The photoluminescence was measured in GaAs-AlGaAs double-quantum-well structure at high magnetic field. Although the phototransition characteristics displayed a free-particle transition at low magnetic field, the change of free-particle transition into bound-exciton transition was observed at high magnetic field (above 10 T). A charged exciton formation due to charge-unbalanced electron-hole was identified by using a spin-polarized photoluminescence method. An increase of exciton formation due to the localization of free-particle at magnetic field was observed according to the increase of magnetic field.
We study the growth rate of $H^1$ Sobolev norm of the solutions to Gross-Neveu and Thirring equations. A well-known result is the double exponential rate. We show that the $H^1$ Sobolev norm grows at most an exponential rate exp($ct^2$).
범주형 자료에서 오분류는 자료를 수집하는 과정에서 발생될 수 있다. 오분류되어 있는 자료를 정확한 자료로 간주하여 분석한다면 추정결과에 편의가 발생하고 검정력이 약화되는 결과를 초래하게 되며, 정확하게 분류된 자료를 오분류하고 판단한다면 오분류의 수정을 위해 불필요한 비용과 시간을 낭비해야 할 것이다. 따라서 정확하게 분류된 표본인지 오분류된 표본인지를 판정하는 것은 자료를 분석하기 전에 이루어져야할 매우 중요한 과정이다. 본 논문은 I$\times$J 분할표로 주어지는 범주형 자료에서 두 변수 중 하나의 변수에서만 오분류가 발생되는 경우에 오분류 여부를 검정하기 위해서 오분류 가능성이 없는 변수에 대한 주변합은 고정시키고, 오분류 여부를 가능성이 있는 변수의 주변합을 Sebastiani와 Ramoni(1997)가 제안한 Bound와 외부정보로 표현되는 Collapse의 개념, 그리고 베이지안 방법을 확장하여 자료에 적합한 모형과 사전정보를 고려한 사전모수를 다양하게 설정하면서 재분류하는 연구를 하였다. 오분류에 대한 정보를 얻기 위해서 Tenenbein(1970)에 의해 연구된 이중추출법을 이용하여 오분류 검정을 위한 새로운 통계량을 제안하였으며, 제안된 오분류 검정통계량에 관한 분포를 다양한 모의실험을 통하여 연구하였다.
선행 논문(제1부)[13]에서는 광 베니언-형 교환 망에 있어 누화를 야기하는 멀티캐스트 접속들간의 관계를 그래프로 표현하고, 해당 그래프의 차수의 상한을 제시하였다. 본 논문(제2부)에서는 교환소자를 달리하는 멀티캐스팅의 스케줄링에서의 라우팅 횟수 즉, 스케줄링 길이에 대해 다룬다. 최적의 스케줄링 길이를 구하는 문제는 NP-complete이므로 최적 길이의 상한의 두 배 이내의 길이를 제공하는 근사 알고리즘을 제시한다. 아울러, 링크를 달리하는(즉, 넌블럭킹) 멀티캐스팅에 관한 스케줄링 길이를 고찰한다. 얻어진 스케줄링 길이 하에서 다양한 넌블럭킹 베니언-형 멀티캐스팅 망들을 규명한다.
The stochiometric mix of evaporating materials for the CuGaSe$_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, CuGaSe$_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were 610$^{\circ}C$ and 450$^{\circ}C$, respectively The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c-axis of the CuGaSe$_2$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting Δ So and the crystal field splitting ΔCr were 91 meV and 249.8 meV at 20 K, respectively. From the Photoluminescence measurement on CuGaSe$_2$ single crystal thin film, we observed free excition (Ex) existing only high quality crystal and neutral bound exiciton (D$^{\circ}$,X) having very strong peak intensity. Then, the full-width-at-half-maximum(FWHM) and binding energy 7f neutral acceptor bound excision were 8 meV and 35.2 meV, respectivity. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 355.2 meV
This work describes the effect of electrode binder on the characteristics of electric double layer capacitor Among carboxymethylcellulose (CMC), Polyvinylpyrrolidone (PVP), Polyvinyl Alcohol (PVA), and Polyvinylidene Fluoride (PVDF), the unit cell using CMC showed good rate capability between $2.5mA/cm^2{\sim}100mA/cm^2$ current density. However, CMC as a binder is incongruent, because the electrode bound with CMC is rigid and easy to crack during a press and winding process for fabrication of capacitor. The unit cell capacitor using the electrode bound with binary binder composed of CMC and Polytetrafluoroethylene (PTFE), especially in composition CMC : PTFE : 60 : 40 wt.%, has exhibited the better mechanical properties than those of the unit cell with CMC. On the other hand, it was also noted that the mechanical properties of CMC+PTFE electrode, coated on underlayer composed of CMC and carbon black, were much improved the binding force.
The steady-state investigation of the mechanism of Dhydroxyisovalerate dehydrogenase was performed in order to understand this type of kinetic patterns. The initial velocity was measured with various amounts of both substrates, NADPH and 2-ketoisovalerate. Double reciprocal plots gave patterns that conversed on or near the abscissa. Binding studies indicated that NADPH bound first to the enzyme. The product $NADP^+$ was found to be a competitive inhibitor with respect to NADPH at a constant concentration of 2-ketoisovalerate. However, it showed noncompetitive inhibition against 2-ketoisovalerate at a fixed amount of NADPH. Another product, D-hydroxyisovalerate, was a non-competitive inhibitor versus NADPH and 2-ketoisovalerate at constant levels of 2-ketoisovalerate and NADPH, respectively. These results were comparable with an ordered bi-bi mechanism, in which NADPH bound first to the enzyme, followed by the binding of 2- ketoisovalerate. $NADP^+$ is the last product to be released. The ordered reaction manner of D-hydroxyisovalerate dehydrogenase from 2-ketoisovalerate to D-hydroxyisovalerate allows the accurate regulation of valine metabolism and it may lead to the regulation of total biosynthesis of enniatins in the Fusarium species.
톨루엔에 녹인 폴리부타디엔을 탄소가루의 결합재로 사용하였을 때, 탄소반죽은 전극 제작 후 용매 증발에 의하여 기계적 물성을 보였으며, 이 성질은 탄소반죽전극 실용화의 선행조건을 충족시키는 것이었다. 부타디엔 고무를 결합재로 사용하여 새로운 효소전극을 제작하고, 그것이 정량적인 전기화학적 행동을 보이는지 확인하기 위하여 여러 가지 전기화학 속도론적 파라메터 즉 대칭인자, 교환전류밀도, 이중층의 축전용량, 시간상수, 최대전류, Michaelis 상수 등을 구하였다. 이 결과들은 부타디엔 고무가 탄소반죽전극 실용화에 추천할 만한 위한 결합재임을 보여 주는 것이었다.
The stoichiometric mix of evaporating materials for he CuInS₂ single crystal thin films was prepared. To obtain the single crystal thin films, CuINS₂ mixed crystal was deposited on etched semi-insulator GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy(HWE) system. The source and substrate temperature were 640℃ and 430℃, respectively and the thickness of the single crystal thin films was 2 ㎛. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility deduced from Hall data are 9.64x10/sup 22//㎥ and 2.95x10/sup -2/ ㎡/V·s, respectively at 293 K. he optical energy gap was found to be 1.53 eV at room temperature. From the photocurrent spectrum obtained by illuminating perpendicular light on the c-axis of the thin film, we have found that the values of spin orbit coupling splitting ΔSo and the crystal field splitting ΔCr were 0.0211 eV and 0.0045 eV at 10K, respectively. From PL peaks measured at 10K, were can assign the 807.7 nm (1.5350 eV) peak to E/sub x/ peak of the free exciton emission, the 810.3 nm(1.5301 eV) peak to I₂ peak of donar-bound exciton emission and the 815.6 nm(1.5201 eV) peak to I₁ peak of acceptor-bound excition emission. In addition, the peak observed at 862.0 nm(1.4383 eV) was analyzed to be PL peak due to donor-acceptor pair(DAP).
Kim, Min-Soo;Chung, Woo-Jae;Cho, Su-Hyung;Park, Sung-Soo;Kim, Byung-Gee;Lee, Young-Sik;Kim, Yong-Kweon
대한전기학회:학술대회논문집
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대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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pp.60-63
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2002
This paper presents bead-based microbiocihps to detect and separate target proteins. Micro beads coated with capture proteins were introduced into a microchamber, and target proteins flowing across the chamber were bound and concentrated. The chip was connected with an external fluid system. Bead surfaces were double-coated with photo-cleavable linkers and capture proteins. The proteins bound on the beads were photo-separated under UV irradiation, and excited to be measured in fluorescence. $38{\sim}50{\mu}m$ sized polystyrene beads were used. SOGs(silicon-on-glass) were used to fabricate the microchip having glasses bonded on both sides. 100 ${\mu}m$ thick silicon channel was formed through silicon deep RIE process. The upper glass cover had holed through to have inlets and outlets fabricated by powder-blastings. In this study, biotin and streptavidin were used as capture proteins and detection proteins, respectively. The protein mixtures of streptavidin, HSA(human serum albumin) and ovalbumin were applied for selective detection test.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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