Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.22
no.1
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pp.63-67
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2015
In this study, we demonstrate the change of optical characteristic by thickness of metal deposition on nano metal grid polarizer film fabrication. Nano metal grid polarizer film consists of aluminium grid polarizer layer on PET (Polyethylene phthalate) substrate. We aim at metal grid layer formation for the large nano wire grid polarizer fabrication. we draw process conditions of the nano metal grid polarizer film fabrication to improve transmittance and extinction ratio and Nano wire grid polarizer film (NWGP) film is fabricated with 140 nm pitch, 70 nm width, and 70 nm depth of metal grid on optimum design conditions. As a result, we get high optical properties of nano wire grid polarizer which is the maximum transmittance of 80% and the extinction ratio of $10^6$ at 600 nm wavelength respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.960-964
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2004
[ $Ba_2NaNb_5O_{15}$ ](BNN) thin films have been prepared by the ion beam sputter deposition (IBSD) method on Pt coated Si substrate at temperature as low as $600^{\circ}C$ XRD, SEM were used to investigate the crystallization and microstructure of the films. It was found that the films were crack-free and uniform in microstructure. The electric properties of thin films were carried out by observation of D-E hysteresis loop, dielectric constant and leakage current. It was found the deposition rate strongly influenced the phase formation of the films, where the phase of $BaNb_2O_6$ was always formed when the deposition rate was high. However, the single phase (tungsten bronze structure ) BNN thin film was obtained with the deposition rate as low as $22{\AA}/min$. The remanent polarization Pr and dielectric constant are about 1-2 ${\mu}C/cm^2$ and $100\sim200$, respectively. It was also founded the electric properties of thin films were influenced by the deposition rate. The Pr and dielectric constant of films increased with the decrease of deposition rate. The effects of annealing temperature and annealing time to the crystallization behavior of films were studied. The crystallization of thin film started at about $600^{\circ}C$. The adequate crystallization was gotten at the temperature of $650^{\circ}C$ when the annealing time is 0.5 hour or at the temperature of $600^{\circ}C$ when the annealing time is long as 6 hours.
Kim, Young-Min;Lee, Joo-Won;Kim, Jong-Moo;Park, Jung-Soo;Sung, Man-Young;Jang, Jin;Ju, Byeong-Kwon;Kim, Jai-Kyeong
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.05a
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pp.189-192
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2004
To improvement life-time of the organic light emitting diodes(OLEDs). We investigate the inorganic composite film based on MgO and $SiO_2$ to protect from the moisture and oxygen. The inorganic composite films are added the base materials to the co-operate materials using the mixed process and it is deposited on plastic substrate by e-beam evaporator. In order to analyze as kinds of inorganic materials, Water Vapor method of Transmission Rate (WVTR) and Oxygen Transmission Rate (OTR) are measured by Permatran equipment(MOCON Corp.). For comparison. an MgD- and $SiO_2$-based composite film has lower values of WVTR and OTR than inorganic composite/compound films of ones. The results obtained here shows that this film is suitable for passivation layer to extend the life-time of OLEDs.
Kim, Jin-Seok;Kim, Sung-Cho;Park, Jeong;Kim, Jeong-Soo
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.35
no.9
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pp.799-804
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2007
The behavior of spray emanating from an injector to be employed in a liquid-propellant thrust chamber is investigated by optical measurement techniques. The injector has eight holes, each of which has 30 cant angle from the center-axis with the diameter of 0.406 mm. In order to examine an atomization process according to the spray-generation conditions and the evolution along spray downstream, variational features in the velocity and size of droplets obtained through Dual-mode Phase Doppler An 799emometry (DPDA) are delineated and discussed together with instantaneous plane images captured by using Nd:Yag laser sheet beam. A categorization of spray-flow regime representing the atomization and turbulent nature is made through evaluating the non-dimensional parameters, i.e., Reynolds number and Weber number based upon the theoretical injection velocity. These qualitative and quantitative data of spray breakup will be a firm basis for the design of brand-new thruster
Journal of the Earthquake Engineering Society of Korea
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v.11
no.2
s.54
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pp.69-79
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2007
In this paper, a technique to detect structural damage and estimate its severity using peaks and zeros of frequency response functions (FRFs) is developed. The peaks in FRFs represent the natural frequencies of the structure and the zeros provide additional information. The characteristics of peaks and zeros are defined and the calculation procedure to obtain the peaks and zeros from the relationship between frequency response function and stiffness and mass matrices are clearly explained. A structural system identification theory which is utilizing the sensitivity of stiffness of a structural member to eigenvalues, i.e., peaks and zeros, is established. The proposed method can identify damage location and its severity, with natural and zero frequencies, by estimating structural stiffness of the structure in the process of making a analytical model The accuracy and feasibility is demonstrated by numerical models of a spring-mass system and a beam structure.
Investigations of the commercial aircraft impact effect on nuclear island infrastructures have been drawing extensive attention, and this paper aims to perform the safety assessment of Generation III nuclear power plant (NPP) buildings subjected to typical commercial aircrafts crash. At present Part I, finite element (FE) models establishment and validations for both the aircrafts and NPP buildings are performed. (i) Airbus A320 and A380 aircrafts are selected as the representative medium and large commercial aircrafts, and the corresponding fine FE models including the skin, beam, fuel and etc. are established. By comparing the numerically derived impact force time-histories with the existing published literatures, the rationality of aircrafts models is verified. (ii) Fine FE model of the Chinese Zhejiang Sanao NPP buildings is established, including the detailed structures and reinforcing arrangement of both the containment and auxiliary buildings. (iii) By numerically reproducing the existing 1/7.5 scaled aircraft model impact tests on steel plate reinforced concrete (SC) panels and assessing the impact process and velocity time-history of aircraft model, as well as the damage and the maximum deflection of SC panels, the applicability of the existing three concrete constitutive models (i.e., K&C, Winfrith and CSC) are evaluated and the superiority of Winfrith model for SC panels under deformable missile impact is verified. The present work can provide beneficial reference for the integral aircraft crash analyses and structural damage assessment in the following two parts of this paper.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.04b
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pp.7-7
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2009
Lead telluride (PbTe) is a very promising thermoelectric material due to its narrow band gap (0.31 eV at 300 K), face-centered cubic structure and large average excitonic Bohr radius (46 nm) allowing for strong quantum confinement within a large range of size. In this work, we present the thermoelectric properties of individual single-crystalline PbTe nanowires grown by a vapor transport method. A combination of electron beam lithography and a lift-off process was utilized to fabricate inner micron-scaled Cr (5 nm)/Au (130 nm) electrodes of Rn (resistance of a near electrode), Rf (resistance of a far electrode) and a microheater connecting a PbTe nanowire on the grid of points. A plasma etching system was used to remove an oxide layer from the outer surface of the nanowires before the deposition of inner electrodes. The carrier concentration of the nanowire was estimated to be as high as $3.5{\times}10^{19}\;cm^{-3}$. The Seebeck coefficient of an individual PbTe nanowire with a radius of 68 nm was measured to be $S=-72{\mu}V/K$ at room temperature, which is about three times that of bulk PbTe at the same carrier concentration. Our results suggest that PbTe nanowires can be used for high-efficiency thermoelectric devices.
Ha, H. J.;Lee, W. G.;Ryu, J. H.;Song, Y.;Cho, J. S.;Park, C. H.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1996.05a
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pp.59-62
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1996
Plasma displays (PDP) as a large area wall-hanging display device are rabidly developed with flat CRT, TPT LCD and etc. Especially, AC Plasma Display Panels(AC PDPs) have the inherent memory function which is effective for large area displays. The memory function in AC PDPs is caused by the accumulation of the electrical charge on the protecting layer formed on the dielectric layer. This MgO protective layer prevents the dielectric layer from sputtering by ion in discharge plasma and also has the additional important roll in lowering the firing voltage due to the large secondary electron emission coefficient). Until now, the MgO Protective layer is mainly formed by E-Beam evaporation. With increasing the panel size, this process is difficult to attain cost reduction, and are not suitable for large quantity of production. To the contrary, the methode of shuttering are easy to apply on mass production and to enlarge the size of the panel and shows the superior adhesion and uniformity of thin film. In this study, we have prepared MgO protective layer on AC PDP Cell by reactive magnetron sputtering and studied the effect of MgO layer on the surface discharge characteristics of ac PDP.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.333-333
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2011
We studied the H/D exchange kinetics of pure and acid dopped water-ice film by using the techniques of reactive ions scattering (RIS) and low energy sputtering (LES) with low kinetic energy cesium ion beam (<35 eV). From RIS, neutral water isotopomers were detected in the form of cesium-molecule ion clusters, $CsX^+$ (X= $H_2O$, HDO, $D_2O$). Ionic species, like $H_3O^+$, $DH_2O^+$, $D_2HO^+$, $D_3O^+$, adsorbed on the surface were ejected via LES process. Those techniques allowed us to trace the isotopomeric populations of water-ice film. To show the catalytic effect of excess proton in the H/D exchange reaction, our study was conducted with two types of water-ice films. In film 1, about 0.5 BL of $H_2O$ was adsorbed on HCl (0.1 ML) dopped $D_2O$ (8 BL) film. In film 2, similar amount of $H_2O$ used in film 1 was adsorbed on pure $D_2O$ film. Kinetic data were obtained from each film type for 90-110 K (film 1) and 110-130 K (film 2) and fitted with numerically integrated lines. Through the Arrhenius plot of kinetic coefficient deduced from fitting of the H/D exchange reaction, the activation energy of film 1 and 2 were estimated to be $10{\pm}3kJmol^{-1}$ and $17{\pm}4kJmol^{-1}$. This activation barrier difference could be understood from detailed pictures of H/D exchange. In film 2, both the formation of ion pair, $H_3O^+$ and OH. and proton transfer were needed for the H/D exchange. However, in film 1, only proton transfer was necessary but ion pair formation was not, so this might reduce the activation energy.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.436-437
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2012
Double patterning technology (DPT) has been suggested as a promising candidates of the next generation lithography technology in FLASH and DRAM manufacturing in sub-40nm technology node. DPT enables to overcome the physical limitation of optical lithography, and it is expected to be continued as long as e-beam lithography takes place in manufacturing. Several different processes for DPT are currently available in practice, and they are litho-litho-etch (LLE), litho-etch-litho-etch (LELE), litho-freeze-litho-etch (LFLE), and self-aligned double patterning (SADP) [1]. The self-aligned approach is regarded as more suitable for mass production, but it requires precise control of sidewall space etch profile for the exact definition of hard mask layer. In this paper, we propose etch end point detection (EPD) in spacer etching to precisely control sidewall profile in SADP. Conventional etch EPD notify the end point after or on-set of a layer being etched is removed, but the EPD in spacer etch should land-off exactly after surface removal while the spacer is still remained. Precise control of real-time in-situ EPD may help to control the size of spacer to realize desired pattern geometry. To demonstrate the capability of spacer-etch EPD, we fabricated metal line structure on silicon dioxide layer and spacer deposition layer with silicon nitride. While blanket etch of the spacer layer takes place in inductively coupled plasma-reactive ion etching (ICP-RIE), in-situ monitoring of plasma chemistry is performed using optical emission spectroscopy (OES), and the acquired data is stored in a local computer. Through offline analysis of the acquired OES data with respect to etch gas and by-product chemistry, a representative EPD time traces signal is derived. We found that the SE-EPD is useful for precise control of spacer etching in DPT, and we are continuously developing real-time SE-EPD methodology employing cumulative sum (CUSUM) control chart [2].
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[게시일 2004년 10월 1일]
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