• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.191-191
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• 2000

마이크로파 절연파괴(breakdown) 및 ECR 플라즈마를 발생시키기 위해 2.45 GHz 마그네트론을 사용하여 간편한 마이크로파 발생장치를 제작하였다. 이 장치는 KAIST-토카막에서 고온 플라즈마를 발생시킬 때 재현성이 좋은 플라즈마를 얻기 위해서 전 이온화하는데 이용된다. 장치에 사용한 마그네트론은 LG 전자의 2M213이고 출력 500W, 주파수 2.45GHz이며, 가정용 전자오븐에 사용된다. 기존의 가정용 마그네트론은 음극(cathode)과 양극(anode)사이에 걸리는 고전압이 60Hz의 주기를 갖기 때문에 약 16ms 마다 8ms동안만 주기적으로 초고주파를 발생한다. 이 마그네트론을 사용하여 연속적으로 발생되는 마이크로파를 얻기 위해서 음극과 양극사이에 개량된 회로로 리플전압이 작은 DC 고전압(5kV, 1A)을 인가하였다. 본 연구에서는 주기적으로 생성.소멸하는 ECR 프라즈마와 연속적인 ECR 플라즈마를 발생시켜 랑뮈어탐침과 광증배관(PMT)을 이용한 H$\alpha$ 방출(emission)을 측정하여 마이크로파 발생장치의 특성을 조사하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.20 no.12
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• pp.1409-1412
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• 1999

The spectrophotometric determination method of scandium with eriochrome cyanine R (ECR) and the composition ratio of the complex were investigated in the presence of surfactants. A volume of 5 mL of 1.0×$10^{-3}$ M ECR and 10 mL of 2.0×$10^{-4}$ M CTMAB are necessary for the determination of 1.0×$10 ^{-7}$ ~ 3.0×$10^{-6}$ M Sc(III) at pH 6.5. The apparent molar absorption coefficient of the Sc(III)-ECR-CTMAB, ternary complex at 610 nm is 5.6×$10^5$ $mol^{-1}cm{-1}$L and its detection limit is 1.0×$10^{-7}$ M. Separation studies were conducted by the column method. The effect of pH, elution solution and the influence of rare earth elements as interferents was discussed. Their separation was carried out in 0.1 M HCl-50% methanol solution and 1.0 M HCl media. The method was applied for the determination of Sc(III) in monazite.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.3
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• pp.186-196
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• 2009

Since it is difficult to extract a high flux ion beam directly at an energy of hyperthermal range ($1{\sim}100\;eV$), especially, lower than 50 eV, the ions should be neutralized into neutral particles and extracted as a neutral beam. A plasma source required to generate and efficiently transport high flux hyperthermal neutral beams should be easily scaled up and produce a high ion density (${\ge}10^{11}\;cm^{-3}$) even at a low working pressure (${\le}$ 0.3 mTorr). It is suggested that the required plasma source can be realized by Electron Cyclotron Resonance (ECR) plasmas with diverse magnetic field configurations of permanent magnets such as a planar ECR plasma source with magnetron field configuration and cylindrical one with axial magnetic fields produced by permanent magnet arrays around chamber wall. In both case of the ECR sources, the electron confinement is based on the simple mirror field structure and efficiently enhanced by electron drifts for producing the high density plasma even at the low pressure.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.188-188
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• 2000

DLC (Diamond-Like Carbon) 박막은 높은 경도와 가시광선 및 적외선 영역에서의 광 투과도, 전기적 절연성, 화학적 안정성 및 저마찰.내마모 특성 등의 우수한 물리.화학적인 물성을 갖고 있기 때문에 여러 분야의 응용연구가 이루어지고 있다. 이러한 DLC 박막을 제작하는 과정에는 여러 가지가 있으나, 본 연구에서는 ECR-PECVD electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법을 사용하였다. 이것은 최근에 많이 이용되고 있는 방법으로, 이온화률이 높을뿐만 아니라 상온에서도 성막이 가능하고 넓은 진공도 영역에서 플라즈마 공정이 가능한 장점이 있다. 기판으로는 4" 크기의 S(100)를 사용하였고, 박막을 제작하기 전에 진공 중에서 플라즈마 전처리를 하였다. 플라즈마 전처리는 Ar 가스를 150SCCM 주입시켜 5$\times$10-1 torr 의 진공도를 유지시키면서, ECR power를 700W로 고정하고, 기판 bias 전압을 -300 V로 하여 5분 동안 기판을 청정하였다. DLC 박막은 ECR power를 700W. 가스혼합비와 유량을 CH4/H2 : 10/100 SCCM, 증착시간을 2시간으로 고정하고, 기판 bias 전압을 0, -50, -75, -100, -150, -200V로 변화시켜가면서 제작하였다. 이때 ECR 소스로부터 기판까지의 거리는 150mm로 하였고, 진공도는 2$\times$10-2torr 였으며, 기판 bias 전압은 기판에 13.56 MHz의 RF power를 연결하여 RF power에 의해서 유도되는 negative DC self bias 전압을 이용하였다. 제작된 박막을 Auger electron spectroscopy, elastic recoil detection, Rutherford backscattering spectroscopy, X-ray diffraction, secondary electron microscopy, atomic force microscoy, $\alpha$-step, Raman scattering spectroscopu, Fourier transform infrared spectroscopy 및 micro hardness tester를 이용하여 기판 bias 전압이 DLC 박막의 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 분석결과 본 연구에서 제작된 DLC 박막은 탄소와 수소만으로 구성되어 있으며, 비정질 상태임을 알 수 있었다. 기판 bias 전압의 증가에 따라 박막의 두께가 감소됨을 알 수 있었고, -150V에서는 박막이 거의 만들어지지 않았으며, -200V에서는 기판 표면이 식각되었다. 이것은 기판 bias 전압과 ECR 플라즈마에 의한 이온충돌 효과 때문으로 판단되며, 150V 이하에서는 증착되는 양보다 re-sputtering 되는 양이 더 많을 것으로 생각된다. 기판 bias 전압을 증가시킬수록 플라즈마에 의한 이온충돌 현상이 두드러져 탄소와 결합하고 있던 수소원자들이 떨어져 나가는 탈수소화 (dehydrogenation) 현상을 확인할 수 있었으며, 이것은 C-H 결합에너지가 C-C 결합이나 C=C 결합보다 약하여 수소 원자가 비교적 해리가 잘되므로 이러한 현상이 일어난다고 판단된다. 결합이 끊어진 탄소 원자들은 다른 탄소원자들과 결합하여 3차원적 cross-link를 형성시켜 나가면서 내부 압축응력을 증가시키는 것으로 알려져 있으며, hardness 시험 결과로 이것을 확인할 수 있었다. 그리고 표면거칠기는 기판 bias 전압을 증가시킬수록 더 smooth 해짐을 확인하였다.인하였다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.5 no.1
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• pp.83-90
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• 1998

LPCVD를 이용하여 증착한 SiN과 ECR plasma CVD를 이용하여 증착한 SiC의 물 성과 적용가능성을 시험하였다. LPCVD로 증착된 SiN은 열처리 없이 저 응력의 박막형성이 가능했으며 가시광투과도 표면 평활도 역시 우수하였다. 탄성계수 값이 크지 않아 자성센서 의 지지구조로 사용할 경우 자기공명에 의한 진동을 크게 구속하지 않아 유리할것으로 기대 된다. 반면 ECR plasma CVD로 증착된 SiC는 SiN보다는 못하지만 다른 방법에 의해 증착 된 SiC에 비해서는 가시광 투과도 및 표면 평활도가 후수하므로 X-선 조사에 대한 안정성 과 더불어 X-선 마스크용 membrane으로서 사용이 적절할 것으로생각된다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1993.11a
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• pp.115.2-115
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• 1993

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1993.11a
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• pp.116-116
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• 1993

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.1671-1673
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• 2002

자장 크기 변화에 따른 마이크로파를 발생시켜 출력 크기를 측정함에 있어 축 방향 자장의 크기를 두가지 크기로 변화시켜 결과 자장크기 부근에서 출력증대가 일어났다. 이는 전자 사이크로트론 공명에 의한 출력증대로 볼 수 있으며 수직방향의 크기로 간주된다. 본 실험에서는 원래 수평방향의 자계에 대하여 출력발생 및 출력증대가 이루어지는 후진파 발진기를 이용한 실험을 하였다. 주파수 18${\sim}$21GHz대를 이용하여 측정한 결과 0.3T와 0.7T부근에서 출력증대 및 효율증대가 이루어 지는 것을 관찰하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.447-448
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• 2012

With wireless power transfer the of ECR device the designed with a high-frequency and high frequency AC power to the device that may enter the high-frequency switching inverter to be possible. In this paper, is designed to 2MHz switching frequency by using ECR device capable of 2MHz Class ${\Phi}_2$ inverter was designed as a wireless power transmission.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.10 no.1
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• pp.98-104
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• 1999

In this work, we investigated hydrogen content, bond structure, and electrical properties of a-Si:H films prepared by ECR plasma CVD as a function of pressure. In general, the photo sensitivity of a-Si:H films prepared by CVD method decreases as the deposition rate increases, but the photo sensitivity of a-Si:H films prepared by ECR plasma deposition method increases as the deposition rate increases. In the same condition of microwave power, the ratio of $SiH_4/H_2$, and pressure, though film thickness increases linearly with deposition time and hydrogen content in the film is constant, photo conductivity can be decreased because $SiH_2$ bond is made more than SiH bond in the short reaction time. According to increase pressure in the chamber, SiH bond in the film increase and optical energy gap decrease. So, photo conductivity can be increased. But photo sensitivity decreased as dark conductivity increase. It must be grown in the condition of low pressure and hydrogen gas for taking the a-Si:H film of high quality.