Recently, a patterned sapphire substrate (PSS) has been intensively used as one of the effective ways to reduce the dislocation density for the III-nitride epitaxial layers aiming for the application of high-performance, especially high-brightness, light-emitting diodes (LEDs). In this paper, we analyze the growth kinetics of the atoms and crystalline quality for the undopped-GaN depending on the facets of the pattern fabricated on a sapphire substrate. The effects of the PSS on the device characteristics of InGaN/GaN LEDs were also investigated. Several GaN samples were grown on the PSS under the different growth conditions. And the undoped-GaN layer was grown on a planar sapphire substrate as a reference. For the (002) plane of the undoped-GaN layer, as an example, the line-width broadening of the x-ray diffraction (XRD) spectrum on a planar sapphire substrate is 216.0 arcsec which is significantly narrower than that of 277.2 arcsec for the PSS. However, the line-width broadening for the (102) plane on the planar sapphire substrate (363.6 arcsec) is larger than that for the PSS (309.6 arcsec). Even though the growth parameters such as growth temperature, growth time, and pressure were systematically changed, this kind of trend in the line-width broadening of XRD spectrum was similar. The emission wavelength of the undoped-GaN layer on the PSS was red-shifted by 5.7 nm from that of the conventional LEDs (364.1 nm) under the same growth conditions. In addition, the intensity for the GaN layer on the PSS was three times larger than that of the planar case. The spatial variation in the emission wavelength of the undoped-GaN layer on the PSS was statistically ${\pm}0.5\;nm$ obtained from the photoluminescence mapping results throughout the whole wafer. These results will be discussed in terms of the mixed dislocation depending on the facets and the period of the patterns.
근위 상완골 골절은 골절의 형태에 따라 크게 관절편 또는 해부학적 경부, 대 결절, 소 결절, 상완골 간부 또는 외과적 경부의 4개의 골절편으로 나눌 수 있다. 현재 널리 사용되고 있는 Neer의 근위 상완골 골절의 분류는 골절선에 의해 골절편을 나누는 분류가 아니며, 1 cm이상전이나 45$^{\circ}$ 이상의 각형성 이 있는 경 우를 전 이 골절편으로 생각하였다. 골절에 대한 관혈적 정 복 및 내고정술의 일차적 적응증은 골다공증이 없는 젊은 환자에서 발생된 튼튼한 내고정물을 시행할 수 있는 삼분 골절로 만족할 만한 결과를 위해 술후 오랜 기간동안 시행할 재활치료에 잘견딜수 있는 활동력 이 좋은 환자여야 한다. 수술적 치료의 절대적 적응증은 개방성 골절 ,혈관이 나 신경 손상이 동반될 때 , 정복이 불가능한 골절 탈구등이다. 반대로 환자가 골다공증이 심하거나, 근위 상완 골절편의 분쇄정도가 심하며 , 튼튼한 내고정을 시행할 가능성 이 희박한 나이가 많은 경 우에는 관혈적 정복 및 내고정술보다 일차적 인공삽입물을 이 용한 관절성형 술을 시행한 후 조기 재활 치료를 시행하는 것을 고려할 수 있다. 상완골 근위부 골절의 수술적 요법에는 다양한 수술 기법과 이에 따른 여러 합병증이 발생할 수 있으며 지속적 이고 체계적 인 재활 치 료가 꼭 필요하다. 여러 수술 기 법 중 관혈적 정복 및 장력 대 강선 기법을 시행할 때 만족할 만한 결과를 얻 을 수 있다. 이 방법 은 수술적 기법이 어렵지 않고, 골에 대한 고정과 함께 회전근 개의 건부착 부위에 대한 봉합을 추가할 수 있으나 역시 여러 가지 합병증이 있으므로 골절의 양상이 나 환자의 상태 ,환자의 활동력 등을 고려하여 치료 방법을 결정하여야 할것으로 사료된다.EX>46N으로, 슬개건-티타늄 간섭나사군이평균 1067.4$\pm$145N에서평균 601.8$\pm$134N으로, 슬개건-생체흡수성간섭나사군이평균 987.1$\pm$168N에서588.7$\pm$124N으로각각40$\%$, 39$\%$, 50$\%$, 24$\%$, 44$\%$, 40$\%$가감소하였다. 결론: 수술후초기고정력은슬괵건을LA나사(R) 또는Semifix(R)로고정하는방법과슬개건을티타늄및생체흡수성간섭나사로고정하는방법등이우수하였으며, 슬괵건을생체흡수성간섭나사나Endobutton(R)으로 고정하는 방법 등은고정력이 상대적으로매우약함을 알수있었다. 최대인장력은단순인장검사로는이상의대퇴골측고정방법의고정력이초기부하를견뎌내는데충분하다고생각되었으나주기성부하실험후현저히감소되어충분한초기안정성을제공하지못함을알수있었다.를 나타내었다. 또한 3m깊이에서의 측방 선량분포에서 Spoiler의 거리변화(6, 10cm)는 심부선량의 변화에 영향을 주지 않는 것으로 확인할 수 있었다. 그리고 위의 실험측정치를 치료계획 시스템에 입력하여 선량분포를 확인한 결과 Spoiler를 사용하는 경우 OPEN에 비해 선량분포 영역을 표면으로 끌어 올릴 수 있으며 Bolus 보다 피부 보호효과는 어느 정도 유지가 되는 것을 보여주었다. 4.결론 이와 같이 Spoiler는 Bolus와 비교하여 6MV 광자선의 build up 영역을 표면으로 증가시키는 동시에 Skin Sparing(피부보호)효과를 유지할 수 있으며 두경부암의 치료에서 Spoiler의 사용이 가능한 조건으로는 조사면이
형석$(CaF_2)$ 단결정 내부에 형성되는 다양한 결함에 대하여 현미경관찰, 성분분석 및 투과율분석을 하고 광투과에 미치는 영향을 고찰하였다. 내부 cavity의 종류로는 bubble과 결정면을 포함하는 공공형태의 negative crystals이 있으며, 특히 negative crystals이 결정에 고루 퍼져있는 경우, UV-Visible 파장영역에서 약 3%의 투과율 저하현상이 나타났다. 또한, 결정내부의 석출물은 주로 내부 cavite에 형성됨을 WDX 분석을 통하여 확인할 수 있었다. Violet colored 결정은 non-colored 결정에 비하여 전위밀도가 3배 정도 높았고, 성분분석 F이온이 적은 Ca와 F의 원자비가 나타내었다. 이러한 결과로 F이온의 부족으로 인하여 형성된 violet 색상이 발생되었음을 간접적으로 알 수 있었다.
Objective : Craniovertebral junctional anomalies constitute a technical challenge. Surgical opening of atlantoaxial joint region is a complex procedure especially in patients with nuchal deformity like basilar invagination. This region has actually very complicated anatomical and functional characteristics, including multiple joints providing extension, flexion, and wide rotation. In fact, it is also a bottleneck region where bones, neural structures, and blood vessels are located. Stabilization surgery regarding this region should consider the fact that the area exposes excessive and life-long stress due to complex movements and human posture. Therefore, all options should be considered for surgical stabilization, and they could be interchanged during the surgery, if required. Methods : A 53-year-old male patient applied to outpatients' clinic with complaints of head and neck pain persisting for a long time. Physical examination was normal except increased deep tendon reflexes. The patient was on long-term corticosteroid due to an allergic disease. Magnetic resonance imaging and computed tomography findings indicated basilar invagination and atlantoaxial dislocation.The patient underwent C0-C3-C4 (lateral mass) and additional C0-C2 (translaminar) stabilization surgery. Results : In routine practice, the sites where rods are bound to occipital plates were placed as paramedian. Instead, we inserted lateral mass screw to the sites where occipital screws were inserted on the occipital plate, thereby creating a site where extra rod could be bound.When C2 translaminar screw is inserted, screw caps remain on the median plane, which makes them difficult to bind to contralateral system. These bind directly to occipital plate without any connection from this region to the contralateral system.Advantages of this technique include easy insertion of C2 translaminar screws, presence of increased screw sizes, and exclusion of pullout forces onto the screw from neck movements. Another advantage of the technique is the median placement of the rod; i.e., thick part of the occipital bone is in alignment with axial loading. Conclusion : We believe that this technique, which could be easily performed as adjuvant to classical stabilization surgery with no need for special screw and rod, may improve distraction force in patients with low bone density.
This paper presents a study of the microstructure and mechanical properties of commercial high-hardness armor (HHA) steels tempered at different temperatures. Although the as-received specimens of all the steels exhibit a tempered martensite structure with lath type morphology, the A steel, which has the smallest carbon content, had the lowest hardness due to reduced solid solution hardening and larger lath thickness, irrespective of tempering conditions. As the tempering temperature increases, the hardness of the steels steadily decreases because dislocation density decreases and the lath thickness of martensite increases due to recovery and over-aging effects. When the variations in hardness plotted as a function of tempering temperature are compared with the hardness of the as-received specimens, it seems that the B steel, which has the highest yield and tensile strengths, is fabricated by quenching, while the other steels are fabricated by quenching and tempering. On the other hand, the impact properties of the steels are affected by specimen orientation and test temperature as well as microstructure. Based on these results, the effect of tempering on the microstructure and mechanical properties of commercial high-hardness armor steels is discussed.
The stress-strain responses and oxidation properties of cold-rolled Zr-1.5Nb-O and Zr-1.5Nb-O-S alloys were studied. The U.T.S. (ultimate tensile strength) of cold-rolled Zr-1.5Nb-O-S alloy with 160 ppm sulfur (765 MPa) were greater than that of Zr-1Nb-1Sn-0.1Fe alloy (750 MPa), achieving an excellent mechanical strength even after the elimination of Sn, an effective solution strengthening element. The addition of sulfur increased the strength at the expense of ductility. However, the ductile fracture behavior was observed both in Zr-Nb-O and Zr-Nb-O-S alloys. The beneficial effect of sulphur on the strengthening was observed in the cold rolled Zr-1.5Nb-O-S alloys. The activation volume of cold-rolled Zr-1.5Nb decreased with sulfur content in the temperature region of dynamic strain aging associated with oxygen atoms. Insensitivity of the activation volume to the dislocation density and the decrease of the activation volume at a higher temperature where the dynamic strain aging occurs support the suggestion linking the activation volume with the activated bulge of dislocations limited by segregation of oxygen and sulfur atoms. The addition of sulfur was also found to improve the oxidation resistance of Zr-Nb-O alloys.
The resistance switching memory devices have several advantages to take breakthrough for the limitation of operation speed, retention, and device scale. Especially, the metal-oxide materials such as ZnO are able to fabricate on the flexible and visible transparent plastic substrate. Also, the quantum dots (QDs) embedded in dielectric layer could be improve the ratio between the low and the high resistance becauseof their Coulomb blockade, carrier trap and induced filament path formation. In this study, we irradiated 0.2-MeV-electron beam on the ZnO/QDs/ZnO structure to control the defect and oxygen vacancy of ZnO layer. The metal-oxide QDs embedded in ZnO layer on Pt/glass substrate were fabricated for a memory device and evaluated electrical properties after 0.2-MeV-electron beam irradiations. To formation bottom electrode, the Pt layer (200 nm) was deposited on the glass substrate by direct current sputter. The ZnO layer (100 nm) was deposited by ultra-high vacuum radio frequency sputter at base pressure $1{\times}10^{-10}$ Torr. And then, the metal-oxide QDs on the ZnO layer were created by thermal annealing. Finally, the ZnO layer (100 nm) also was deposited by ultra-high vacuum sputter. Before the formation top electrode, 0.2 MeV liner accelerated electron beams with flux of $1{\times}10^{13}$ and $10^{14}$ electrons/$cm^2$ were irradiated. We will discuss the electrical properties and the physical relationships among the irradiation condition, the dislocation density and mechanism of resistive switching in the hybrid memory device.
상용 마그네슘 합금의 경우, 상온에서 낮은 성형성을 갖기 때문에, 온간 성형 조건 하에서 성형 공정을 수행하는 것이 일반적이다. 마그네슘 합금은 온간 성형 과정 중에 동적 재결정(dynamic recrystallization, DRX)이 발생하여, 초기 결정립 사이즈가 급격하게 작아지며, 내부 전위 밀도가 낮아지게 된다. 이에 따라, 유동 응력 곡선은 세 단계의 복잡한 변형 경화 및 연화 현상을 보이게 된다. 첫 번째 구간에서는 변형률이 증가함에 따라, 가공 경화에 의해 응력이 증가하는 경향을 보이며, 두 번째 구간에서는 동적 재결정 현상에 의한 가공 연화로 응력이 갑작스럽게 감소한다. 세 번째 구간에서는 가공 경화와 가공 연화 사이의 평형에 의해, 응력이 일정하게 나타난다. 본 연구에서는, 성형 온도 $300^{\circ}C$, 변형률 속도는 0.001, 0.1, 1, 10/sec에서 AZ80 합금의 구성 방정식의 18개 변수들을 체계적으로 최적화하며, 유동 곡선의 정확도를 높일 수 있는 방식에 대해 제안하려고 한다. 또한 AZ80외에 AZ61도 추가적으로 최적화여 본 논문에서 제안한 최적화 방식의 성능을 증명하였다.
Al2O3 단결정을 기판을 이용하여 HVPE법으로 GaN를 성장한 후 얻어진 GaN wafer는 N-face에 동종인 GaN를 성장하였다. 이때 동종 성장은 Al2O3와의 열팽창계수 차이로 야기된 휨을 제거할 수 있었으며, 양쪽 면은 결합 밀도가 급격히 감소하였다. 또한 표면 분극을 조사하기 위하여 에칭후 SEM 형상과 CBED를 조사 하였으며 특히 N-face에서의 표면 형상과 PL의 변화를 조사하였다. 이때 N-face의 변화는 초기의 N-face의 특성과 다른 양상을 보여 주고 있으며, DXRD와 PL 분석 걸과 결정성은 두배나 높은 결과를 보여주고 있다.
Basic 암모노써멀 방법을 사용하여 벌크 GaN 단결정을 성장시켰다. 종자 결정은 Hydride vapor phase epitaxy법으로 성장한 c면의 GaN 템플릿을 사용하고 광화제는 sodium metal, amide, azide를 사용하였다. 결정 성장 온도는 $500{\sim}600^{\circ}C$, 성장 압력은 2~3 kabr에서 실시하였다. c 축의 결정 성장 속도는 운용 압력이 증가함에 따라 선형적으로 증가하였다. Cathodoluminescence로 측정한 평균 전위 밀도는 $1{\times}10^5/cm^2$였다. Double Crystals X-ray Diffraction로 측정한 (002)면의 반치폭은 Ga 면에 대해서는 약 270 arcsec, N 면에 대해서는 약 80 arcsec이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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