Ni oxide thin films with thermal sensitivity superior to Pt and Ni thin films were formed through annealing treatment after Ni thin films were deposited by a r.f. magnetron sputtering method. Resistivity values of Ni oxide thin films were in the range of $10.5{\mu}{\Omega}cm$ to $2.84{\times}10^{4}{\mu}{\Omega}cm$ according to the degree of Ni oxidation. Also temperature coefficient of resistance(TCR) values of Ni oxide thin films depended on the degree of Ni oxidation from 2,188 ppm/$^{\circ}C$ to 5,630 ppm/$^{\circ}C$ in the temperature range of $0{\sim}150^{\circ}C$. Because of the high linear TCR and resistivity characteristics, Ni oxide thin films exhibit much higher sensitivity to flow and temperature changes than pure Ni thin films and Pt thin films.
As Cr-Mo-V steels have excellent mechanical and creep properties at elevated temperatures, they are extensively used in power plants. However, the steam turbine components are supposed to have suffered material degradation during long-term service at elevated tenperatures. Many efforts have been made to assess the safety and residual life of these components by means of non-destructive methods such as plastic replication, hardness and electric resistance techniques. Recently, a parameter correlating hardness changes during long-term heating to those during creep was introduced and it was named 'G parameter'. The electric resistivity as well as hardness are affected by damage accumulation, but there have been no efforts to correlate G parameter to resistivity changes. In this study, relationship between G parameter and changes in electric resistivity was investigated using artificially aged Cr-Mo-V steel. It is well understood that G parameter can be applied to electric: resistance techmique.
Excessive water leakage phenomenon happens through damage of nation core zone of about 17,000 storage of water facilities or collapse of dam is worried, is being damaged or enforce dilapidated fill dam core zone's repair reinforcement. Example that use grouting method of construction considering construction and economic performance etc. recently by repair reinforcement way about defect of dam is increased. Permeation grouting method repair & reinforcement of fill dam countermeasure is preferred in nation. Do that is economical to decide these repair reinforcement effect and grouting effect estimation method that do not give damage to dam is effective. Therefore, observing electricity resistivity Survey change of dam since grouting reinforcement using Electric resistivity Survey inquiry of seismic survey method in this research, Wished to verify grouting effect whether is possible as Electric resistivity Survey, and study whether integrity of dam through repair reinforcement defined.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제8권4호
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pp.161-165
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2007
In this work, Ni thin films with different thickness from $1,523{\AA}\;to\;9,827{\AA}$ were deposited for the application of micro thermal flow sensors by a magnetron sputtering and oxidized through annealing at $450^{\circ}C$ with increasing annealing time. The initial variation of resistivity decreased radically with increasing films thickness, then gradually stabilizes as the thickness increases. The resistivity of Ni thin films with $3,075{\AA}$ increased suddenly with increasing annealing time at $450{\circ}C$, then gradually stabilizes as the thickness increases after the annealing time 9 h. In case of $3,075{\AA}\;and\;9,827{\AA}$ films, the average of TCR values, measured for the operating temperature range of $0^{\circ}C\;to\;180^{\circ}C$, were $2,413.1ppm/^{\circ}C\;and\;4,438.5ppm/^{\circ}C$, respectively. Because of their high resistivity and very linear TCR, Ni oxide thin films are superior to pure Ni and Pt thin films for flow and temperature sensor applications.
In the present study, multi-layered Si DLC (Silicon Diamond-Like Carbon) coatings with HMDSO (Hexamethyldisiloxane) buffer layers are applied on SKD 11 substrates by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) with different HMDSO gas flow rates, while the gas flow rate of $C_2H_2$ is fixed to enhance the electric resistivity of forming dies for electrically assisted forming. The HMDSO buffer layer is introduced to increase adhesion between the base metal and Si-DLC layers. The result of evaluation of electric resistivity and adhesion strength shows that the properties are affected by the flow rate of HMDSO, while the flow rate of 80 sccm results in the coating with the highest electric resistivity and adhesion strength among the selected flow rates.
본 논문에서는 접지된 유전체평면 위에 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조의 전자파 산란문제를 수치해석 방법인 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)을 이용하여 스트립 폭 및 주기, 유전체층의 비유전율 및 두께, 입사각에 따라 수치 해석하였다. 산란전자계는 Floquet 모드함수의 급수로 전개하였다. 경계조건은 미지의 계수를 구하기 위하여 적용하였고, 저항띠 경계조건은 접선성분의 전계와 스트립의 유도전류와의 관계를 위해 이용하였다. 저항띠의 변하는 저항율은 저항띠의 양끝에서 0으로 변하는 경우를 취급하였고, 이때 유도되는 표면 전류밀도는 2종 Chebyshev 다항식의 급수로 전개하였다. 본 논문에서 변하는 저항율이 0을 갖는 도체띠에 대한 정규화 된 반사전력은 기존 논문의 결과와 매우 잘 일치하였다.
저수지 누수구간에 대한 지수를 목적으로 저수지 제체를 대상으로 시멘트 그라우트를 이용한 그라우팅을 수행하였으며, 효과 검증을 위하여 그라우팅 전후에 다양한 수리시험과 전기비저항 탐사를 수행하였다. 효과 검증을 위한 쌍극자배열 전기비저항 탐사 결과 그라우팅 이후 전극 전개별 겉보기 비저항 이상곡선이 양호한 연속성과 주입 구간 전체에서 저비저항대가 수평적으로 발달되는 결과가 나타났다. 또한 장기간의 전기비저항 수직탐사를 이용한 결과 겉보기 비저항을 이용하는 경우 주입 이전에 비해 낮아지는 구간으로 주입 구간 확인이 가능하였다. 검사공을 이용한 전기비저항 토모그래피 탐사 결과 제체 상부에서 수행한 기존의 탐사 결과와 일치됨에 따라 향후 검사공을 이용한 그 라우팅 효과 판정 시 이 방법을 병행하는 경우 제체의 그라우팅 효과에 대한 공간적인 검증이 가능함을 확인하였다.
The electrical conductive mechanism and temperature dependence of electrical resistivity of $\alpha-SiC-ZrB_2$ composites with $ZrB_2$ contents were investigated. The electrical resistivity of hot-pressed composites was measured by the Pauw method form $25^{\circ} to 700^{\circ}C$. The electrical resistivity of the composites follow the electrical conduction model for a homogeneous mixture of two kind of particles with different conductivity. Also, the electrical resistivity versus temperature curves indicate the formation of local chains of $ZrB_2$ particles. In case of $\alpha-SiC-ZrB_2$ composites containing above 39vol.% $ZrB_2$ showed positive temperature coefficient resistance(PTCR), whereas the electrical resistivity of $\alpha-SiC-21vol.% ZrB_2$ showed negative temperature coefficient resistance(NTCR).
This paper investigates the change of the percolation threshold in the carbon powder-filled polystyrene matrix composites based on the experimental results of changes in the resistivity and relative permittivity of the carbon powder filling, the electric field dependence of the current, and the critical exponent of conductivity. In this research, the percolation behavior, the critical exponent of resistivity, and electrical conduction mechanism of the carbon powder-filled polystyrene matrix composites are discussed based on a study of the overall change in the resistivity. It was found that the formation of infinite clusters is interrupted by a tunneling gap in the volume fraction of the carbon powder filling, where the change in the resistivity is extremely large. In addition, it was found that the critical exponent of conductivity for the universal law of conductivity is satisfied if the percolation threshold is estimated at the volume fraction of carbon powder where non-ohmic current behavior becomes ohmic. It was considered that the mechanism for changing the gaps between the carbon powder aggregates into ohmic contacts is identical to that of the connecting conducting phases above the percolation threshold in a random resister network system. The electric field dependence is discussed with a tunneling mechanism. It is concluded that the percolation threshold should be defined at this volume fraction (the second transition of resistivity for the carbon powder-filled polystyrene matrix composites) of carbon powder.
Two kinds of the calculation technique are Investigated with 3D triangular SCM for the arrangement of the dielectric sphere with different resistivity under a uniform electric field. The calculation error of Method I is small outside the sphere, but considerably high Inside. On the other hand, the accuracy is much Improved even Inside the solid dielectric by Method II, which uses double layers of triangular charges on the dielectric boundary.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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