The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.6
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pp.648-654
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2003
Diamond MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) diodes and MISFETs(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistors) were fabricated by employing various fluorides as gate insulator, and their electrical properties were closely investigated by means of C-V measurements. The A1/BaF$_2$/diamond MIS structure exhibited outstanding electrical properties. The MIS diode showed a very low surface state density of ∼10$\^$10//$\textrm{cm}^2$ eV near the valence band edge, and the observed effective mobility(${\mu}$$\_$eff/) of the MISFET was 400 $\textrm{cm}^2$/Vs, which is the highest value obtained until now in the diamond FET. From the chemiphysical point of view, the above result might be explained by the reduction of adsorbed-oxygen on the diamond surface via strong chemical reaction by the constituent Ba atom in the insulator during the film deposition(Oxygen-Gettering Effect).
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.9
no.1
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pp.106-117
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1992
In this study, the propagation behaviour and the closure phenomena of physically small surface cracks were investigated by the techinque of the Kikukawa-unloading elastic compliance method using a back face strain gage. The surface cracks initiated and propagated from notched specimens under constant amplitude bending load. The crack shape (aspect ratio) with approximately semi-circular at the early stage was changed to semi-elliptical as the cracks grew larger. The crack depth (a) could be expressed uniquenly by the crack length (c). The dependence of the crack propagation rate on the stress ratio R was strongly related in the lower ${\Delta}K$ range. The deceleration of the surface crack propagation rate was prominent in lower R during the crack length was small. When the propagation rate was rearranged with the effective stress intensity factor range ${\Delta}$K_{eff} the dependence of the crack propagation rate on the stress ratio R was found to be diminshed. These were caused by the crack closure phenomena that was most prominent at the lower propagation rate. The mechanism of crack closure phenomena was dominated by the plasticity-induced mechanism.
Kim, Min-Hoe;Chung, Woo-Taek;Lee, Mi-Kyung;Lee, Jun-Yeup;Ohh, Sang-Jip;Lee, Jin-Ha;Park, Don-Hee;Kim, Dong-Jin;Lee, Hyeon-Yong
Journal of Microbiology and Biotechnology
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v.10
no.4
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pp.455-461
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2000
Abstract Spirulina platensis was grown in SWlUe waste to reduce inorganic compowlds and simultaneously produce feed resources. Spirulina platensis prefers nitrogenous compounds in Ibe order: $NH_4^{+}-N>NO_3^{-}-N>simple-N$ such as urea and simple amino acids. It even consumes $NH_4^{+}-N$ first when urea or nitrate are present. Therefore, the content of residual $NH_4^{+}-N$ in Spimlina platensis cultures can be determined by the relative extent of the following processes: (i) algal uptake and assimilation; (ii) ammonia stripping; and (iii) decomposition of urea to NH;-N by urease-positive bacteria. The removal rates of total nitrogen ffild total phosphorus were estimated as an indicator of the treatment effIciency. It was found that Spirulina platensis was able to reduce 70-93% of $P_4^{3-}-P$, 67-93% of inorganic nitrogen, 80-90% of COD, and 37-56% of organic nitrogen in various concentrations of swine waste over 12 days of batch cultivation. The removal of inorganic compounds from swine waste was mainly used for cell growth, however, the organic nitrogen removal was not related to cell growlb. A maximum cell density of 1.52 dry-g/l was maintained with a dilution rate of 0.2l/day in continuous cultivation by adding 30% swine waste. The nitrogen and phosphorus removal rates were correlated to the dilution rates. Based on the amino acid profile, the quality of the proteins in the Spirulina platensis grown in the waste was the same as that in a clean culture.ulture.
Here, we investigated whether hyperglycemia and/or free fatty acids (palmitate, PAL) affect the expression level of bone morphogenic protein 4 (BMP4), a proatherogenic marker, in endothelial cells and the potential role of BMP4 in diabetic vascular complications. To measure BMP4 expression, human umbilical vein endothelial cells (HUVECs) were exposed to high glucose concentrations and/or PAL for 24 or 72 h, and the effects of these treatments on the expression levels of adhesion molecules and reactive oxygen species (ROS) were examined. BMP4 loss-of-function status was achieved via transfection of a BMP4-specific siRNA. High glucose levels increased BMP4 expression in HUVECs in a dose-dependent manner. PAL potentiated such expression. The levels of adhesion molecules and ROS production increased upon treatment with high glucose and/or PAL, but this eff ect was negated when BMP4 was knocked down via siRNA. Signaling of BMP4, a pro-inflammatory and pro-atherogenic cytokine marker, was increased by hyperglycemia and PAL. BMP4 induced the expression of inflammatory adhesion molecules and ROS production. Our work suggests that BMP4 plays a role in atherogenesis induced by high glucose levels and/or PAL.
Fung, Tze-Ching;Chuang, Chiao-Shun;Nomura, Kenji;Shieh, Han-Ping David;Hosono, Hideo;Kanicki, Jerzy
Journal of Information Display
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v.9
no.4
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pp.21-29
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2008
We studied both the wavelength and intensity dependent photo-responses (photofield-effect) in amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs). During the a-IGZO TFT illumination with the wavelength range from $460\sim660$ nm (visible range), the off-state drain current $(I_{DS_off})$ only slightly increased while a large increase was observed for the wavelength below 400 nm. The observed results are consistent with the optical gap of $\sim$3.05eV extracted from the absorption measurement. The a-IGZO TFT properties under monochromatic illumination ($\lambda$=420nm) with different intensity was also investigated and $I_{DS_off}$ was found to increase with the light intensity. Throughout the study, the field-effect mobility $(\mu_{eff})$ is almost unchanged. But due to photo-generated charge trapping, a negative threshold voltage $(V_{th})$ shift is observed. The mathematical analysis of the photofield-effect suggests that a highly efficient UV photocurrent conversion process in TFT off-region takes place. Finally, a-IGZO mid-gap density-of-states (DOS) was extracted and is more than an order of magnitude lower than reported value for hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), which can explain a good switching properties observed for a-IGZO TFTs.
The width dependence of Delta E has been studied by impedance resonance method in Fe-rich amorphous ribbon of as received state. It can be explained by single domain model include effective magnetic field $H_{eff}$ and demagnetization factor $N_d$. Wider width ribbon's effective is smaller than narrow it. Young's modulus also smaller than narrow width. These result well agreement in calculation. It has been also studied that linear magnetic field sensor using width dependence of Delta E under the field range 0 Oe~80 Oe. The sensitivity of the sensor was found to be 95 Hz/Oe.
Issa, Shams A.M.;Ali, Atif Mossad;Tekin, H.O.;Saddeek, Y.B.;Al-Hajry, Ali;Algarni, Hamed;Susoy, G.
Nuclear Engineering and Technology
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v.52
no.6
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pp.1297-1303
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2020
In this study, nuclear radiation shielding and rigidity parameters of Y (0.1-x)B0.6Bi1.8O3La2x glassy system were investigated in order to determine it's suitability for use as nuclear radiation shielding materials. Therefore, a group of bismuth borate glass samples with La2O3 additive were synthesized using the technique of melt quenching. According to the results, the increase of the La2O3 additive increases the density of the glass samples and the mass attenuation coefficient (μm) values, whereas the half-value layer (HVL) and mean free path (MFP) values decrease. The effective atomic number (Zeff) is also enhanced with an increment of both mass removal cross section for neutron (ΣR) and absorption neutron scattering cross section (σabs). In addition to the other parameters, rigidity parameter values were theoretically examined. The increase of La2O3 causes some other important magnitudes to increase. These are the average crosslink density, the number of bonds per unit volume, as well as the stretching force constant values of these glass samples. These results are in concordance with the increase of elastic moduli in terms of the Makishima-Mackenzie model. This model showed an increase in the rigidity of the glass samples as a function of La2O3.
High turbid water in the River has been one of the major concerns to the downstream residence. Especially in the Nakdong River basin severe turbid water problem occurred in year 2002 and 2003 due to the typhoon Rusa and Maemi consecutively. The main objective of this study is to develop turbid water management system in reservoir downstream of the Nakdong River combining physically based semi-distributed hydrologic simulation model SWAT with 1-dimensional dynamic water quality simulation model. SWAT model covers the area from the upstream of the Imha and Andong reservoir to the Gumi gage station for the purpose of estimating flow rates and suspended sediment of the tributaries. From year 1999 to 2007 runoff simulation for 8 years $R_{eff}$ and $R^2$ ranges $0.46{\sim}0.9$, $0.54{\sim}0.99$ respectively. Through the linkage of models, outputs of SWAT model such as suspended sediment and flow rates of the tributaries can be incorporated into the 1-dimensional dynamic water quality simulation model, KoRiv1 to support joint reservoir operation considering the turbidity released from Imha and Andong reservoir. The applicability of model simulation has been tested for year 2006 and compared with measured data.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.5
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pp.388-396
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2010
In this study, we propose characteristics improvement methods according to via hole plating method for FBAR Duplexer with bandwidth($T_x4: 1850 MHz ~ 1910 MHz, $R_x$:1930 MHz ~ 1990 MHz) which is used for wireless systems. Also, we designed and fabricated $3.8{\times}3.8{\times}1.8mm$ size microminiature FBAR Duplexer based on this proposal. First of all, in this study, we fabricated pentagon shape resonators by different size to make filter combination, and their quality factor(Q) are 687 with 6.6% of ${k_{eff}}^2$. Using this resonators, we designed $3{\times}2$ Type $T_x$ filter and $3{\times}4$ Type $R_x$ filter. The transmission line, which works as phase shifter, is designed with 210 ${\mu}m$ in width and 18 mm in length Stripline type. Inductor, which is used for matching component, is designed with width of 75 ${\mu}m$, a technically achievable minimum width. And adopted plating method of filling via hole with conductive epoxy for improved grounding and thermal conductivity. Using these configuration with all of the matching component values, we found Duplexer characteristics of -1.57 dB ~ -1.73 dB in insertion loss, -56 dB in attenuation at 1850 MHz ~ 1910 MHz of $T_x$ band. Also, found -2.71 dB ~ -3.23 dB in insertion loss, -58 dB in attenuation at 1930 MHz ~ 1990 MHz of $R_x$ band.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.33
no.7
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pp.486-494
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2009
One-dimensional modeling of $CH_4$/air premixed flame was conducted to validate the heat loss model and investigate NOx formation characteristics in the postflame region. The predicted temperature and NO concentration were compared to experimental data and previous heat loss model results using a constant gradient of temperature (100 K/cm). The following conclusions were drawn. In the heat loss model using steady-state heat transfer equation, the numerical results using the effective heat loss coefficient ($h_{eff}$) of $1.0\;W/m^2K$ were in very good agreement with the experiments in terms of temperature and NO concentration. On the other hand, the calculated values using the constant gradient of temperature (100 K/cm) were lower than that in the experiments. Although the effects of heat loss suppress NO production near the flame region, a significant difference in NO concentration was not found compared to that under adiabatic conditions. In the postflame region, however, there were considerable differences in NO emission index as well as the contribution of NO formation mechanisms. In particular, in the range of ${\phi}\;{\geq}\;0.8$, the prompt NO mechanism plays an important role in the NO reduction under the adiabatic condition. On the other hand, the mechanism contributes to the NO production under the heat loss conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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