• 제목/요약/키워드: Domain switching

검색결과 178건 처리시간 0.029초

Sol-gel법에 의한 반강유전성 PbZrO3 박막 제작에 관한 연구 (A Study of Preparation of Antiferroelectric PbZrO3 Thin Films by Sol-Gel Processing)

  • 전기범;배세환
    • 한국안광학회지
    • /
    • 제3권1호
    • /
    • pp.15-19
    • /
    • 1998
  • 이 연구의 목적은 lead zirconate 박막을 sol-gel 법으로 제작하는데 있어 Pb와 Zr의 혼합비에 따라 결정의 형성에 있어서 변화와 이에 따른 결정의 성장 선호 방향을 조사하였다. 기판으로는 Pt/Ti/$SiO_2$/Si를 사용하였으며, 결정 형성을 위한 온도는 $800^{\circ}C$로 1분간 유지하였다. Pb가 부족할 경우는 <221>방향으로의 성장이 두드러지고, Pb가 화학당량적 비를 만족한 이후는 <100>와 <221>이 같이 성장하게 된다. 그러나 이들은 모두 반강유전체로서의 특성을 나타내지만 뚜렷한 domain switching을 나타내지는 않는다.

  • PDF

전전자 교환기 가입자회로의 EMI 대책 설계연구 (EMC design for TDX-1B subscriber Board)

  • 윤현보;임계재
    • 한국전자파학회지:전자파기술
    • /
    • 제6권1호
    • /
    • pp.48-65
    • /
    • 1995
  • 전전자 교환기 가입자 회로에서의 불요 전자파 잡음의 복사를 해석하였다. 디지탈 스스템과 빠른 스위칭소자의 사용에 따라 증가하고 있는 불요전자파 잡음은 넓은 주파수 스펙트럼을 점유하여 여러가지의 EMI 현상을 발생시킬 수 있는 가능성을 가지고 있다. 그렇기 때문에 시간영역 유한차분법(Finite Difference Time Domain:FDTD)을 이용하여 좀더 정확한 불요 전자파 복사 현상을 해석하였으며, 규정된 시험 방법(on-promises test)을 통하여 비교 검토 하였ㄷ 이 연구의 결과는 대형 디지탈시스템에서의 EMI 모델링과 EMI 현상의 예측에 응용가능하여, 또한 국제적 EMI/EMC 규정에 합당한 디지탈 스스템의 EMI 대책설계에 활용가능할 것으로 생각된다.

  • PDF

GFDD에 기초한 디지털논리시스템 구성 (Construction of Digital Logic Systems based on the GFDD)

  • 박춘명
    • 한국정보통신학회논문지
    • /
    • 제9권8호
    • /
    • pp.1774-1779
    • /
    • 2005
  • 본 논문에서는 그래프 이론에 기초를 둔 GFDD를 사용하여 디지털논리시스템을 구성하는 한가지 방법을 제안하였다. 제안한 방법은 먼저 유한체와 그래프 이론의 수학적 성질을 논의하였으며, 단일변수에 대한 동작영역과 함수영역간의 변환을 용이하게 하기 위한 변환행렬 $\psi$GF(P)(1)과 $\xi$GF(P)(1)을 논의하였다. 그리고 디지털스위칭함수를 구하기 위한 Reed-Muller 확장을 논의하였으며, 이를 다변수인 경우로 확장하기 위해 Kronecker Product를 논의하였다.

Analysis of Switching Clamped Oscillations of SiC MOSFETs

  • Ke, Junji;Zhao, Zhibin;Xie, Zongkui;Wei, Changjun;Cui, Xiang
    • Journal of Power Electronics
    • /
    • 제18권3호
    • /
    • pp.892-901
    • /
    • 2018
  • SiC MOSFETs have been used to improve system efficiency in high frequency converters due to their extremely high switching speed. However, this can result in undesirable parasitic oscillations in practical systems. In this paper, models of the key components are introduced first. Then, theoretical formulas are derived to calculate the switching oscillation frequencies after full turn-on and turn-off in clamped inductive circuits. Analysis indicates that the turn-on oscillation frequency depends on the power loop parasitic inductance and parasitic capacitances of the freewheeling diode and load inductor. On the other hand, the turn-off oscillation frequency is found to be determined by the output parasitic capacitance of the SiC MOSFET and power loop parasitic inductance. Moreover, the shifting regularity of the turn-off maximum peak voltage with a varying switching speed is investigated on the basis of time domain simulation. The distortion of the turn-on current is theoretically analyzed. Finally, experimental results verifying the above calculations and analyses are presented.

Computer Simulation of Switching Characteristics and Magnetization Flop in Magnetic Tunnel Junctions Exchange Biased by Synthetic Antiferromagnets

  • Lim, S.H.;Uhm, Y.R.
    • Journal of Magnetics
    • /
    • 제6권4호
    • /
    • pp.132-141
    • /
    • 2001
  • The switching characteristics and the magnetization-flop behavior in magnetic tunnel junctions exchange biased by synthetic antiferromagnets (SyAFs) are investigated by using a computer simulations based on a single-domain multilayer model. The bias field acting on the free layer is found to be sensitive to the thickness of neighboring layers, and the thickness dependence of the bias field is greater at smaller cell dimensions due to larger magnetostatic interactions. The resistance to magnetization flop increases with decreasing cell size due to increased shape anisotropy. When the cell dimensions are small and the synthetic antiferromagnet is weakly, or not pinned, the magnetization directions of the two layers sandwiching the insulating layer are aligned antiparallel due to a strong magnetostatic interaction, resulting in an abnormal magneto resistance (MR) change from the high-MR state to zero, irrespective of the direction of the free-layer switching. The threshold field for magnetization-flop is found to increase linearly with increasing antiferromagnetic exchange coupling in the synthetic antiferromagnet. Irrespective of the magnetic parameters and cell sizes, magnetization flop does not exist near zero applied field, indicating that magnetization flop is driven by the Zeeman energy.

  • PDF

Switching of the Dimer-row Direction through Sb-passivation on Vicinal Si(001) Surface of a Single Domain

  • ;김희동;서재명
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
    • /
    • pp.186-186
    • /
    • 2011
  • [100] 방향으로 4$^{\circ}$ 기울어진 Si(001)-2${\times}$1(vicinal surface)을 초고진공하(UHV)에서 청결하게 하고 열처리하면 rebonded-atom을 가진 DB double step과 이 step에 나란한 아홉 개의 dimer를 가진 평균 폭이 4.0 nm인 single-domain의 (001)-2${\times}$1 테라스의 면으로 재구조된다 [그림 a]. 본 연구에서는 이 표면 위에 Sb을 상온에서 증착하여 덮고 후열처리하면(2 ML, 500$^{\circ}C$ 10 분), Sb-dimer가 Si 표면을 한 층 덮고 (001) 테라스의 Sb-dimer 방향이 DA double-step과 수직을 이루는 1${\times}$2 구조를 이룬다는 사실을 STM으로 확인하였다 [그림 b]. 이러한 Sb-passivation의 효과는 표면 Si-dimer의 부분적으로 채워진 dangling-bond를 Sb-dimer의 완전히 채워진 고립쌍(lone-pair)으로 바꿈으로써 표면 자유 에너지를 줄이고, 나아가 계면 Si 층은 bulk에 유사하게 되는 데에 있다. 이 passivation 된 표면은 Ge/Si 등의 heteroepitaxy에 사용할 수 있고, 특히 single-domain을 유지하며 step 방향에 대해 평행인 dimer-row로 이루어져 있어서 원자나 전자의 이동에 비등방적 효과를 증가시킬 것이 예측된다.

  • PDF

Suppression of Magnetization Ringing After Domain Wall Collision Studied by Micromagnetic Simulation

  • Djuhana, Dede;Piao, Hong-Guang;Lee, Sang-Hyuk;Jun, Su-Hyeong;Shim, Je-Ho;Kim, Dong-Hyun
    • Journal of Magnetics
    • /
    • 제13권4호
    • /
    • pp.120-123
    • /
    • 2008
  • Magnetization ringing following domain wall collision on a ferromagnetic nanowire has been investigated by micromagnetic simulation. Suppressed magnetization ringing is observed with the introduction of a small ribbon to the nanowire. Magnetization ringing has been analyzed in a frequency space by a fast Fourier transform. With the introduction of a small ribbon and/or taping of the wire, the amplitude of ringing is reduced with a shifted frequency peak.

Magnetic Force Microscopy (MFM) Study of Remagnetization Effects in Patterned Ferromagnetic Nanodots

  • Chang, Joon-Yeon;Fraerman A. A.;Han, Suk-Hee;Kim, Hi-Jung;Gusev S. A.;Mironov V. L.
    • Journal of Magnetics
    • /
    • 제10권2호
    • /
    • pp.58-62
    • /
    • 2005
  • Periodic magnetic nanodot arrays were successfully produced on glass substrates by interference laser lithography and electron beam lithography methods. Magnetic force microscopy (MFM) observation was carried out on fabricated nanodot arrays. MFM tip induced magnetization effects were clearly observed in ferromagnetic elliptical nanodots varying in material and aspect ratio. Fe-Cr dots with a high aspect ratio show reversible switching of the single domain magnetization state. At the same time, Co nanomagnets with a low aspect ratio exhibit tip induced transitions between the single domain and the vortex state of magnetization. The simple nanolithography is potentially an efficient method for fabrication of patterned magnetic arrays.

증배형 부하회복 모델을 포함하는 연속법 기반 준정적 해석 (Continuation-Based Quasi-Steady-State Analysis Incorporating Multiplicative Load Restoration Model)

  • 송화창
    • 제어로봇시스템학회논문지
    • /
    • 제14권2호
    • /
    • pp.111-117
    • /
    • 2008
  • This paper presents a new continuation-based quasi-steady-state(CQSS) time-domain simulation algorithm incorporating a multiplicative aggregated load model for power systems. The authors' previous paper introduced a CQSS algorithm, which has the robust convergent characteristic near the singularity point due to the application of a continuation method. The previous CQSS algorithm implemented the load restoration in power systems using the exponent-based load recovery model that is derived from the additive dynamic load model. However, the reformulated exponent-based model causes the inappropriate variation of short-term load characteristics when switching actions occur, during time-domain simulation. This paper depicts how to incorporate a multiplicative load restoration model, which does not have the problem of deforming short-term load characteristics, into the time simulation algorithm, and shows an illustrative example with a 39-bus test system.

3G-WLAN Interworking 환경에서의 빠른 채널스위칭 기반의 무선랜 선인증 기법 (A WLAN Pre-Authentication Scheme Based on Fast Channel Switching for 3G-WLAN Interworking)

  • 백재종;김효진;송주석
    • 정보보호학회논문지
    • /
    • 제21권3호
    • /
    • pp.57-66
    • /
    • 2011
  • EAP-AKA를 표준인증 메커니즘으로 사용하는 3G-WLAN 상호연동 망에서는 핸드오버 수행 시 마다 인증백터 생성 및 조회 등의 많은 지연시간을 초래하게 된다. 따라서 핸드오버가 자주 발생하는 네트워크 환경에 적합하도록 상호 인증시간을 최소화하고 끊김없는 서비스를 제공하기 위한 효율적인 인증기법이 요구되고 있다. 제안하는 선인증 기법은 WLAN에서 단말기가 수평 핸드오버할 때 연결계층의 빠른 채널 스위칭을 이용하여 다음 액세스포인트와 직접 EAP 인증을 수행토록 함으로써 인증 지연시간을 최소화하는 기법이다. 핸드오버 이전에 인증을 완료하여 인증 지연시간을 최소화하였으며, 전원 절약모드를 사용하여 패킷 손실을 방지하였다. 또한 사용자 단말기의 디바이스 드라이버 수정만 필요함으로써 실제 적용이 용이하다. 제안하는 기법의 성능 분석 및 평가로써 표준 인증기법을 선정하여 패킷 손실 및 인증지연 시간 등을 비교하였으며, 기존 기법보다 약 10 배 정도의 패킷 손실 방지 효율을 보였고, 인증에 소요되는 평균 지연시간을 0.16 msec으로 최소화하는 효과를 기대할 수 있었다.