• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.347-351
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• 2003

A p-$CdIn_2Te_4$ single crystal has been grown by the Bridgman method without a seed crystal in a tree-stage vertical electric furnace. From photocurrent measurements, it was found that three peaks, A, B, and C, corresponded to an intrinsic transition due to the band-to-band transition from the valence band states ${\Gamma}_7(A),\;{\Gamma}_6(B),\;and\;{\Gamma}_7(C)$ to the conduction band state ${\Gamma}_6$, respectively. Also, the valence band splitting of the $CdIn_2Te_4$ crystal has been confirmed by photocurrent spectroscopy. The crystal field splitting and the spin orbit splitting were obtained to be 0.2360 and 0.1119 eV, respectively. Also, the temperature dependence of the band gap energy of the $CdIn_2Te_4$ crystal has been driven as the following equation of $E_g(T)\;=E_g(0)\;-\;(9.43\;{\times}\;10^{-3})T^2/(2676\;+\;T)$. In this equation, the Eg(0) was estimated to be 1.4750, 1.7110, and 1.8229 eV at the valence band state A, B, and C, respectively. The band gap energy of the p-$CdIn_2Te_4$ at room temperature was determined to be 1.2023 eV.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권9호
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• pp.6247-6253
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• 2015

본 논문은 병렬 오차 증폭기 구조를 적용하여 과도응답특성 개선한 LDO 레귤레이터를 제안한다. 제안하는 LDO 레귤레이터는 고 이득, 좁은 주파수 대역의 오차증폭기 (E/A1)와, 저 이득, 넓은 주파수 대역의 오차증폭기 (E/A2)로 이루어지며, 두 오차증폭기를 병렬 구조로 설계해서 과도응답특성을 개선한다. 또한 슬루율을 높여주는 회로를 추가하여 회로의 과도응답특성을 개선하였다. 극점 불할 기법을 사용하여 외부 보상 커패시터를 온 칩 화하여 IC 칩 면적을 줄여 휴대기기 응용에 있어서도 적합하게 설계 하였다. 제안된 LDO 레귤레이터는 매그나칩/하이닉스 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 회로설계 하였고 칩은 $500{\mu}m{\times}150{\mu}m$ 크기로 레이아웃을 실시하였다. 모의실험을 한 결과, 2.7 V ~ 3.3 V의 입력 전압을 받아서 2.5 V의 전압을 출력하고 최대 100 mA의 부하 전류를 출력한다. 레귤레이션 특성은 100 mA ~ 0 mA에서 26.1 mV의 전압변동과 510 ns의 정착시간을 확인하였으며, 0 mA에서 100 mA의 부하 변동 시 42.8 mV의 전압 변동과 408 ns의 정착 시간을 확인하였다.

• Journal of Yeungnam Medical Science
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• 제6권1호
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• pp.151-163
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• 1989

건강한 성인 83명을 무작위로 선정하여 실시한 신경전도속도 검사에서 다음과 같은 결과를 얻었다. 1) 상지의 정중신경에서는 운동신경의 TL이 3.0-4.2msec 이고, MNCV는 각각 52.1-70.3m/sec(W-E), 44.6-71.0m/sec(E-Ax), 56.6-70.8m/sec(W-E), 50.5-75.1m/sec(E-Ax)이며, CNAP의 진폭은 $6.5-46.1{\mu}V$였다. 2) 척골신경에서는 운동신경의 TL이 2.4-3.4msec이고, MNCV는 각각 54.6-72.8m/sec(W-E), 41.1-64.9m/sec(E-Ax)이며, 진폭은 3.1-12.0mV였다. 척골신경의 MNCV는 각각 31.1-44.7m/sec(F-W)m, 55.9-70.9m/sec(W-E), 46.9-67.1m/sec(E-Ax)이며, CNAP의 진폭은 4.8-42.9${\mu}V$범위였다. 3) 요골신경에서는 운동신경의 TL이 1.9-2.7msec이고, MNCV는 53.1-77.5m/sec(W-E)이며, CMAP의 진폭은 1.1-6.6mV범위였다. 요골신경의 SNCV는 각각 38.5-52.1m/sec(F-V), 53.2-75.2m/sec(W-E) 이며, CNAP의 진폭은 $2.5-9.2{\mu}V$범위였다. 4) 하지의 비골신경에서는 운동신경의 TL이 3.5-5.7msec이며, MNCV는 각각 44.4-58.6m/sec(A-FH), 42.8-65.8m/sec(FH-PF)이며, CMAP의 진폭은 0.6-12.7mV 범위였다. 5) 후경골신경에서는 TL이 4.0-6.2m/sec이며, MNCV는 40.6-60.6m/sec이며, CMAP의 진폭은 3.9-29.2mV범위였다. 6) 비골신경의 SNCV는 37.5-49.5m/sec이며, CNAP의 진폭은 $0.7-17.1{\mu}V$범위였다. 7) H-반사의 평균 잠복기는 28.4msec였다.

• Journal of Veterinary Science
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• 제19권6호
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• pp.759-770
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• 2018

Fowl adenovirus (FAdV) is distributed worldwide and causes economic losses in the poultry industry. The objectives of this study were to determine the hexon and fiber gene changes in an attenuated FAdV isolate from Malaysia in specific pathogen-free chicken embryonated eggs (SPF CEE) and its infectivity in commercial broiler chickens. SPF CEE were inoculated with 0.1 mL FAdV inoculum via the chorioallantoic membrane (CAM) for 20 consecutive passages. The isolate at passage 20 (E20), with a virus titer of $10^{8.7}TCID_{50}/mL$ ($TCID_{50}$, 50% tissue culture infective dose), was inoculated (0.5 mL) into one-day-old commercial broiler chicks either via oral or intraperitoneal routes. The study demonstrated that 100% embryonic mortality was recorded from E2 to E20 with a delayed pattern at E17 onwards. The lesions were confined to the liver and CAM. Substitutions of amino acids in the L1 loop of hexon at positions 49 and 66, and in the knob of fiber at positions 318 and 322 were recorded in the E20 isolate. The isolate belongs to serotype 8b and is non-pathogenic to broiler chickens, but it is able to induce a FAdV antibody titer. It appears that molecular changes in the L1 loop of hexon and the knob of fiber are markers for FAdV infectivity.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제41권3호
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• pp.615-631
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• 2023

A power cordial labeling of a graph G = (V (G), E(G)) is a bijection f : V (G) → {1, 2, ..., |V (G)|} such that an edge e = uv is assigned the label 1 if f(u) = (f(v))ⁿ or f(v) = (f(u))ⁿ, For some n ∈ ℕ ∪ {0} and the label 0 otherwise, then the number of edges labeled with 0 and the number of edges labeled with 1 differ by at most 1. In this paper, we investigate power cordial labeling for helm graph, flower graph, gear graph, fan graph and jewel graph as well as larger graphs obtained from star and bistar using graph operations.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제42권2호
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• pp.445-456
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• 2024

A power cordial labeling of a graph G = (V (G), E(G)) is a bijection f : V (G) → {1, 2, ..., |V (G)|} such that an edge e = uv is assigned the label 1 if f(u) = (f(v))ⁿ or f(v) = (f(u))ⁿ, for some n ∈ ℕ ∪ {0} {0} and the label 0 otherwise, then the number of edges labeled with 0 and the number of edges labeled with 1 differ by at most 1. In this paper, we study power cordial labeling and investigate power cordial labeling for some standard graph families.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권11호
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• pp.70-77
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• 1998

본 논문에서는 nickel/silicon carbide(Ni/SiC) 접합에 의한 Schottky 다이오드를 제작하고, 그 전기적 특성을 조사하였다. Ni/4H-SiC의 경우, 산화막 모서리 단락을 하였을 때 상온에서 973V의 역방향 항복전압이 측정되었으며 이는 모서리 단락되지 않은 Schottky 다이오드의 역방향 항복전압 430V에 비해 매우 높았다. Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우, 산화막으로 모서리 단락시켰을 때와 시키지 않았을 때의 역방향 항복전압은 각각, 920V와 160V 였다. 고온에서의 소자 특성도 매우 좋아서 Ni/4H-SiC Schottky 다이오드와 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 300℃까지 전류 특성의 변화가 거의 없었으며 550℃에서도 양호한 정류 특성을 보였다. 상온에서의 Schottky barrier height와 이상인자(ideality factor) 및 specific on-resistance는 Ni/4H-SiC의 경우는 1.55eV, 1.3, 3.6×10/sup -2/Ω·㎠이었으며 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우에 1.24eV, 1.2, 2.6×10/sup -2Ω·㎠/로 나타났다. 실험 결과 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 고온, 고전압 소자로서 우수한 특성을 나타냄이 입증되었다.

• 공업화학
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• 제21권2호
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• pp.137-141
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• 2010

4,7-Di-thiophen-2-yl-benzo(1,2,5)thiadiazole과 1,4-bis(dodecyloxy)-2,5-divinylbenzene을 Heck coupling 중합법을 이용하여 poly[4,7-Di-thiophen-2-yl-benzo(1,2,5)thiadiazole]-alt-1,4-bis(dodecyloxy)-2,5-divinylbenzene (PPVTBT) 공중합체를 합성하였다. 합성한 PPVTBT의 최대흡수파장과 band gap은 각각 550 nm와 1.74 eV이고 HOMO와 LUMO enegry level은 각각 -5.24 eV, -3.50 eV로 나타났다. 합성한 공중합체인 PPVTBT와 (6)-1-(3-(methoxycarbonyl)propyl)-{5}-1-phenyl[5,6]-$C_{61}$(PCBM)을 1 : 6의 중량비로 blend하여 제작한 소자의 효율은 AM 1.5 G, 1 sun 조건($100mA/cm^{2}$)에서 0.16%의 효율을 보였다. 그리고 소자의 Jsc (short circuit current), FF (fill factor)와 Voc (open circuit voltage)는 각각 $0.74mA/cm^{2}$, 31%, 0.71 V로 나타났다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.113-120
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• 2013

본 논문은 지금까지 NP-완전인 난제로 알려진 4-색 정리를 $O(n)$선형시간 복잡도로 수기식과 컴퓨터를 활용하여 증명하는 알고리즘을 제안하였다. 제안된 알고리즘은 그래프 $G=(V_1,E_1)$의 정점 집합 V를 최대 독립집합 $\bar{C_1}$와 최소 정점 피복 집합 $C_1$으로 정확히 양분하는 기법을 적용하여 $\bar{C_1}$에 첫 번째 색을 배정하고, $C_1$ 집합의 정점들로 축소된 연결 그래프 $G=(V_2,E_2)$를 대상으로 $\bar{C_2}$와 $C_2$로 양분하여 $\bar{C_2}$에 두 번째 색을 지정하였다. $C_2$ 집합의 정점들로 축소된 연결 그래프 $G=(V_3,E_3)$를 대상으로 $\bar{C_3}$와 $C_3$로 양분하여 $\bar{C_3}$에 세 번째 색을 지정하였다. 마지막으로$C_3$를 $\bar{C_4}$로 하여 4번째 색을 배정하였다. 2개의 실제 지도 그래프와 2개의 평면 그래프를 대상으로 제안된 알고리즘을 적용한 결과 모든 그래프에서 채색수 ${\chi}(G)=4$를 찾는데 성공하였다. 결국, 제안된 "4-색 알고리즘"은 평면 그래프의 4-색을 결정하는 일반적인 알고리즘으로 적용할 수 있을 것이다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권5호
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• pp.511-515
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• 2013

A Monte Carlo (MC) simulation study has been done in order to investigate the effects of line-edge-roughness (LER) induced by either 1P1E (single-patterning and single-etching) or 2P2E (double-patterning and double-etching) on fully-depleted silicon-on-insulator (FDSOI) tri-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Three parameters for characterizing the LER profile [i.e., root-mean square deviation (${\sigma}$), correlation length (${\zeta}$), and fractal dimension (D)] are extracted from the image-processed scanning electron microscopy (SEM) image for each photolithography method. It is experimentally verified that two parameters (i.e., ${\sigma}$ and D) are almost the same in each case, but the correlation length in the 2P2E case is longer than that in the 1P1E case. The 2P2E-LER-induced $V_TH$ variation in FDSOI tri-gate MOSFETs is smaller than the 1P1E-LER-induced $V_TH$ variation. The total random variation in $V_TH$, however, is very dependent on the other major random variation sources, such as random dopant fluctuation (RDF) and work-function variation (WFV).