Changes in the mechanical properties and microstructure of an IN 939 W alloy according to the sintering heating rate were evaluated. IN 939 W alloy samples were fabricated by spark plasma sintering. The phase fraction, number density, and mean radius of the IN 939 W alloy were calculated using a thermodynamic calculation. A universal testing machine and micro-Vickers hardness tester were employed to confirm the mechanical properties of the IN 939 W alloy. X-ray diffraction, optical microscopy, field-emission scanning electron microscopy, Cs-corrected-field emission transmission electron microscopy, and energy dispersive X-ray spectrometry were used to evaluate the microstructure of the alloy. The rapid sintering heating rate resulted in a slightly dispersed γ' phase and chromium oxide. It also suppressed the precipitation of the η phase. These helped to reinforce the mechanical properties.
The morphology and size distribution of chromium oxides and the concentration measurement of atomic arsenic have been studied in laminar diffusion flames. Nitrogen was added to vary flame temperatures in hydrogen flames. Ethene flames were used in order to investigate the potential for interaction between the soot aerosol that is formed in these flames and the chromium aerosol. Two sources of chromium compounds were introduced: chromium nitrate and chromium hexacarbonyl. A detailed investigation of the morphology was carried out by scanning electron microscopy (SEM). The amounts of Cr(VI) and total Cr were determined by a spectrophotometric method and by X-ray fluorescence spectrometry, respectively. Also, LIF was used for the measurement of atomic arsenic, which was excited at 197.2 nm and was detected at 249.6 nm. Results showed that the morphology of the particles varied with the flame temperature and with the chromium source. The particles were characterized by porous structures, cenospheres and agglomerated dense particles when chromium nitrate solution was added to the flames. At low to moderate temperatures, porous sintered cenospheric structures were formed, in some cases with a blow hole. At higher temperatures, an agglomerated cluster which was composed of loosely sintered submicron particles was observed. It was also found that the emission of Cr(VI) from the undiluted $H_2$ flame was more than 10 times larger than in the 50% $H_2$ / 50% $N_2$ flame on a mass basis. Single point LIF measurement of atomic arsenic indicated that arsenic exist only in the low temperature, fuel rich region.
The combined use of indium and polysorbate 20 (Tween 20) was considered as a new inhibition technique for zinc corrosion. Zn and Zn-In alloy coatings were prepared by electrodeposition and their morphology and composition were characterized by scanning electron microscopy (SEM) and inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES). The corrosion inhibition effect of indium and Tween 20 on zinc was investigated by polarization curves and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). The corrosion inhibition efficiencies obtained from Tafel and EIS analyses are well in agreement. Zinc corrosion can be inhibited to some extent by the individual use of indium and Tween 20 and higher corrosion inhibition efficiency can be obtained by the combined use of indium and Tween 20.
For the analysis of S, P and Zn in lubricating oil, microwave digestion method was studied by using inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry(ICP-AES). Lubricating oil was completely decomposed with nitric acid or a mixture of nitric acid and hydrogen peroxide using and closed microwave digestion system. Digestions are completed within 50 min, a factor of at least 3~4 times faster than for the conventional digestion. A gradual heating program operated by the pulsed mode was found suitable for decomposing the lubricating oil matrix safely. The proposed method of digestion gave relative standard deviations(RSD) less than 3% for the elements determined.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.457-458
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2009
In this work, transparent conducting Al-doped zinc oxide (AZO) films were prepared on Coming glass substrate by RF magnetron sputtering using an Al-doped ZnO target (Al: 2 wt.%) at room temperature and all films were deposited with athickness of 150 nm. We investigated the effects of the post-annealing temperature and the annealing ambient on structural, electrical and optical properties of AZO films. The films were annealed at temperatures ranging from 300 to $500^{\circ}C$ in steps of $100^{\circ}C$ using rapid thermal annealing equipment in oxygen. The thickness of the film was observed by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and grain size was calculated from the XRD spectra using the Scherrer equation and their electrical properties were investigated using a hole measurement and the reflectance of AZO films was investigated by UV-VIS spectrometry.
MOCVD is one of the major deposition techniques for Cu thin films and Ta-Si-N is one of promising barrier metal candidates for Cu with high thermal stability. Effects of hydrogen plasma pretreatment of the underlying Ta-Si-N film surface on the Cu nucleation in Cu MOCVD were investigated using scanning electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electron emission spectrometry analyses. Cu nucleation in MOCVD is enhanced as the rf-power and the plasma exposure time are increased in the hydrogen plasma pretreatment. The optimal plasma treatment process condition is the rf-power of 40 Wand the plasma exposure time of 2 min. The hydrogen gas flow rate in the hydrogen plasma pretreatment process does not affect Cu nucleation much. The mechanism through which Cu nucleation is enhanced by the hydrogen plasma pretreatment of the Ta-Si-N film surface is that the nitrogen and oxygen atoms at the Ta-Si-N film surface are effectively removed by the plasma treatment. Consequently the chemical composition was changed from Ta-Si-N(O) into Ta-Si at the Ta-Si-N film surface, which is favorable for Cu nucleation.
A standard radon chamber and a radon generator adjusted by ventilation system which had used in this research were assumed to calculate theoretically the concentration of radon progeny using Jacobi model theory. On the one hand, the filter sampled from the radon standard chamber and the radon generator was measured and analysed by the alpha spectrometry method. It is clear that measured result shows a good agreement with theoretical result. Therefore, it is observed that this research can made a great contribution to more accurate internal dose assessment by alpha emission of radon progeny in indoor radon environment, and fast individual measurement and determination of concentration for radon progeny.
Quantitative analytical condition for nickel in ceramic, metal and plastic materials using complexation and solvent extraction followed by inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry (ICP-AES) and atomic absorption spectrophotometry (AAS) was studied. Ceramic, metal and plastic samples were dissolved by acid digestion. Nickel was determined by ICP-AES and AAS after extraction of Ni $(DMG)_2$ in $CHCl_3$. Recovery efficiency of nickel was satisfactory, and most of matrix elements causing interference could be effectively eliminated by the separation. Nickel in the certified reference materials (BAM-376 and PACS-2) were quantitatively determined without influence of sample matrix.
$Cu_2ZnSn(S,Se)_4$ (CZTSSe) films were prepared on Mo coated soda lime glass substrates by sulfo-selenization of sputtered stacked Zn-Sn-Cu(CZT) precursor films. The precursor was dried in a capped state with aqueous NaOH solution. The CZT precursor films were sulfo-selenized in the S + Se vapor atmosphere. Sodium was doped during the sulfo-selenization treatment. The effect of sodium doping on the structural and electrical properties of the CZTSSe thin films were studied using FE-SEM(field-emission scanning electron microscopy), XRD(X-ray diffraction), XRF(X-ray fluorescence spectroscopy), dark current, SIMS(secondary ion mass spectrometry), conversion efficiency. The XRD, XRF, FE-SEM, Dark current, SIMS and cell efficiency results indicated that the properties of sulfo-selenized CZTSSe thin films were strongly related to the sodium doping. Further detailed analysis and discussion for effect of sodium doping on the properties CZTSSe thin films will be discussed.
In this work, transparent conducting Al-doped zinc oxide (AZO) films were prepared on Corning glass substrate by RF magnetron sputtering using an Al-doped ZnO target (Al: 2 wt.%) at room temperature and all films were deposited with athickness of 150 nm. We investigated the effects of the post-annealing temperature and the annealing ambient on structural, electrical and optical properties of AZO films. The films were annealed at temperatures ranging from 300 to $500^{\circ}C$ in steps of $100^{\circ}C$ using rapid thermal annealing equipment in oxygen. The thickness of the film was observed by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and grain size was calculated from the XRD spectra using the Scherrer equation and their electrical properties were investigated using a hole measurement and the reflectance of AZO films was investigated by UV-VIS spectrometry.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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