The Al:Au double-layer metal electrode for use in transparent, dual emission of organic light-emitting diode (OLED) was fabricated. The electrode of Al:Au metals with various thicknesses was deposited by the vacuum thermal evaporation technique. For Al thickness of 1 nm, a bottom luminance of $4880\;cd/m^2$ was observed at 8 V. Otherwise, top luminance of $2020\;cd/m^2$ were observed at 8 V. In addition, the threshold voltages of the electrodes were 2.2 V. It was forward that the inserting 1 nm Al between LiF and Au enhanced electron injection with tunneling effect.
Kim, Young-Bin;Yun, Min-Seok;Kim, Min-Woo;Jung, Suk-Hee;Kim, Yoon-Suk;Oh, Kyung-Min;Nam, Sang-Hee;Park, Ji-Koon
Journal of the Korean Society of Radiology
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v.3
no.3
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pp.27-35
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2009
In this study, the basic research verifying possibility of applications as radiology image sensor in Digital Radiography was performed, the radiology image sensor was fabricated using double layer technique tio decrease dark current. High efficiency material in substitution for a-Se have been studied as a direct method of imaging detector in Digital Radiography to decrease dark current by using Hetero junction already used as solar cell, semiconductor. Particle-In-Binder method is used to fabricate radiology image sensor because it has a lot of advantages such as fabrication convenient, high yield, suitability for large area sensor. But high leakage current is one of main problem in PIB method. To make up for the weak points, double layer technique is used, and it is considered that high efficient digital radiation sensor can be fabricated with easy and convenient process. In this study, electrical properties such as leakage current, sensitivity is measured to evaluate double layer radiation sensor material.
The electrokinetic effect can be found in cases of the fluid flowing across the charged membrane micropores. The externally applied body force originated from the electrostatic interaction between the nonlinear Poisson-Boltzmann field and the flow-induced electrical field is taken into the equation of motion. The electrostatic potential profile is computed a priori by applying the finite difference scheme, and an analytical solution to the Navier-Stokes equation of motion for slit-like pore is obtained via the Green's function. An explicit analytical expression for the flow-induced streaming potential is derived as functions of relevant physicochemical parameters. The influences of the electric double layer, the surface potential of the wall, and the charge condition of the pore wall upon the velocity profile as well as the streaming potential are examined. With increasing of either the electric double layer thickness or the surface potential, the average fluid velocity is entirely reduced, while the streaming potential increases.
Streaming potential (SP) arises from fluid flow through effectively connected pores. From this potential, formation water information as well as fluid flow properties can be estimated. As micro particles being located in boundary between subsurface porous media and fluid are charged to form electrical double layer, fluid flow caused by several reasons generates SP, one of electrokinetic phenomena. Occurrence mechanism of SP is complex and signal strength is relatively weak compared to noise. However, application of self potential survey using SP to monitoring of formation fluid is expanding because of its' convenience of exploration without artificial source and repetitiveness of signal. This paper accounts for the occurrence mechanism of SP studied before, including governing equations and analyzes previous various case studies of SP according to the change of physical properties of materials. It helps to increase understanding about SP and also lays the foundations of the application of SP to fields.
MyeongSeob, Sim;Yujin, Jung;Dongjin, Choi;HyunJung, Park;Yoonmook, Kang;Donghwan, Kim;Hae-Seok, Lee
Current Photovoltaic Research
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v.10
no.4
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pp.95-100
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2022
Solar cell is a device that converts photon energy into electrical energy. Therefore, absorption of solar spectrum light is one of the most important characteristics to design the solar cell structures. Various methods have emerged to reduce optical losses, such as textured surfaces, back contact solar cells, anti-reflection layers. Here, the anti-reflection coating (ARC) layer is typically utilized whose refractive index value is between air (~1) and silicon (~4) such as SiNx layer (~1.9). This research is to print a material called polydimethylsiloxane (PDMS) to form a double anti-reflection layer. Light with wavelength in the range of 0.3 to 1.2 micrometers does not share a wavelength with solar cells. It is confirmed that the refractive index of PDMS (~1.4) is an ARC layer which decreases the reflectance of light absorption region on typical p-type solar cells with SiNx layer surface. Optimized PDMS printing with analyzing optical property for cell structure can be the effective way against outer effects by encapsulation.
Park, Se-Hoon;Ryu, Jong-In;Kim, Jun-Chul;Youn, Je-Hyun;Kang, Nam-Kee;Park, Jong-Chul
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.15
no.3
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pp.53-58
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2008
In this study, we fabricated embedded IC (Double Pole Double throw switch chip) polymer substrate and evaluate it for 2.4 GHz WiFi application. The switch chips were laminated using FR4 and ABF(Ajinomoto build up film) as dielectric layer. The embedded DPDT chip substrate were interconnected by laser via and Cu pattern plating process. DSC(Differenntial Scanning Calorimetry) analysis and SEM image was employed to calculate the amount of curing and examine surface roughness for optimization of chip embedding process. ABF showed maximum peel strength with Cu layer when the procuring was $80\sim90%$ completed and DPDT chip was laminated in a polymer substrate without void. An embedded chip substrate and wire-bonded chip on substrate were designed and fabricated. The characteristics of two modules were measured by s-parameters (S11; return loss and S21; insertion loss). Insertion loss is less than 0.55 dB in two presented embedded chip board and wire-bonded chip board. Return loss of an embedded chip board is better than 25 dB up to 6 GHz frequency range, whereas return loss of wire-bonding chip board is worse than 20 dB above 2.4 GHz frequency.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.8
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pp.679-687
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2001
It is known that amorphous BaTiO$_3$ thin films have good insulating properties[1][2]. In this investigation, amorphous BaTiO$_3$ thin films were deposited by rf magnetron sputtering on thick BaTiO$_3$ films of AC powder EL devices which were fabricated by screen-printing. The electrical and optical properties of the EL devices were then investigated. Adding amorphous BaTiO$_3$ thin film, it showed that leakage current density was decreased. Especially, leakage current density was decreased more with he sample of 0.5-hour deposition than the sample of 4-hours deposition. This result led to the improvement of luminous efficiency by 11%. It could be concluded that proper amorphous BaTiO$_3$ thin film deposition improved the surface property of dielectric layer.
The electrorheological (ER) behavior of suspensions in silicone oil of silica gel powder (average particle size 49 $\mu$m) absorbed water was investigated at room temperature with electric fields up to 2.4 KV/mm. In this paper, for development of succcessful ER fluids used for wide temperature range later, we would like to know a fundamental understanding of water on ER effect. As a first step, the ER fluids involving water activated silica gel were measured not only the electrical characteristics such as dielectric constant, current density and electrical conductivity but also the rheological properties on the strength of electric field, the quantity of dispersed phase and absorbed water. From the experimental results that water absorbed to the particles directly affects to the surface charge density of electric double layer model proposed by Schwarz and makes dielectric constant and current density of ER fluids increase. The current density and dynamic yield stress $($\tau$_y)$ of water activated silica gel suspensions was in exponential proportion to the strength of electric field, the quantity of dispersed phase and absorbed water. And the optimum water quantity and weight concentration of silica gel for electrorheological effect were 4-5 wt% and 15 wt%, respectively.
In order to increase the surface area of electrodes for electrosorption, porous carbon electrodes were fabricated by a wet phase inversion method. A carbon slurry consisting of a mixture of activated carbon powder (ACP), polyvinylidene fluoride (PVdF), and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) as a solvent was cast directly on a graphite sheet. The cast film was then immersed in pure water for phase inversion. The physical and electrochemical properties of the electrodes were investigated using scanning electron microscopy (SEM), porosimetry, and cyclic voltammetry. The SEM images verified that the pores of various sizes were formed uniformly on the electrode surface. The average pore sizes determined for the electrodes fabricated with various NMP contents ranged from 64.2 to 82.4 nm and the size increased as the NMP content increased. All of the voltammograms showed a typical behavior of charging and discharging characteristic at the electric double layer. The electrical capacitance ranged from 3.88 to $5.87F/cm^2$ depending on the NMP contents, and the electrical capacitance increased as the solvent content decreased. The experimental results showed that the solvent content is an important variable controlling pore size and ultimately the capacitance of the electrode.
Kim, D.I.;Seol, Y.G.;Lee, N.E.;Woo, C.H.;Ahn, C.H.;Ch, H.K.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.479-479
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2011
Flexible inverters based on complementary thin-film transistor (CTFTs) are important because they have low power consumption and other advantages over single type TFT inverters. In addition, integrated CTFTs in flexible electronic circuits on low-cost, large area and mechanically flexible substrates have potentials in various applications such as radio-frequency identification tags (RFIDs), sensors, and backplanes for flexible displays. In this work, we introduce flexible complementary inverters using pentacene and amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) for the p-channel and n-channel, respectively. The CTFTs were fabricated on polyimide (PI) substrate. Firstly, a thin poly-4-vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate to make a smooth surface with rms surface roughness of 0.3 nm, which was required to grow high quality IGZO layers. Then, Ni gate electrode was deposited on the PVP layer by e-beam evaporator. 400-nm-thick PVP and 20-nm-thick ALD Al2O3 dielectric was deposited in sequence as a double gate dielectric layer for high flexibility and low leakage current. Then, IGZO and pentacene semiconductor layers were deposited by rf sputter and thermal evaporator, respectively, using shadow masks. Finally, Al and Au source/drain electrodes of 70 nm were respectively deposited on each semiconductor layer using shadow masks by thermal evaporator. Basic electrical characteristics of individual transistors and the whole CTFTs were measured by a semiconductor parameter analyzer (HP4145B, Agilent Technologies) at room temperature in the dark. Performance of those devices then was measured under static and dynamic mechanical deformation. Effects of cyclic bending were also examined. The voltage transfer characteristics (Vout- Vin) and voltage gain (-dVout/dVin) of flexible inverter circuit were analyzed and the effects of mechanical bending will be discussed in detail.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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