By the real use of Rene 80 cast blades at high temperature ${\gamma}^{\prime}$ precipitates in the matrix(${\gamma}$) mainly due to the operating temperature. These precipitates play main role for strenthening of the blades. Generally known that dislocation density increases due to ${\gamma}-{\gamma}^{\prime}$ mismatch by the generation and growth of the precipitates, because the lattice parameter of ${\gamma}^{\prime}$ is higher than that of ${\gamma}$. These lattice parameters of ${\gamma}$ and ${\gamma}^{\prime}$ are determined through the CBED(Convergent Beam Electron Diffraction) method by STEM(Scanning Transmission Electron Microscope) in this work. And also studied, whether and how much the dislocation density increases by the generation and growth of the precipitates.
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.1
no.1
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pp.227-237
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1998
HgCdTe Is the most versatile material for the developing infrared devices. Not like III-V compound semiconductors or silicon-based photo-detecting materials, HgCdTe has unique characteristics such as adjustable bandgap, very high electron mobility, and large difference between electron and hole mobilities. Many research groups have been interested in this material since early 70's, but mainly due to its thermodynamic difficulties for preparing materials, no single growth technique is appreciated as a standard growth technique in this research field. Solid state recrystallization(SSR), travelling heater method(THM), and Bridgman growth are major techniques used to grow bulk HgCdTe material. Materials with high quality and purity can be grown using these bulk growth techniques, however, due to the large separation between solidus and liquidus line on the phase diagram, it is very difficult to grow large materials with minimun defects. Various epitaxial growth techniques were adopted to get large area HgCdTe and among them liquid phase epitaxy(LPE), metal organic chemical vapor deposition(MOCVD), and molecular beam epitaxy(MBE) are most frequently used techniques. There are also various types of photo-detectors utilizing HgCdTe materials, and photovoltaic and photoconductive devices are most interested types of detectors up to these days. For the larger may detectors, photovoltaic devices have some advantages over power-requiring photoconductive devices. In this paper we reported the main results on the HgCdTe growing and characterization including LPE and MOCVD, device fabrication and its characteristics such as single element and linear array($8{\times}1$ PC, $128{\times}1$ PV and 4120{\times}1$ PC). Also we included the results of the dewar manufacturing, assembling, and optical and environmental test of the detectors.
An investigation of the deformation behavior of ${\gamma}'-Ni_3Al$ single crystals containing fine dispersion of disordered ${\gamma}$ particles was performed for several different crystal orientations. Deformation structures were observed by the weak-beam method of transmission electron microscopy (TEM). The critical resolved shear stress (CRSS) for (111) [$\bar{1}$01] slie. increases with increasing temperature in the temperature range where (111) slip operates. The CRSS for (111) [$\bar{1}$01] slip is dependent on crystal orientation in the corresponding temperature range. The temperature where the strenjlth reaches a maximum is dependent on crystal orientation; the higher the ratio of the Schmid factors of (010) [$\bar{1}$01] to that of (111) [$\bar{1}$01], the higher the peak temperature. The peak temperatures were increased by the precipitation of y particles for the samples of all orientations. Electron microscopy of deformation induced dislocation arrangements under peak temperature has revealed that most of dislocations are straight screw dislocations. The mobility of screw dislocations decreases with increasing temperature. Above the peak temperature, dislocations begin to cross slip from the (111) [$\bar{1}$01] slip system to the (010) [$\bar{1}$01] slip system, thus decreasing the strength.
Background: To evaluate the diagnostic accuracy of EBT(Electron Beam Tomography) in the diagnosis of conotruncal anomaly and to determine whether it can be used as a substitute for cardiac angiography. Material and Method: 20 patients(11M & 9F) with TOF(n=7, pulmonary atresia 2), DORV(n=7), complete TGV(n=4), & corrected TGV(n=2) were included. The age ranged from 7 days to 26 years(median 60 days). We analyzed the sequential chamber localization, the main surgical concenrn in each disease category (PA size, LVED volume and coronary artery pattern for TOF & pulmonary atresia, the LV mass, LVOT obstruction, coronary artery pattern for complete TGV, and type of VSD and TV-PV distance for DORV, etc) and other associated anomalies(e.g., VSD, arch anomalies, tracheal stenosis, etc). Those were compared with the results of echocardiography(n=19), angiography (n=9), and surgery(n=11). The interval between EBT and echocardiography/angiography was within 20/11 days, respectively except for an angiography in a patient with corrected TGV (48 days). Result: EBT correctly diagnosed the basic components of conotruncal anomalies in all subjects, compared to echocardiography, angiography or surgery. These included the presence, type and size of VSD(n=20), pulmonic/LV outflow tract stenosis(n=15/2), relation of great arteries and the pattern of the proximal epicardial coronary arteries(16 out of 20). EBT proved to be accurate in quantitation of the intrapericardial and hilar pulmonary arterial dimension and showed high correlation and no difference compared with echocardiography, angiography, or surgery(p>0.05) except for left pulmonary arterial & ascending arterial dimension by echocardiography. LVED volume in seven TOF(no difference: p>0.05 & high correlation: r=0.996 with echocardiography), and LV mass in 4 complete TGV were obtained. Additionally, EBT enabled the cdiagnosis of subjlottic tracheal stenosis and tracheal bronchus in 1 respectively. Some peripheral PA stenosis were not detected by echocardiography, while echocardiography appeared to be slightly more accurate than EBT in detecing ASD or PDA. Conclusion: EBT can be a non-invasive and accurate modality of for the evaluation of most anatomical alteration including peripheral PS or interruption in patients with conotruncal anomalies. Combined with echocardiography, EBT study provides sufficient information for the palliative or total repair of anomalies.
Single $TiO_2$ coating prepared by sol-gel process usually experiences cracks in coating layer. In order to prevent cracks, an inorganic-organic hybrid $TiO_2-SiO_2$ coating was synthesized by combining precursors with an organic functional group. Five different coatings with various ratios of (1:8, 1:4, 1:1, 1:0.25 and 1:0.125) titanium alkoxide (TBOT, Tetrabutylorthotitanate) to organo-alkoxysilane (MAPTS, ${\gamma}$-Methacryloxy propyltrimethoxysilane) on carbon steel substrate were made by sol-gel dip coating. The prepared coatings were analyzed to study the coating properties (surface crack, thickness, composition) by scanning electron microscope (SEM), focused ion beam (FIB), and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). Potentiodynamic polarization tests and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) were also performed to evaluate the corrosion characteristics of the coatings. Crack free $TiO_2-SiO_2$ hybrid coatings were prepared with the optimization of the ratio of TBOT to MAPTS. The corrosion rates were significantly decreased in the coatings for the optimized precursor ratio without cracks.
Structural studies have been performed on precipitation hardening found in $Ni_{3}Al$ based ordered alloys using transmission electron microscopy (TEM). Tilt experiments by the weak-beam method were made to obtain some information concerning the cross slip mechanism of the superlattice dislocation. The strength of ${\gamma}'-Ni_3$(Al,Ti) increases over the temperature range of experiment by the precipitation of fine $\gamma$ particles. The peak temperature where a maximum strength was obtained shifted to higher temperature. Over the whole temperature range, the interaction between dislocation and $\gamma$ precipitates is attractive. On the temperature range of 773 K to 973 K, the dislocations in ${\gamma}'$ matrix move on (111) primary slip plane. When the applied stress is removed, the dislocations make cross slip into (010) plane, while those in $\gamma$ precipitates remain on the (111) primary slip plane. The increase of high temperature strength in ${\gamma}'-Ni_3$(Al,Ti) containing $\gamma$ precipitates is due to the restraint of cross slip of dislocations from (111) to (010) by the dispersion of disordered $\gamma$ particles.
The polycrystalline $CuInS_{2}$ thin films were prepared by annealing in vacuum and extra S supply of S/In/Cu stacked layers, which were deposited by sequential electron beam evaporation(EBE). n-type $CuInS_{2}$ was fabricated in vacuum with chalcopyrite structure and its minimum resistivity was $142{\Omega}Cm$. Also, p-type $CuInS_{2}$ was made in extra S supply with chalcopyrite structure and its minimum resistivity was $137{\Omega}Cm$.
Jeon, J. S.;Moon, J.;Lee, S. I.;Shim, T. E.;Hwang, J. N.
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.5
no.3
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pp.245-250
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1996
$Y_2O_3$ thin film on si(100) was successfully grown by ionized cluster beam(ICBD) technique at substrate temperature of around $500^{\circ}C$ and pressure of ~$10^{-5}$Torr.To prevent the oxidation of Si substrae, a very thin yttrium layer was deposited on Si before reactive depositing of oxygen and yttrium source. In asdeposited stage, b.c.c and h.c.p strucutres of $Y_2O_3$ were observed from S-ary analysis. From the observation of spots and ring patterns in selected area diffractin(SAD) patterns. crystallane formation and growth could be proceeded during the deposition. $Y_2O_3$/mixed layer/$SiO_2=170\AA/50\AA/10\AA$ structure were verified by high resolution transmition electron imcroscopy(HRTEM) image, and the formation of amorphous layer of SiO2 was discussed . Electricla charateristics of the film were also investigated . In as-deposited Pt/$Y_2O_3$/Si sturcuture, leakage current was less than $10^{-6}$A/$\textrm{cm}^2$ at 7MV/cm strength.
Chalcogenide glass has been known for many photo induced phenomena and superial electron / optical specific by structure flexibility, unique electronic configuration. It is become known to the greatest specific as photonic material medium that possible to perfect controlling by continuity and photo inducing direction of amorphous chalcogenide. In our experiment, we choose the amorphous As-Ge-Se-S and corning glass as a substrate. And then we have evaporated in the ${\sim}2{\times}10^{-6}$ Torr using a E-beam evaporator, completed thin film sample that have 1um thickness of As-Ge-Se-S in $600{\AA}$, $10{\sim}5{\AA}/s$. At first, we let the change the angle between laser and sample by holography litho method and then, expect that satisfied conclusion which 2-dimension diffraction lattice manufacture and specifics by investing a He-Ne laser for 2000 seconds.
Stainless steel 304 and 316 plates were deposited with the multi-layered coatings of titanium film (0.1 um) and gold film (1-2 um) by an electron beam evaporation method. The XRD patterns of the stainless steel plates modified with the multi-layered coatings showed the crystalline phases of the external gold film and the stainless steel substrate. Surface microstructural morphologies of the stainless steel bipolar plates modified with multi-layered coatings were observed by AFM and FE-SEM images. The external gold films formed on the stainless steel plates showed micro structure of grains of about 100 nm diameter. The grain size of the external surface of the stainless steel plates increased with the gold film thickness. The electrical resistance and water contact angle of the stainless steel bipolar plates covered with multi-layered coatings were examined with the thickness of the external gold film.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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