In this paper, transmitter and receiver modules for free space optical interconnection are implemented and characterized. In the transmitter module, bias circuitry which inject current into the direct modulated laser diode is fabricated and in the receiver module, p-i-n diode is integrated with an MMIC amplifying stage. Laser diode has a direct-modulated bandwidth of 2 GHz at 1.4 Ith bias while p-i-n diode and amplifying stage has a bandwidth of 1.3 GHz and 1.5 GHz, repectively. Optical interconnection has a bandwidth of 1.3 GHz and linearly transmit modulated voltage signal up to 1.5 Vp-p. Measured loss of optical interconnection is 5dB which is composed of optoelectronic conversion loss of 15 dB, electrical impedance mismatch loss of 6.7 dB in transmitter module and gain of 18 dB in receiver module. Seperation between transmitter and receiver can be extended up to 50 cm by using a lens.
본 논문에서는 다층유전체 구조를 갖는 VLSI interconnection line 에 대한 커페시턴스를 계산하기 위한 방법을 제안한다. 이 방법은 단일 유전체 구조에서 개발한 3차원 직접 적분방법을 확장한 것이다. 다층유전체에 의한 영향은 Green's function을 수정하는 대신에 경계조건을 추가함으로써 고려하였다. 여기서 사용한 경계조건은 line 표면에서는 전위에 대한 식을 사용하였고, 유전체 경계면ㅇ서는 전계에 대한 식을 사용하였다. 이 방법으로부터 얻어진 커패시턴스를 이용하여 다층유전체 구조에서의 interconnection line에 대한 RC 지연시간의 값을 구했다. 이때 사용한 interconnection 물질은 Al과 WSi-이다.
인터넷 트래픽의 급증으로 네트워크를 제공하는 사업자인 ISP에게는 망투자비용의 회수가 중요한 이슈가 되고 있다. 망투자 비용의 회수와 관련해서는 인터넷망 중립성 논란과 관련하여 ISP와 CP간 사업자간 첨예하게 대립되고 있다. 따라서 ISP와 CP간 망대가 산정을 인터넷망간 상호접속관점에서 이 문제를 분석할 필요가 있다. 또한 인터넷망 접속과 관련하여 기존 인터넷망 사업자간에도 인터넷망 상호접속제도에 대한 개선마련이 중요해지고 있다. 본 연구에서는 현재 예상되는 주요 이슈들을 정리하고 각 이슈에 대해 현재의 현황과 문제점들을 중심으로 향후 개선방안을 제시할 것이다. 이를 위해 인터넷 상호접속 규제관련 국내 법제도 현황과 해외동향을 살펴보고 개선방안 마련에 필요한 시사점을 도출한다.
A noble interconnection line capacitance measurement method to be able to remove the measurement errors from the probe pad to substrate stray capacitance has been proposed and verified. The measurement errors in the capacitance measurement, which usually be involved from the probe pad to substrate stray capacitance, can easily be removed by isolating the metal probe pad from the substrate with a grounded shield plate between the probe pad the substrate. The measurement results by using this improved capacitance measurement method were compared with the calculations by two-dimensional computer simulations.
Recent ULSI and multilevel structure trends in microelectronic devices minimize the line width down to a quarter micron and below, which results in the high current densities in thin film interconnections. Under high current densities, an EM(electromigration) induced failure becomes one of the critical problems in a microelectronic device. This study is to improve thin film interconnection materials by investigating the EM characteristics in PSG(phosphosilicate glass)/SiO$_2$ passivated Al-l%Si thin film interconnections. Straight line patterns, wide and narrow link type patterns, and meander type patterns, etc. were fabricated by a standard photholithography process. The main results are as follows. The current crowding effects result in the decrease of the lifetime in thin film interconnections. The electric field effects accelerate the decrease of lifetime in the double-layered thin film interconnections. The lifetime of interconnections also depends upon the current conditions of P.D.C.(pulsed direct current) frequencies applied at the same duty factor.
이러닝의 발전과 더불어 다양한 학습도구의 개발 그리고 이러닝 콘텐츠의 공동활용 등 이러닝을 통한 교류가 활발하게 이루어 지고 있다. 그러나 각각 LMS의 상호 연동을 고려하지 않고 개발되었기 때문에 이러닝 교류시 문제점이 나타나게 되었다. 특히 대학간 이러닝 교류는 학습자 정보교환 중심의 교류, 강의(교수자) 정보교환 중심의 교류 등 여러 가지가 있으나, 이들 모두 직접적인 연계가 이루어지지 않기 때문에 여러 가지로 문제점이 많이 나타났다. 이에 본 논문에서는 이러닝 교류의 사례를 분석하고, 문제점을 도출하여 효율적인 LMS 상호 연동에 대한 모형을 설계하여 제시하였다. 우선 먼저 학습에 가장 필요로 하는 학습요소 즉, 강좌개설정보, 강의정보, 사용자정보, 수강정보, 학습이력정보를 연동 데이터로 정의하였으며, 뷰를 이용한 데이터 연동 테이블을 통해 LMS를 연동하였다. 실험결과 학습자와 교수자의 접근성이 편리하게 나타났으며, 데이터 교환이 없기 때문에 업무 프로세스가 현저히 줄었다. 향후에는 다양한 학습요소에 대한 연동과 세션처리, 보안을 고려한 LMS 연동이 연구과제로 남아있다.
Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 연구하였다. Ag 페이스트 막을 유리기판에 형성하고 관통 비아 홀이 형성된 Si 기판을 접착시켜 Ag 페이스트 막을 Cu 비아 형성용 전기도금 씨앗층으로 사용하였다. Ag 전기도금 씨앗층에 직류전류 모드로 $20mA/cm^2$와 $30mA/cm^2$의 전류밀도를 인가하여 Cu 비아 filling을 함으로써 직경 $200{\mu}m$, 깊이 $350{\mu}m$인 도금결함이 없는 Cu 비아를 형성하는 것이 가능하였다. Cu 비아가 형성된 Si 기판에 Ti/Cu/Ti metallization 및 배선라인 형성공정, Au 패드 도금공정, Sn 솔더범프 전기도금 및 리플로우 공정을 순차적으로 진행함으로써 Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 이룰 수 있었다.
Multimode channel waveguides were fabricated using a direct UV patterning technology from thick films deposited by the one-step dip-coating of an organic/inorganic hybrid material (ORMOCER(equation omitted). The core size of the covered ridge waveguide was 43${\times}$51 $\mu\textrm{m}$$^2$; the waveguides can be readily prepared for multimode applications by direct UV patterning. The waveguides exhibited smooth surface profiles and a low optical loss of 0.07 ㏈/cm at the most important wavelength (850nm) used for optical interconnects.
많은 수의 프로세서와 메모리 소자사이의 연결을 위한 구조들은 다단 상호연결 네트워크를 이용해서 구현할 수 있다. 또한 경제성, 처리능력 및 고장 허용면에서의 발전은 자연스럽게 컴퓨터 시스템 성장에 있어서 가장 중요한 요건이 되었다. 그러나 지금까지의 다단 상호연결 네트워크에서의 고장의 허용방법, 특히 전단에 관한 연구가 미흡하다. 따라서 본 논문에서는 기존의 다단 상호연결 네트워크중에서 generalized cube네트워크를 바탕으로 링크 고착 고장 및 direct와 cross상태에서 스위칭 소자의 고장, 그리고 새로운 broadcast상태에서 고장진단을 포함하는 generalized cube네트워크에 스위칭 소자가 가지는 4가지 상태의 전체적인 진단을 한다. 가정된 고장모델을 검출할 수 있는 테스트 집합을 산출하고 이를 통해서 고장의 검출 및 위치를 결정할 수 있는 효율적인 알고리즘을 제안하고 적용의 예를 보인다.
In this paper we present a switch wrapper for an AMBA AXI, which is an efficient on-chip-network interface compared to bus-based interfaces in a multiprocessor SoC. The AXI uses an idea of NoC to provide the increasing demands on communication bandwidth within a single chip. A switch wrapper for AXI is located between a interconnection network and two IPs connecting them together. It carries out a mode of routing to interconnection network and executes protocol conversions to provide compatibility in IP reuse. A switch wrapper consists of a direct router, AHB-AXI converters, interface modules and a controller modules. We propose the design of a all-in-one type switch wrapper.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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