• 한국전산구조공학회논문집
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• 제13권4호
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• pp.485-500
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• 2000

본 논문에서는 element-free Galerkin(EFG) 방법에 기반한 적응적 정적균열진전해석기법을 제시하였다. 균열진전 매단계마다 적응적해석을 수행함으로써 전체 해석의 일관성과 정밀성을 동시에 확보할 수 있었다. 균열진전과정에 있어서의 적응적해석은 산정된 오차지표에 따라 적분을 위한 격자구조에 따라 절점을 추가하고 소거하는 과정을 통해 구현되었다. 이 때 사용된 오차지표는 원 EFG해석결과 얻어진 응력과 절점응력을 다시 투영한 응력의 차에 의해 얻어졌다. 제안된 해석기법의 타당성과 효용성을 수치예제에 의해 검증하였다. 그 결과 제안된 해석기법이 균열진전해석시 효율적으로 적용될 수 있음을 보였다.

• 한국전산구조공학회:학술대회논문집
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• 한국전산구조공학회 2003년도 봄 학술발표회 논문집
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• pp.279-287
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• 2003

This paper deals with a comparative study on coupling of Element-free Galerkin(EFG) method and Infinite Element(IE) by IE's shape function. In this study, mapped infinite elements(mapped IE) and decay function infinite elements(decay IE) are coupled with the EFG method. A coupling procedure of EFG-Mapped IE is much easier to be integrated than a coupled EFG-Decay IE. A coupled EFG-IE method used well-defined functions to preserve the continuity and linear consistency on the interface of the EFG region and IE region. Several benchmark problems are solved to verify the effectiveness and accuracy of the coupling algorithms by IE's shape function. The numerical results show that the developed algorithms work well for the elastic problems with infinite boundaries.

• 한국전산구조공학회논문집
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• 제12권4호
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• pp.691-700
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• 1999

본 연구에서는 요소를 사용하지 않는 새로운 해석방법인 EFG(Element-Free Galerkin)법을 사용하여 복수의 초기균열을 지닌 강재가 반복피로하중을 받는 경우 균열들이 점진적으로 성장하여 부재가 파단에 이르는 과정을 해석적으로 규명하였다. 이를 위하여 본 연구에서는 일반적인 피로균열성장법칙을 EFG법을 이용한 균열해석 알고리즘에 적용하여 복수의 균열들이 각각의 응력상태에 따라 차별적으로 성장해 나가는 과정을 해석할 수 있는 알고리즘을 도입하고 이를 바탕으로 다양한 하중상태하에서 복수의 균열들의 성장경로를 추정함과 동시에 이에 따른 잔존수명을 산정할 수 있는 기법을 제시하였다. 본 연구에서 제안된 해석방법을 피로균열 발생빈도가 큰 몇가지의 강부재 형태에 적용해 본 결과 다수균열 함유 부재의 피로균열 성장거동과 균열들의 피로수명을 성공적으로 예측할 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.420-429
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• 2004

인체 생리의 부조화에 의한 기능적 이상 진단이 가시화 장비나 임상병리 소견으로도 진단할 수 없는 경우가 있기 때문에, 현대과학과 의공학의 특성을 접목한 EFG(Electro Functio Gram：기능전도) 측정 개념의 진단기술 개발이 요구되고 있다. 따라서 이러한 기능적 진단기술을 이용하여 양ㆍ한방 모든 분야에서 기초 진단기로 사용할 수 있는 재현성과 신뢰성, 편리성을 갖춘 범용의 진단시스템으로 개발하였다. 또한, 한의학적진단 및 치료를 위한 기와 혈의 인체 순환을 진단할 수 있는 사지 8CH(양,음경락), 두부 2CH 동시계측 방법 및 일괄 부착식 전극을 개발하였다. 성인 남자 20명(정상인)을 대상으로 한 임상데이터 분석결과, 인체의 12경락의 상태 및 자율신경계통의 상태를 진단할 수 있어서, 진단장비로써의 유의성을 확인하였다. 따라서, 본 논문에서는 인체 12부위의 음경락 양경락을 측정할 수 있는 H/W 및 S/W을 구현하고, EFG 체계를 구축하여 생체-전기적 반응에 의한 한의학적 진단 시스템을 설계하였다.

• 전산구조공학
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• 제11권1호
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• pp.261-274
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• 1998

본 연구에서는 무요소방법에 적응적 해석기법을 적용하기 위한 부분 및 전체오차의 평가기법을 제안하였다. 본 연구에서 제안한 오차의 평가방법은 무요소방법에서 계산된 응력이 오차가 큰 영역에서 진동한다는 특성을 이용한 것으로 해석결과 얻어진 응력을 낮은 차수의 형상함수로 투사하는 후처리를 함으로써 가상진동모우드를 제거하고 이때 얻어진 투영응력과 원래의 응력을 비교하여 부분오차 및 전체오차를 구할 수 있다. 1차원 및 2차원 예제해석을 통하여 투영응력을 구할 때 가능한 한 작은 영향영역을 사용하는 것이 바람직하다는 것을 보였으며 이는 영향영역의 크기를 과도하게 설정할 경우 투영응력을 과대 평가할 수 있기 때문이다. 본 연구에서 제안한 오차의 평가기법은 다른 무요소 방법에 적용될 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제32권4호
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• pp.121-127
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• 2022

초광역대 반도체인 β-Ga₂O₃은 고전력 반도체 소재에 대한 유망한 응용으로 인해 큰 주목을 받고 있다. 5가지 다른 다형 중 가장 안정적인 상인 β-Ga₂O₃는 4.9 eV의 넓은 밴드갭과 8 MV/cm의 높은 항복 전계를 갖는다. 또한, 이는 용융 소스로부터 성장될 수 있어 전력반도체용 SiC, GaN 및 다이아몬드와 같은 다른 와이드 밴드갭 반도체보다 더 높은 성장률과 더 낮은 제조 비용으로 성장이 가능하다. 이 연구에서 β-Ga₂O₃ 단결정 성장은 EFG(edge-defined film-fed growth) 방법에 의해 성장되었다. 성장 방향과 주면을 각각 β-Ga₂O₃ 결정의 [010] 방향과 (100)면으로 성장하였다. Raman 분석의 스펙트럼으로 β-Ga₂O₃ 잉곳의 결정상과 불순물을 확인하였고, 고해상도 X선 회절(HRXRD)을 이용하여 결정 품질과 결정 방향을 분석하였다. 또한 EFG 방법으로 성장한 β-Ga₂O₃ 리본형태의 잉곳을 각 위치별로 결정 품질과 다양한 특성을 체계적으로 분석하였다.

• 한국자기학회지
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• 제4권2호
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• pp.184-187
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• 1994

Czochralski 방법에 의해 성장된 $CsMnCl_{3}$ 단결정에서 $^{133}Cs$의 핵자기 공명을 Bruker FT NMR 분광기를 이용하여 연구하였다. 두 개의 다른 무리의 $^{133}Cs$ 공명선이 관측되었다. : 서로 다른 intensity를 갖는 두 cesium 스펙트럼에 속하는 여러 transition이 분석되었다. Cs(I)의 핵 사중극 결합상수는 $0.15{\pm}0.01$ MHz이고, Cs(II)는 $0.21{\pm}0.01$ MHz이다. 비대칭인자는 두 경우에 대하여 영이고, 일들 두 경우의 EFG 텐서의 주축은 같았다. EFG 텐서의 가장 큰 성분을 만족하는 Z 축은 결정학적인 c축과 나란한 방향임을 알았다.

• 한국전산구조공학회:학술대회논문집
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• 한국전산구조공학회 1999년도 가을 학술발표회 논문집
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• pp.452-459
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• 1999

In this study, error estimates using the stress projecting scheme and adaptive nodal generation procedure in the element-free Galerkin(EFG) method are proposed. The essence of proposed error estimates is to use the difference between the values of the projected stress and these given directly by the EFG solution. The stress projection can be obtained simply by taking product of shape function based on a different domain of influence with the stresses at nodes. An adaptive procedure based on error estimates is discussed in this paper. By use of background integration cell, adding node scheme at high error norm area is proposed. To demonstrate the performance of proposed scheme, the convergence behavior is investigated for several examples

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.240-244
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• 2011

The high cost of crystalline silicon solar cells has been considered as one of the major obstacles to their terrestrial applications. Spin on doping (SOD) is presented as a useful process for the manufacturing of low cost solar cells. Phosphorus (P509) was used as an n-type emitters of solar cells. N-type emitters were formed on p-type EFG ribbon Si wafers by using a SOD at different spin speed (1,000~4,000 rpm), diffusion temperatures ($800^{\circ}C{\sim}950^{\circ}C$), and diffusion time (5~30 min) in $N_2+O_2$ atmosphere. With optimum condition, we were able to achieve cell efficiency of 14.1%.

• 한국전산구조공학회:학술대회논문집
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• 한국전산구조공학회 2001년도 봄 학술발표회 논문집
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• pp.84-91
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• 2001

In this study, the adaptive analysis procedure of crack propagation based on the element-free Galerkin(EFG) method is presented. The adaptivity analysis in quasi-static crack propagation is achieved by adding and/or removing the node along the background integration cell that are refined or recovered according to the estimated error. These errors are obtained basically by calculating the difference between the values of the projected stresses and original EFG stresses. To evaluate the performance of proposed adaptive procedure, the crack propagation behavior is investigated for several examples. The results of these examples show the efficiency and accuracy of proposed scheme in crack propagation analysis.