• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.144-151
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• 2022

본 논문에서는 배터리 응용을 위해 저면적 DC-DC 변환기를 갖는 1.5V 256kb eFlash 메모리 IP를 설계하였다. 저면적 DC-DC 변환기 설계를 위해서 본 논문에서는 단위 전하펌프 회로에서 펌핑 노드의 전압을 VIN 전압으로 프리차징해주는 회로인 크로스-커플드 (cross-coupled) 5V NMOS 트랜지스터 대신 5V NMOS 프리차징 트랜지스터를 사용하였고, 펌핑 노드의 부스팅된 전압을 VOUT 노드로 전달해주는 트랜지스터로 5V 크로스-커플드 PMOS 트랜지스터를 사용하였다. 한편 5V NMOS 프리차징 트랜지스터의 게이트 노드는 부스트-클록 발생기 회로를 이용하여 VIN 전압과 VIN+VDD 전압으로 스윙하도록 하였다. 그리고 펌핑 커패시터의 한쪽 노드인 클록 신호를 작은 링 발진 (ring oscillation) 주기 동안 full VDD로 스윙하기 위해 각 단위 전하펌프 회로마다 로컬 인버터 (local inverter)를 추가하였다. 그리고 지우기 모드 (erase mode)와 프로그램 모드 (program mode)에서 빠져나와 대기 (stand-by) 상태가 될 때 부스팅된 전압을 VDD 전압으로 프리차징해주는 회로를 사용하는 대신 HV (High-Voltage) NMOS 트랜지스터를 사용하여 VDD 전압으로 프리차징 하였다. 이와같이 제안된 회로를 DC-DC 변환기 회로에 적용하므로 256kb eFLASH IP의 레이아웃 면적은 기존 DC-DC 변환기 회로를 사용한 경우보다 6.5% 정도 줄였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
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• pp.92-96
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• 2002

Hot wall epitaxy 방법을 이용하여 chalcopyrite 구조를 가진 고품질의 $AgInS_{2}$ 박막을 성장 하였다. 광전류 스펙트럼을 측정한 결과， 30K에서 300K까지는 단지 A 와 B 두개의 봉우리가 관측되었고 반면에 10K에서는 A,B,C 세 개의 봉우리가 관측되었다. 이때 이들 봉우리들은 band-to-band 전이에 기인하는 것으로 관측되었다. 광전류 측정으로부터 $AgInS_{2}$의 가전자대 갈라짐이 측정되었고 이로부터 10k에서 결정장에 의한 갈라짐 $D_{cr}$과 스핀궤도에 의한 갈라짐 $D_{so}$은 각각 0.150eV와 0.009eV로 관측되었다. 또한 에너지 밴드갭의 온도 의존성 $E_{g}(T)$에 대하여 연구하였고 성장된 $AgInS_{2}$ 박막의 에너지 밴드갭은 1.868eV 임을 알았다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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• pp.18-21
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• 1991

청록색 영역에서 발진하는 XeF(C$\longrightarrow$A)엑사이머 레이저 여기용 2.56MeV 전자빔 가속기를 개발하였다. 대출력 전자빔 가속기는 $\pm$80kV로 충전하는 Marx Generator를 동축구조로 꾸밈으로서 낮은 임퍼던스와 인덕턴스를 유지할 수 있었고, 빠른 전압상승과 유사구형파 출력을 얻을 수 있었다. 본 연구에서는 대출력 전자빔가속기 (2.56 MeV, 2.2KJ)의 파라메터와 동작특성, 전압측정 등을 기술한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권10호
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• pp.678-686
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• 2001

CaAs metal semiconductor field effect transistor (MESFET) 소자의 전달컨덕턴스 분산 (transconductance dispersion) 현상과 게이트 누설 전류의 원인을 capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS) 측정을 이용하여 해석하였다. DLTS 스펙트럼에서는 활성화 에너지가 각각 0.65×0.07 eV와 0.88 × 0.04 eV인 두개의 표면 결함과 0.84 × 0.01 eV의 활성화 에너지를 갖는 EL2를 관찰하였다. 전달컨덕턴스 분산 측정 결과, 전달컨덕턴스는 5.5 Hz ∼ 300 Hz의 주파수 영역에서 감소하였다. 전달컨덕턴스 분산을 온도의 함수로 측정한 결과, 온도가 증가할수록 전이 주파수는 증가하였고 전이 주파수의 온도 의존성으로부터 0.66 ∼ 0.02 eV의 활성화 에너지를 구할 수 있었다. 게이트 누설 전류 측정에서는 0.15 V 이하의 게이트 전압에서 순 방향과 역 방향 게이트 전압이 일치하는 오믹 전류-전압 특성을 나타내었고 게이트 누설 전류의 온도 의존성으로부터 구한 활성화 에너지는 0.63 ∼ 0.01 eV로 계산되었다. 서로 다른 방법으로 구한 활성화 에너지의 비교로부터 표면 결함 H1이 주파수에 따라서 감소하는 전달컨덕턴스 분산 및 게이트 누설 전류의 원인임을 알 수 있었다.

• 대한임상검사과학회지
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• 제39권2호
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• pp.113-121
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• 2007

선천성난청은 비교적 흔한(1/1,000) 유전성질환으로 여러 유전자와 관련이 있으며, 최근에는 connexin 26 단백질내의 GJB2 유전자 돌연변이와의 관련성이 보고되고 있다. 유전질환을 예측하기 위한 유전자선별검사를 임상에 적용하기 위해서는 각 해당 국가별로 정상인에서 유전자돌연변이의 빈도를 구하고, 환자의 결과를 비교하여 활용성을 검토한 후 사용하여야 한다. 본 연구에서는 청력검사(TEOAE)가 정상인 신생아에서 GJB2 유전자 돌연변이 빈도를 구하여 screening test를 위한 한국인의 database를 수립하고자 하였다. 검체로는 437 명의 건강한 신생아의 발꿈치를 천자하여 얻은 혈액을 이용하였고, DNA는 Intron 사의 킷트를 사용하여 추출하였으며, GJB2 PCR을 실시한 후 증폭산물(783 bps)은 2% agarose gel로 전기영동을 실시하였고, DNA 자동염기서열분석기를 이용하여 분석을 실시하였다. 총 437명의 한국인 신생아에서 GJB2 유전자 중 8곳의 돌연변이(35delG, 167delT, 235delC, V27I, V37I, M34T, E114G, I203T)를 분석하였으며, 이 중 5곳에서 돌연변이가 발견되었다. 총 437명 중 301명(68.9%)에서 GJB2 유전자돌연변이가 발견되었는데, 그 중 154명이 단일돌연변이였다. V27I 변이가 271명으로 가장 많이 발견되었으며, 대부분의 V27I 변이는 E114G 변이와 함께 나타났다. E114G 변이는 총 146명, I203T 변이는 17명, V37I 변이는 14명, 235delC 변이는 1명의 순으로 나타났다. 이중돌연변이의 대부분은 V27I/E114G였으며, V27I/I203T는 3명에서 나타났고, 삼중돌연변이 V27I/E114G/I203T는 1명에서 발견되었다. 본 연구결과, PCR을 이용한 자동염기분석검사는 GJB2 유전자의 돌연변이 검출에 매우 유용하며, 본 결과는 향 후 신생아 난청선별검사를 위한 한국인의 database로 활용될 수 있을 것으로 사료된다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권6호
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• pp.260-264
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• 2007

We have studied stability in organic light-emitting diode depending on buffer layer and cathode. A transparent electrode of indium-tin-oxide(ITO) was used as an anode. An electron injection energy barrier into organic material is different depending on a work function of cathodes. Theoretically, the energy barriers for the electron injection are 1.2 eV, -0.1 eV, and 0.0 eV for Al, LiAl, and LiF/Al at 300 K, respectively. We considered the cases that holes are injected to organic light-emitting diode. The hole injection energy barrier is about 0.7 eV between ITO and TPD without buffer layer. For hole-injection buffer layers of CuPc and PEDOT:PSS, the hole injection energy barriers are 0.4 eV and 0.5 eV, respectively. When the buffer layer of CuPc and PEDOT:PSS is existed, we observed the effects of hole injection energy barrier, and a reduction of operating-voltage. However, in case of PVK buffer layer, the hole injection energy barrier becomes high(1.0 eV). Even though the operating voltage becomes high, the efficiency is improved. A device structure for optimal lifetime condition is ITO/PEDOT:PSS/TPD/$Alq_3$/LiAl at an initial luminance of $300cd/m^2$.

• 한국결정성장학회지
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• 제6권2호
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• pp.220-228
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• 1996

두 개의 siliconit 발열체를 써서 이단 전기로를 제작하여 수직 Bridgman법으로 CdTe 단결정을 성장시켰다. 상단전기로의 최고온부를 $1150^{\circ}C$로 고정시키고 하단전기로를 $800^{\circ}C$로 하였을 때, $22.51150^{\circ}C$/cm의 온도 기울기를 얻었다. 성장된 시료의 X$.$선 회절 실험으로부터 얻은 격자상수 $a_0$는 6.482$\AA$이었고, 실온에서 광흡수 측정으로부터 얻은 밴드갭 에너지는 1.478eV이었다. 광발광(PL) 실험으로부터, 구속된 엑시톤 방출 피크가 각각 ($A^0$, X) (1.5902, 1.5887ev), (h,$D^o$) (1.5918 eV) 그리고 ($D^o$, X) (1.5928, 1.5932 eV)의 방출 피크로 분리되는 것을 확인할 수 있었으며, 중성주개와 중성받개의 결합에너지와 이온화에너지를 계산하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권2호
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• pp.83-86
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• 2013

The optical properties of ZnO thin film have been studied using photoluminescence(PL) spectroscopy with the change of sample temperatures from 10 K to 290 K. The spectrum at 10 K showed the characteristic emission lines of ZnO which were as follows: free exciton(FX) at 3.369 eV, neutral donor-bound exciton($D^0X$) at 3.360 eV, two electron satellite(TES) at 3.332 eV, $D^0X$-1LO at 3.289 eV, and donor-acceptor pair(DAP) transiton at 3.217 eV. From the spectral evolution with temperatures, two features could be identified as temperature went higher: (1) the bound excitons changed gradually into free excitons, (2) DAP turned into free electron-acceptor transition(e,$A^0$). The PL intensity of free exciton increased with the increase of temperatures, which was accompanied by the decrease of the intensity of bound excitions and bound excition-related transitons such as TES and $D^0X$-1LO. At 80 K DAP transition disappeared, while (e,$A^0$) transition started to appear at 30 K.

• 대한설비공학회:학술대회논문집
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• 대한설비공학회 2009년도 하계학술발표대회 논문집
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• pp.284-292
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• 2009

The stack-effect in high-rise buildings in winter causes many problems such as difficulties in opening or closing doors, infiltration, energy loss, noise and fire protection. Stack effect is influenced by temperature difference between the interior and exterior of building and the height of building. As an attenuation method for stack effect, the architectural methods are generally used. However, as though architectural methods were fully adopted, the problems are reported as ever in tall building. In this study, a new method to reduce stack effect will be suggested. As an active control method against the stack effect, E/V shaft natural cooling method is suggested. In this paper, the concept of E/V shaft natural cooling system and its reduction performance of stack effect by simulation and field measurement will be reported.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권10호
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• pp.1157-1162
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• 2007

본 논문에서는 전력 증폭기를 효과적으로 모델링하기 위한 E-TDLNN(Expanded-Tapped Delay Line Neural Network) 방식을 제안하였다. 이 방식은 전력 증폭기의 메모리 효과를 효과적으로 제시한 TDLNN 방식에 외부 변화 인자인 게이트 바이어스를 불변(invariant) 입력으로 추가한 후 측정된 전력 증폭기의 출력 스펙트럼을 목표치로 신경망을 통해 학습시킴으로써 전력 증폭기를 모델링하는 방식이다. 제안한 방식의 타당성을 증명하기 위해 주 증폭기의 게이트 바이어스를 $3.4{\sim}3.6V$ 범위에서 0.01 V 스텝으로 변화시키며 측정한 여러 데이터 중 3.45 V와 3.50 V에 대해 학습시킨 후, 게이트 바이어스가 3.40 V, 3.48 V, 3.53 V, 3.60 V인 경우에 대하여 출력을 예측한 결과 실제 출력과 거의 동일한 신호를 예측할 수 있었다.