알파핵종별 전알파 계측효율이 최대 3배 차이 나기 때문에, 전알파 분석결과는 개별 알파핵종의 합과 비교하기 보다는 스크리닝 개념으로 사용하는 것이 적절하다.

• 한국농공학회지
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• 제31권2호
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• pp.104-115
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• 1989

In an effort to clarify the wetted patterns of sandy loam soil under trickle irrigation conditions, the distance of wetted zone, infiltration capacity and soil wetted patterns, etc. were measured by gypsum block as soil moisture sensor located every 5 cm vertically and horizontaly in the soil bin under the such conditions as a). irrigation rates set to 2, 4, 6, 8 liters per hour b). total amount of water applied fixed to 14.62 liters per soil bin c) the hearing force of soil measured by plate penetrometer ranging from 1.04 to 1.22kg/cm$_2$ The results can be summarized as follows ; 1. The wetted distance in horizontal direction(H), the wetted distance in vertical direction(D), the horizontal infiltration capacity (iH) and the vertical infiltration capacity(in)could by explained as a function of time t. 2. The horizontal wetted distance (H) is explained by an exponetial function H= a$.$ t where b was found ranging from 021 to 026 under surface trickle irrigation, which was considered a lotlower than the classical value of 0.5 and these measurements were indifferent to the increasing irrigation rates. 3. As for the surface trickle irrigation where horizontal infiltration capacity(iH) is explained as iH = A $.$ t h, the coefficient A increases with respect to irrigation rates within the limits of 0.89~1.34. 4. In terms of surface trickle irrigation of the ratio of Dm Which is maximum vertical wetted distance to Hm, which is maximum horizontal wetted distance, found to be within range of 1.0 to 1.21. It was also noted that the value of Dm decreses when irrigation rates increases while the value of Hm changes the opposite direction. 5. The optimum location of sensors from emitter for surface trickle irrigation should he inside of hemisphere whose lateral radius is 28~30cm long and vertical radius is 10~12cm long. The distance between emitters should be within 60cm long. 6. In the study of vertical wetted distance( D) where D= a $.$ tb, the exponential coefficient b ranged from 0.61 to 0.75 in surface trickle irrigation, and from 0A9 to 0.68 for subsurface trickle irrigation. These measurements showed an increasing tendency to with respect to irrigation rates. 7. In case of vertical infiltration capacity( in), where iD= A $.$ t 1-h, the coefficient A for surface trickle irrigation found to be within range of 0.16 to 0.19 and did not show any relationships with varying degree of irrigation rates. However, the coefficient was varying from 0.09 to 0.22 and showed a tendency to increase vis-a-vis irrigation rates for subsurface trickle irrigation, in contrast. 8. In the observation of subsurface trickle irrigation, it was found that Dm/Hm ratio was within 1.52 to 1.91 and showed a decreasing tendency with respect to increasing rates of irrigation. 9. The location of sensors for subsurface trickle irrigation follows same pattern as above, with vertical distance from emitter being 10~17cm long and horizontal 22~25cm long. The location of emitter should be 50 cm. 10.The relationship between VS which is the volume of wetted soil and Q which is the total amount of water when soil is reached field capacity could be explained as VS= 2.914Q0.91and the irrigation rates showed no impacts on the above relationship.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제10권2호
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• pp.80-85
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• 2015

최근 전 세계적으로 ITC 기술을 이용한 항만 물류 분야의 경쟁력이 심화되는 추세를 보이고 있으며 현재 우리나라도 국가 전략적 차원에서 생산성 향상 및 서비스의 개선을 통한 고부가 가치를 획득하기 위한 u-Port(항만 물류) 사업이 진행 중이다. u-Port 사업에서 주된 기술 요소로 RFID/USN 기술이 사용되는데, 이 기술은 금속 환경에서의 태그 인식률이 좋지 않고, 인식거리가 짧다는 문제점들을 이유로 센서 노드들의 추가적인 배치를 통하여 관리를 하고 있다. 그러나 이러한 방법은 오차 범위가 크고 시스템 구축 초기비용 및 유지보수 비용이 많이 들어 U-Port용 시스템 구축에 여러 가지 문제점을 초래하고 있다. 이러한 문제점들을 개선하기 위하여 본 논문에서는 금속 태그 제작에 사용되는 급전의 문제점을 개선하고, 주변 환경 요소인 금속 물질로 인한 영향을 줄여 태그를 금속 물체에 부착 할 경우에도 장거리 인식율을 높일 수 있도록 인셋 급전을 적용한 산업용 RFID 적층형 마이크로스트립 패치 안테나를 설계하였다. 인셋 급전은 기존의 유도결합 급전을 이용한 구조와는 다르게 방사체와 급전선이 서로 분리되어 있지 않은 것이 가장 큰 특징이다. 이런 특징의 구조는 낮은 안테나 높이와 태그 칩에 임피던스 정합이 가능한 형태를 생산할 수 있게 해준다. 그러나 무조건 태그 안테나의 높이를 줄이면 안테나의 임피던스는 접지면과 방사체 사이의 기생 캐패시턴스가 증가하여 임피던스 정합의 어려움이 발생할 수 있으므로 단락 구조를 급전에 적용시켜 안테나의 임피던스를 인덕티브하게 만드는 방법을 이용하여 태그 안테나 설계 시 단점을 최소화하고 장점을 극대화 시켰다[1][2]. 이러한 기술적 요소들을 적용하여 본 논문에서는 마이크로스트립 패치 안테나를 변형된 형태로 설계하였고, 부착되는 금속물질의 영향을 줄이기 위해 인셋 급전을 이용하였으며, 안테나의 구성을 단일 층이 아닌 멀티층, 즉 방사체와 접지면 사이에 금속판을 삽입하여 특성저하를 감소시켰다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권2호
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• pp.114-121
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• 2001

능동제어형 전계방출 디스플레이의 전자공급원으로서 능동제어형 전계 에미터 어레이의 회로모델이 제안되었다. 능동제어형 전계 에미터 어레이는 전계방출을 안정화시키고 저전력구동을 위한 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터와 Spindt형 Mo 전계 에미터 어레이로 구성되었고 같은 유리기판 위에 제작되었다. 비정질 박막 트랜지스터와 Spindt형 Mo 전계 에미터 어레이의 전기적 특성으로부터 추출된 기본 모델 변수는 제안된 능동제어형 전계 에미터 어레이 회로모델에 입력되었고 SPICE 회로 시뮬레이터를 사용하여 특성을 분석하였다. 제작된 소자의 측정값과 DC 시뮬레이션 결과를 비교한 결과 두 값이 상당히 일치함으로써 등가회로 모델의 정확성을 확인하였다. 또한 제작된 소자의 transient 시뮬레이션 결과 전계 에미터 어레이의 게이트 커패시턴스와 TFT의 구동능력이 반응시간에 가장 크게 영향을 끼치고 있음을 확인하였다. 제작된 능동제어형 전계방출 에미터 어레이는 pulse width modulation으로 구동하는 경우 15㎲의 반응시간을 얻었고 이 값으로는 4bit/color의 계조(gray scale)표현이 가능하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.50-50
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• 2008

ZnO has been extensively studied for optoelectronic applications such as blue and ultraviolet (UV) light emitters and detectors, because it has a wide band gap (3.37 eV) anda large exciton binding energy of ~60 meV over GaN (~26 meV). However, the fabrication of the light emitting devices using ZnO homojunctions is suffered from the lack of reproducibility of the p-type ZnO with high hall concentration and mobility. Thus, the ZnO-based p-n heterojunction light emitting diode (LED) using p-Si and p-GaN would be expected to exhibit stable device performance compared to the homojunction LED. The n-ZnO/p-GaN heterostructure is a good candidate for ZnO-based heterojunction LEDs because of their similar physical properties and the reproducibleavailability of p-type GaN. Especially, the reduced lattice mismatch (~1.8 %) and similar crystal structure result in the advantage of acquiring high performance LED devices with low defect density. However, the electroluminescence (EL) of the device using n-ZnO/p-GaN heterojunctions shows the blue and greenish emissions, which are attributed to the emission from the p-GaN and deep-level defects. In this work, the n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg heterojunction light emitting diodes (LEDs) were fabricated at different growth temperatures and carrier concentrations in the n-type region. The effects of the growth temperature and carrier concentration on the electrical and emission properties were investigated. The I-V and the EL results showed that the device performance of the heterostructure LEDs, such as turn-on voltage and true ultraviolet emission, developed through the insertion of a thin intrinsic layer between n-ZnO:Ga and p-GaN:Mg. This observation was attributed to a lowering of the energy barriers for the supply of electrons and holes into intrinsic ZnO, and recombination in the intrinsic ZnO with the absence of deep level emission.

• 대한인간공학회지
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• 제34권5호
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• pp.541-548
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• 2015

Objective: We introduce a hand gesture segmentation method using a wrist-worn wearable device which can recognize simple gestures of clenching and unclenching ones' fist. Background: There are many types of smart watches and fitness bands in the markets. And most of them already adopt a gesture interaction to provide ease of use. However, there are many cases in which the malfunction is difficult to distinguish between the user's gesture commands and user's daily life motion. It is needed to develop a simple and clear gesture segmentation method to improve the gesture interaction performance. Method: At first, we defined the gestures of making a fist (start of gesture command) and opening one's fist (end of gesture command) as segmentation gestures to distinguish a gesture. The gestures of clenching and unclenching one's fist are simple and intuitive. And we also designed a single gesture consisting of a set of making a fist, a command gesture, and opening one's fist in order. To detect segmentation gestures at the bottom of the wrist, we used a wrist strap on which an array of infrared sensors (emitters and receivers) were mounted. When a user takes gestures of making a fist and opening one's a fist, this changes the shape of the bottom of the wrist, and simultaneously changes the reflected amount of the infrared light detected by the receiver sensor. Results: An experiment was conducted in order to evaluate gesture segmentation performance. 12 participants took part in the experiment: 10 males, and 2 females with an average age of 38. The recognition rates of the segmentation gestures, clenching and unclenching one's fist, are 99.58% and 100%, respectively. Conclusion: Through the experiment, we have evaluated gesture segmentation performance and its usability. The experimental results show a potential for our suggested segmentation method in the future. Application: The results of this study can be used to develop guidelines to prevent injury in auto workers at mission assembly plants.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.62-62
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• 1999

Carbon based materials have many attractive properties such as a wide band gap, a low electron affinity, and a high chemical and mechanical stability. Therefore, researches on the carbon-based materials as field emitters have been drawn extensively to enhance the field emission properties. Especially, diamond gives high current density, high current stability high thermal conductivity durable for high temperature operation, and low field emission behaviors, Among these properties understanding the origin of low field emission is a key factor for the application of diamond to a filed emitter and the verification of the emission site and its distribution of diamond is helpful to clarify the origin of low field emission from diamond There have been many investigations on the origin of low field emission behavior of diamond crystal or chemical vapor deposition (CVD) diamond films that is intentionally doped or not. However, the origin of the low field emission behavior and the consequent field emission mechanism is still not converged and those may be different between diamond crystal and CVD diamond films as well as the diamond that is doped or not. In addition, there have been no systematic studies on the dependence of nondiamond carbon on the spatial distribution of emission sites and its uniformity. Thus, clarifying a possible mechanism for the low field emission covering the diamond with various properties might be indeed a difficult work. On the other hand, it is believed that electron emission mechanisms of diamond are closely related to the emission sites and its distributions. In this context, it will be helpful to compare the spatial distribution of emission sites and field emission properties of the diamond films prepared by systematic variations of structural property. In this study, we have focused on an understanding of the field emission variations of structural property. In this study, we have focused on an understanding of the field emission mechanism for the CVD grown undoped polycrystalline diamond films with significantly different structural properties. The structural properties of the films were systematically modified by varying the CH4/H2 ratio and/or applying positive substrate bias examined. It was confirmed from the present study that the field emission characteristics are strongly dependent on the nondiamond carbon contents of the undoped polycrystalline diamond films, and a possible field emission mechanism for the undoped polycrystalline diamond films is suggested.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권6호
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• pp.23-30
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• 2005

본 논문에서는 다양한 에미터 금속 재료를 이용하여 산화된 다공질 폴리실리콘(Oxidized Porous Poly-Silicon) 전계방출 소자를 제조하였으며 에미터 금속의 열처리 효과가 산화된 다공질 폴리실리콘 전계방출소자의 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 다양한 에미터 금속 중 구동전극을 가진 Pt/Ti 에미터 전극을 $300^{\circ}C$-1hr 열처리한 경우 전자방출 효율은 $V_{ps}$=12 V에서 최대 $2.98\%$의 효율을 나타내었으며, $350^{\circ}C$-1hr 열처리한 경우 $V_{ps}$=16V에서 $3.37\%$의 가장 높은 효율을 나타내었다. 이는 열처리 공정을 통해 OPPS 전계방출 소자 표면에 다수의 결정립 경계와 무수히 많은 미세한 다공질 간의 흡착성의 개선으로 인한 면 저항 감소에 의한 것을 알 수 있다. OPPS 전계 방출 소자를 디스플레이소자로 적용하기 위해 형광체 발광 특성을 조사해 본 결과, $900^{\circ}C$-50min 산화 후 Pt/Ti(5nm/2nm) 에미터 전극을 사용하여 제조된 OPPS 전계 방출 소자의 경우 15 V에서 3600 cd/$m^2$, 20 V에서 6260 cd/$m^2$의 상대적으로 높은 휘도를 나타내었다. 열처리는 Ti층과 OPPS 간의 흡착성을 개선시키고 에미터 전극에 고른 전계를 가하는 중요한 역할을 한다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제45권2호
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• pp.76-80
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• 2020

Background: To improve the measurement accuracy of liquid-scintillation counting for activity standardization, it is necessary to significantly reduce the background caused by thermal noise or after-pulses. We have therefore improved a movable 3 photomultiplier (3PM)-γ coincidence-counting method using the logical sum of three double coincidences for β events. Materials and Methods: We designed a new data-acquisition system in which β events are obtained by counting the logical sum of three double coincidences. The change in β-detection efficiency can be derived by moving three photomultiplier tubes sequentially from the liquid-scintillation vial. The validity of the method was investigated by activity measurement of ¹³⁴Cs calibrated at the Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS) with 4π(PC)β-γ(NaI(Tl)) coincidence counting using a proportional counter (PC) for the β detector. Results and Discussion: Measurements were taken over 14 counting intervals for each liquidscintillation sample by displacing three photomultiplier tubes up to 45 mm from the sample. The dead time in each β- and γ-counting channel was adjusted to be a non-extending type of 20 ㎲. The background ranged about 1.2-3.3 s^-1, such that the contributions of thermal noise or after-pulses were negligible. As the β-detection unit was moved away from the sample, the β-detection efficiencies varied between 0.54 and 0.81. The result obtained by the method at the reference date was 396.3 ± 1.7 kBq/g. This is consistent with the KRISS-certified value of 396.0 ± 2.0 kBq/g within the uncertainty range. Conclusion: The movable 3PM-γ method developed in the present work not only succeeded in reducing background counts to negligible levels but enabled β-detection efficiency to be varied by a geometrical method to apply the efficiency extrapolation method. Compared with our earlier work shown in the study of Hwang et al. [2], the measurement accuracy has much improved. Consequently, the method developed in this study is an improved method suitable for activity standardization of β-γ emitters.