• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.252-252
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• 2015

PCB, 디스플레이, 반도체 등 산업계 전반에서 다양하게 사용되고 있는 전기 동도금액을 대상으로 억제제(Suppressor), 가속제(Accelerator), 레벨러(Leveler) 역할의 첨가제에 대한 전해질 내 반응 경향성을 전기화학적으로 평가하였다. 억제제의 경우 potential이 환원방향으로 증가하여 환원전류가 억제되는 양상의 확인이 가능하였으며, 가속제는 억제제와는 반대로 환원전류가 촉진되는 양상을 보였다. 레벨러의 경우 첨가 농도에 따라 두 가지 특성이 모두 나타남을 알 수 있었다. 첨가제들은 각각 그 역할이 복합적으로 작용되며, 본 연구결과는 전해질의 개발이나 액관리에 있어 다양하게 사용될 수 있을 것으로 기대한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.187-187
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• 2015

마그네슘 합금은 지구상에 존재하는 가장 경량인 금속이며 비강도가 우수할 뿐만 아니라 진동 감쇠능과 절삭성 및 전자파 차폐성 등이 뛰어나 전자제품, 수송기기 부품, 주방제품 및 의료 분야 등 광범위한 분야에 이용이 크게 기대되고 있다. 그러나 마그네슘은 표준 전극 전위가 매우 낮은 활성 금속이기 때문에 쉽게 산화되며 표준 전극 전위가 높은 이종 금속과 접촉하면 먼저 부식되는 등 내식성이 현저히 낮아 그 사용범위에 제약을 받는다. 그러므로 마그네슘 금속을 사용하기 위해서는 내식성 및 기계적 특성을 향상시키는 표면처리가 필수적이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.11a
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• pp.91-92
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• 2012

본 연구에서는 $NaHCO_3$, $CaCl_2$ 용액 중 $Mg^{2+}$의 농도를 조절하며 전착프로세스에 의해 다양한 결정구조의 환경친화적인 탄산칼슘 막을 제작할 수 있었다. 특히, 여기서는 이들 막의 효율-실용적 설계 제작을 위해 상기한 용액 조건 중 NaCl의 첨가 농도를 달리하여 탄산칼슘 막의 석출량을 도출함으로써 최적 석출 속도를 제시할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.11a
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• pp.93-94
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• 2012

$NaHCO_3$, $CaCl_2$ 용액 중 전착프로세스에 의해 환경친화적인 탄산칼슘 막을 형성시킴은 물론 이와 같은 용액 중 염화마그네슘의 첨가를 통해 $Mg^{2+}$의 농도를 조절함으로써 탄산칼슘 전착막의 결정구조를 제어할 수 있었다. 여기서는 특히 상기 용액 조건 중 합성 온도의 변화가 탄산칼슘 막의 석출속도, 석출량 및 결정구조 등에 어떤 영향을 미치는지 검토함으로써 이들 막에 대한 전착 설계에 유효한 지침을 제시하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.227-228
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• 2014

마그네슘은 금속 재료중 화학적 활성이 높아 내식성 향상을 위해 표면처리 공정이 반드시 필요하다. 플라즈마 전해 산화를 통한 산화 피막 생성 후 좀더 높은 내식성 향상을 위해 전착 도장법을 사용할 수 있다. 본 논문에서는 전원 인가 방식에 따라 pulse 전원을 on/off 비율에 따른 피막 두께 변화를 측정 하였고 전착 도장을 시행 하여 cross cut test를 통한 부착성 시험을 진행해 on/off 비율 1:4 조건에 250V 전압을 인가 하였을 때 부착성이 가장 우수함을 확인 하였다. 또한 플라즈마 전해 산화 후 탕세 공정을 통해 전착 도장의 내열탕 시험 후 표면 blister의 개선 효과를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Resources Recycling Conference
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• 2003.10a
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• pp.185-189
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• 2003

The effect of surface roughness of the substrate on HF-CVD diamond coating was researched. The surface roughness was changed variously by electro-chemical etching conditions. The etching process acted to remove the metallic cobalt from the WC-Co. Diamond nucleation density was higher in etched the substrate. Therefore, the etching process was effective in both Co-removal and higher surface roughness, leading to the improving the diamond nucleation and deposition.

• Environmental Sciences Bulletin of The Korean Environmental Sciences Society
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• v.10 no.S_3
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• pp.139-148
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• 2001

Heavy metals such as Cu, Ni, Cd, and Pb were chemically extract from the contaminated soils using the chelating agents, EDTA and DTPA. These chemical extraction have been focused on its applicability to a wide range of soils. Results of extractive efficiency for heavy metal follow the order : Cu-EDTA $\geq$ Ni-EDTA > Pb-EDTA > Cd-EDTA > Cu-DTPA> Pb-DTPA. This result is coincided with order of conditional formation constants(Kr) of metal-chelate agent. The second study involved the recovery of the metals and EDTA from complex solutions by an electromembrane process. The overall processes of regeneration, recovery, and reuse were evaluated. The electrochemical studies showed that copper could be chosen as an electrode to plate Cd, Cu, and Pb. At least 95% of 75 of EDTA and associated Cu or Pb could be recovered by the electromembrane process. Recovery of Cd by electodeposition was not possible with the copper electrode. The percent EDTA recovery is equal to the percentage of metal electroplated from the chelates.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.27 no.2
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• pp.71-75
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• 2014

To observe the optical characteristic of oxide semiconductor depending on the degree of bonding structures, SiOC, ZnO and IGZO were prepared by the RF magnetron sputter system and chemical vapor deposition. Generally, crystal ZnO, amorphous SiOC and IGZO changed the optical characteristics in according to the electro-chemical behavior due to the oxygen vacancy at an interface between different groups. Transmittance of SiOC and IGZO with amorphous structures was higher than that of ZnO with crystal structure, because of lowering the carrier concentration due to the recombination of electron and holes carriers as oxygen vacancies. Besides, the energy gap of amorphous SiOC and IGZO was higher than the energy gap of crystal ZnO. The diffusion mobility of holes is higher than the drift mobility of electrons.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.191-191
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• 2015

해수에 침지되어 있는 금속에 음극방식법을 실시하게 되면 $OH^-$이온이 증가하게 된다. 이때 금속기판과 용액의 계면에서 pH는 상승하고, 석출하는 피막에 영향을 준다. 표면에 형성되는 피막은 주로 부르사이트(Brucite)이고, 이는 전기화학방식의 전형적인 석회질 피막(Calcareous Deposits Film)형성 메커니즘을 따른다. 본 연구에서는 음극에 흘려주는 전류밀도 및 양극의 영향을 분석하였으며 SEM, XRD, EDS를 이용하여 피막의 조성성분과 결정구조를 확인했다. 전착피막의 내식성은 AZ31-Mg 양극 사용 시 가장 우수하였고, 전류밀도는 $1{\sim}10A/m^2$중 $5A/m^2$에서 가장 우수한 밀착력을 보였다. 따라서 위와 같은 코팅 제작 프로세스에 대한 기초적인 설계 지침을 제시함으로서 천연코팅막의 한계를 보완 할 수 있을 것이라 사료된다.

• Progress in Superconductivity and Cryogenics
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• v.10 no.4
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• pp.9-12
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• 2008

The residual stress induced in the superconducting layer was estimated using analytical approach coupled with electro-mechanical test results and XRD measurements. The residual stress measured based on the $I_{c}/I_{c0}$-strain degradation behavior showed similar value with the measured residual stress using XRD. The calculated residual stress based on the thermal analysis showed the lowest value. This could be explained by the additional intrinsic residual stresses induced in the superconducting film during deposition.