본 연구에서는 인삼 잎으로부터 정제한 mRNA를 이용하여 cDNA library를 제작하였다. 이 cDNA library로 부터 349개의 에너지 대사 관련 유전자를 선발 하였다. 에너지 대사 관련 유전자의 평균 사이즈는 0.49 kb이며, 에너지 관련 유전자들의 세부 기능별 발현을 분석한 결과 aerobic respiration(48.4%), accessory proteins of electron transport and membrane associated energy conservation(17.2%), glycolysis and gluconeogenesis(3.4%), electron transport and membrane associated energy conservation(2.9%), respiration(2.0%), glycolysis methylglyoxal byp-ass(1.7%), metabolism of energy reserves(0.6%)와 alcohol fermentation(0.3%)의 분포를 보였다. 인삼 잎에서 발현되는 유전자중 가장 많이 발현된 Chlorophyll a/b binding protein of IhcII type I(36.6%), Photosystem II oxygen-evolving complex protein(6.6%) 등이 발현되었다.
MaoSheng Ye;HangKong, OuYang;YiNi Lin;Quan Ynag;QingYang Xu;Tao Chen;LiNing Sun;Li Ma
Advances in nano research
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제15권3호
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pp.263-275
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2023
The electron transport properties of Y-type zigzag branched carbon nanotubes (CNTs) are of great significance for micro and nano carbon-based electronic devices and their interconnection. Based on the semi-empirical method combining tight-binding density functional theory and non-equilibrium Green's function, the electron transport properties between the branches of Y-type zigzag branched CNT are studied. The results show that the drain-source current of semiconducting Y-type zigzag branched CNT (8, 0)-(4, 0)-(4, 0) is cut-off and not affected by the gate voltage in a bias voltage range [-0.5 V, 0.5 V]. The current presents a nonlinear change in a bias voltage range [-1.5 V, -0.5 V] and [0.5 V, 1.5 V]. The tangent slope of the current-voltage curve can be changed by the gate voltage to realize the regulation of the current. The regulation effect under negative bias voltage is more significant. For the larger diameter semiconducting Y-type zigzag branched CNT (10, 0)-(5, 0)-(5, 0), only the value of drain-source current increases due to the larger diameter. For metallic Y-type zigzag branched CNT (12, 0)-(6, 0)-(6, 0), the drain-source current presents a linear change in a bias voltage range [-1.5 V, 1.5 V] and is symmetrical about (0, 0). The slope of current-voltage line can be changed by the gate voltage to realize the regulation of the current. For three kinds of Y-type zigzag branched CNT with different diameters and different conductivity, the current-voltage curve trend changes from decline to rise when the branch of drain-source is exchanged. The current regulation effect of semiconducting Y-type zigzag branched CNT under negative bias voltage is also more significant.
전자수용체인 DCPIP 처리구에서 모상근의 생장은 광상태에서 대조구 보다 약 $69\%$정도 향상되었으나 7종류의 ginsenosides함량에는 영향을 미치지 않았다. 반면, 전자전달 저해제(electron transport inhibitors) 처리구에서 CCCP와 methylarnine은 광상태에서 모상근의 생장을 각각 $71%,\;22\%$ 감소시켰다. 그러나 traizine 처리구를 제외한 모든 처리구에서 7종류의 ginsenosides함량은 오히려 암 및 광상태에서 대조구보다 $45\%$ 이상 감소하였다. 항산화제 처리구에서 propylgallic acid는 광상태하에서 인삼모상근의 생장을 대조구보다 $68\%$ 증가시켰으며, ascorbic acid와 DMF처리구에서는 각각 $23\~25\%$ 정도 증가하였다. 모든 항산화제 처리구에서는 7종류의 ginsenoside 함량 변화에 영향을 미치지 않았다. 인삼모상근의 생장 및 ginsenosides생산성 향상에 효과적인 ascorbic acid와 DMF의 처리시기는 1/2MS배지에서 4주간 배양한 후 1주간 처리하였을 때 가장 양호하였다. 따라서 인삼모상근으로부터 ginsenosides생산성을 향상을 위해서는 적절한 항산화제의 개발이 요구된다.
In order to investigate the emission characteristics of the phosphorescent white organic light-emitting diodes (PHWOLEDs) according to various hole transport layers (HTLs), PHWOLEDs composed of HTLs whose structure are NPB/TCTA, NPB/mCP and NPB/TCTA/mCP, two emissive layers (EMLs) which emit two-wavelengths of light (blue and red), and electron transport layer were fabricated. The applied voltage, power efficiency, and external quantum efficiency at a current density of $1 mA/cm^2$ for the fabricated PHWOLEDs were 7.5 V, 11.5 lm/W, and 15%, in case of NPB/mCP, 5 V, 14.8 lm/W, and 13.7%, in case of NPB/TCTA, and 5.5 V, 14.6 lm/W, and 15%, in case of NPB/TCTA/mCP in the hole transport layer, respectively. High emission efficiency can be obtained when the amount of hole injection from anode is balanced out by the amount of electron injection from the cathode to EML by using NPB/TCTA/mCP structured HTL.
To investigate the effects of lead on the electron transport system and ultrastructure of mouse kidney mitochondria, various lead acetate concentrations were treated in vitro and respiration rate, enzyme activities were measured. Ultrastructural changes at state IV respiration were also observed. To compare with in vivo experiments, mouse were injected intraperitoneally of 100 mg lead acetate per kg body weight and state IV respiration rate and enzyme activities were measured. Ultrastructure of renal proximal tubular cells were also observed. In in vitro treatement, decreased state IV respiration, decreased enzyme activities, ruptured membranes and inhibition of condensed to orthodox transformation were observed. In in vivo treatment, decreased state IV respiration and decreased enzyme activities were observed after 24 hrs of i.p. injection. Cytochrome c oxidase activity showed twice the inhibition compared to NADH-CoQ reductase activity at 24 hrs. Continuous decreased state IV respiration was observed after 48 and 72 hrs of injection, however, the enzyme activities were increased to control level. Lead-protein complex which probably inhibits the toxic effects of lead appeared. To conclude, dominant effect of lead on the electron transport system appeared at cytochrome c oxidase activity, and the increased enzyme activities may be a result of appearance of lead-protein complex.
This paper describes the information for the difference between two-term and multi-term approximation of the Boltzmann. In previous paper, we calculated the electron transport coefficients in pure Oxygen and Argon gases by using two-term approximation of Boltzmann equation. Therefore, in this paper, we calculated the electron transport coefficients(W and $N{\cdot}D_L$) in pure Oxygen and Argon gases for range of E/N values from 0.01~500[Td] at the temperature was 300[K] and pressure was 1[Torr] by using multi-term approximation of the Boltzmann equation by Robson and Ness, The results of two-term and multi-term approximation of the Boltzmann equation has been compared with the experimental data for a range of E/N.
This paper describes the information for quantitative simulation of weakly ionized plasma. In previous paper, we calculated the electron transport coefficients in pure Xenon gas by using two-term approximation of Boltzmann equation. Therefore, in this paper, we calculated the electron transport coefficients(W, $N{\cdot}D_L$ and $D_{L/{\mu}}$) in pure Xenon gas for range of E/N values from 0.01 ~ 500[Td] at the temperature was 300[K] and pressure was 1[Torr] by using multi-term approximation of the Boltzmann equation by Robson and Ness, The results of two-term and multi-term approximation of the Boltzmann equation has been compared with the experimental data by L. S. Frost and A. V. Phelps for a range of E/N.
Khan, M.A.;Xu, Wei;Wei, Fuxiang;Bai, Yu;Jiang, X.Y.;Zhang, Z.L.;Zhu, W.Q.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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pp.1103-1107
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2007
Highly efficient organic electroluminescent devices (OLEDs) based on 4,7- diphenyl-1, 10- phenanthroline (BPhen) as the electron transport layer (ETL), tris (8-hydroxyquinoline) aluminum ($Alq_3$) as the emission layer (EML) and N,$\acute{N}$-bis-[1-naphthy(-N,$\acute{N}$diphenyl-1,1´-biphenyl-4,4´-diamine)] (NPB) as the hole transport layer (HTL) were developed. The typical device structure was glass substrate/ ITO/ NPB/$Alq_3$/ BPhen/ LiF/ Al. Since BPhen possesses a considerable high electron mobility of $5\;{\times}\;10^{-4}\;cm^2\;V^{-1}\;s^{-1}$, devices with BPhen as ETL can realize an extremely high luminous efficiency. By optimizing the thickness of both HTL and ETL, we obtained a highly efficient OLED with a current efficiency of 6.80 cd/A and luminance of $1361\;cd/m^2$ at a current density of $20\;mA/cm^2$. This dramatic improvement in the current efficiency has been explained on the principle of charge balance.
A tetrafluoromethane$(CF_4)$ is most useful gas in plasma dry etching, because it has a electron attachment cross-section. therefor it is important to calculate transport coefficients like electron drift velocity, ionization coefficient, attachment coefficient, effective ionization coefficient. and critical E/N. The aim of this study is to get these transport coefficients for information of the insulation strength and efficiency of etching process. Electron transport coefficients in $CF_4+Ar$ gas mixture are simulated in range of E/N values from 1 to 250 [Td] at 300[K} and 1 [Torr] by using Boltzmann equation method. The results of this method can be important data to present characteristic of gas for plasma etching and insulation, specially critical E/N is a data to evaluate insulation strength of a gas. and is presented in this paper for various mixture ratios of $CF_4+Ar$ gas mixture.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제8권6호
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pp.250-254
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2007
Applying the moving photo-carrier grating(MPG) technique and time-of-flight(TOF) measurements, we studied the transport properties of stabilized amorphous selenium typical of the material used in direct conversion X-ray imaging devices. For MPG measurement, we obtained electron and hole mobility and the recombination lifetime of $\alpha-Se$ films with arsenic(As) additions. We found an apparent increase in hole drift mobility and recombination lifetime, especially when 0.3 % As was added into $\alpha-Se$ film, whereas electron mobility decreased with the addition of As due to the defect density. For TOF measurement, a laser beam with pulse duration of 5 ns and wavelength of 350 nm was illuminated on the surface of $\alpha-Se$ with a thickness of 400 ${\mu}m$. The measured hole and electron transit times were about 8.73 ${\mu}s$ and 229.17 ${\mu}s$, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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