The development of two-dimensional graphene layers has recently attracted considerable attention because of its tremendous application in various research fields. Semi-metal materials have received significant attention because of their excellent biocompatibility as well as distinct physical, chemical, and mechanical properties. Taking into account the technical importance of graphene in various fields, such as complementary metal-oxide-semiconductor technology, energy-harvesting and -storage devices, biotechnology, electronics, light-emitting diodes, and wearable and flexible applications, it is considered to be a multifunctional component. In this regard, material scientists and researchers have primarily focused on two typical problems: i) direct growth and ii) low-temperature growth of graphene. In this review, we have considered only cold growth of graphene. The review is divided into five sections. Sections 1 and 2 explain the typical characteristics of graphene with a short history and the growth methods adopted, respectively. Graphene's direct growth at low temperatures on a required substrate with a well-established application is then precisely discussed in Sections 3 and 4. Finally, a summary of the review along with future challenges is described in Section 5.
Kim, Hyun Bum;Kim, Kyung Hwan;Ghayas, Siddiqi;Lim, Jong Hwan;Yang, Hyoung Chan;Choi, Kyung Hyun
Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.15
no.5
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pp.100-108
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2016
In various industries, many researches studies have been done in using nano thin film fabrication technology. In the field of printed electronics, various electronic devices can be fabricated using a direct printing process of on multiple functional materials. It has the advantages of low prices, environment-friendly environmentally friendly, flexibleility, large scale, mass production produced, simple process and so on. In this study, a viable thin film fabrication technology has beenwas introduced using the surface acoustic wave mechanism for thin film deposition. Fabrication of thin films using organic, inorganic and composite of organic/inorganic materials have been were analyzed through the experimental research. In this experiment, organic material MEH:PPV, inorganic material ZnO and composite material MEH:PPV/ZnO have been depo sited as thin films.
Direct laser melting (DLM) is a powder-based additive manufacturing process to produce parts by layer-by-layer laser melting. As the properties of the manufactured parts depend strongly on the deposited laser-melted bead, deposited layers obtained by the DLM process were characterized in this study. This investigation used a 200 W fiber laser to produce single-line beads under a variety of different energy distributions. In order to obtain a feasible range for the two main process parameters (i.e. laser power and scan rate), bead shapes of single track deposition were intensively investigated. The effects of the processing parameters, such as powder layer thickness and scan spacing, on geometries of the deposited layers have also been analyzed. As a result, minimum energy criteria that can achieve a complete melting have been suggested at the given powder layer thickness. The surface roughnesses of the deposited beads were strongly dependent on the overlap ratio of adjacent beads and on the energy distributions of laser power. Through microstructural analysis and hardness measurement, the morphological and mechanical properties of the deposited layers at various overlapped beads have also been characterized.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.389-389
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2012
Molybdenum is one of the most important materials used as a back ohmic contact for $Cu(In,Ga)(Se,S)_2$ (CIGS) solar cells because it has good electrical properties as an inert and mechanically durable substrate during the absorber film growth. Sputter deposition is the common deposition process for Mo thin films. Molybdenum thin films were deposited on soda lime glass (SLG) substrates using direct-current planar magnetron sputtering technique. The outdiffusion of Na from the SLG through the Mo film to the CIGS based solar cell, also plays an important role in enhancing the device electrical properties and its performance. The structure, surface morphology and electrical characteristics of Mo thin films are generally dependent on deposition parameters such as DC power, pressure, distance between target and substrate, and deposition temperature. The aim of the present study is to show the resistivity of Mo layers, their crystallinity and morphologies, which are influenced by the substrate temperature. The thickness of Mo films is measured by Tencor-P1 profiler. The crystal structures are analyzed using X-ray diffraction (XRD: X'Pert MPD PRO / Philips). The resistivity of Mo thin films was measured by Hall effect measurement system (HMS-3000/0.55T). The surface morphology and grain shape of the films were examined by field emission scanning electron microscopy (FESEM: Hitachi S-4300). The chemical composition of the films was obtained by the energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). Finally the optimum substrate temperature as well as deposition conditions for Mo thin films will be developed.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2014.11a
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pp.273-273
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2014
Quantum-dot sensitized solar cells (QDSCs) are an emerging class of solar cells owing to their easy fabrication, low cost and material diversity. Despite of the fact that the maximum conversion efficiency of QDSCs is still far less than that of Dye-Sensitized Solar Cells (>12 %), their unique characteristics like Multiple Exciton Generation (MEG), energy band tune-ability and tendency to incorporate multiple co-sensitizers concurrently has made QDs a suitable alternative to expensive dyes for solar cell application. Lead Sulfide (PbS) Quantum dot sensitized solar cells are theoretically proficient enough to have a photo-current density ($J_{sc}$) of $36mA/cm^2$, but practically there are very few reports on photocurrent enhancement in PbS QDSCs. Recently, $Hg^{2+}$ incorporated PbS quantumdots and Cadmium Sulfide (CdS) co-sensitized PbS solarcells are reported to show an improvement in photo-current density ($J_{sc}$). In this study, we explored the efficacy of $In_2S_3$ as an interfacial layer deposited through SILAR process for PbS QDSCs. $In_2S_3$ was chosen as the interfacial layer in order to avoid the usage of hazardous CdS or Mercury (Hg). Herein, the deposition of $In_2S_3$ interfacial layer on $TiO_2$ prior to PbS QDs exhibited a direct enhancement in the photo-current (Isc). Improved photo-absorption as well as interfacial recombination barrier caused by $In_2S_3$ deposition increased the photo-current density ($J_{sc}$) from $13mA/cm^2$ to $15.5mA/cm^2$ for single cycle of $In_2S_3$ deposition. Increase in the number of cycles of $In_2S_3$ deposition was found to deteriorate the photocurrent, however it increased $V_{oc}$ of the device which reached to an optimum value of 2.25% Photo-conversion Efficiency (PCE) for 2 cycles of $In_2S_3$ deposition. Effect of Heat Treatment, Normalized Current Stability, Open Circuit Voltage Decay and Dark IV Characteristics were further measured to reveal the characteristics of device.
A methodology for determining the optimal durations of the use of contaminated crops as feedstuffs of cattle was designed based on the cost-benefit analysis method. The results of application for pigs, an omnivorous cattle, were discussed for the hypothetical deposition of radionuclides on August 15 when a number of crops are fully developed in Korean agricultural conditions. For investigating the relative cost-effectiveness of the use of contaminated crops as feedstuffs, the net benefit was compared with the case of the direct disposal of contaminated crops. The time-dependent radionuclide concentration in crops after the deposition was predicted using a dynamic food chain model DYNACON. The net benefit from the actions was quantitatively evaluated in terms of cost equivalent of doses and monetary costs of implementing the action. It depended on a number of factors such as radionuclides, variety of crops supplied as feedstuffs and duration of the actions. The use of contaminated crops as feedstuffs was more cost effective for $^{90}Sr\;or\;^{131}I$ deposition than for $^{137}Cs$ deposition.
Moon, Jee Hyun;Kim, Ji Hyeon;Yoo, In Sang;Park, Sang Joon
Applied Chemistry for Engineering
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v.25
no.6
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pp.577-580
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2014
Indium hydroxy sulfide ($In(OH)_xS_y$) as a cadmium (Cd)-free buffer layer for $CuInGaSe_2$ (CIGS) solar cells was prepared by the chemical bath deposition (CBD) and the reaction time was optimized. The band gap energy and transmittance data alongside the thickness results from the direct observation with focused ion beam system (FIB) could be a powerful tool for optimizing the conditions. In addition, X-ray diffractometer (XRD), X-ray photoelectron microscopy (XPS), and scanning electron microscope (SEM) were also employed for the layer characterization. The results indicated that the optimum reaction time for $In(OH)_xS_y$ buffer layer deposition by CBD was 20 min at $70^{\circ}C$ under the conditions employed. At the optimum conditions, the buffer layer thickness was near 57 nm and the band gap energy was 2.7 eV. In addition, it was found that there was no XPS peak shift in between the buffer layers deposited on molybdenum (Mo)/glass and that on CIGS layer.
In this paper, Characteristics of the ITO thin film deposited were analyzed using DC magnetron sputtering in order to investigate the deposition conditions of ITO thin film for transparent electrode. The experiment conditions were atmospheric pressure from 1 to 3[mTorr] with 1 [mTorr] step, bias electric voltage ranged from 260[V] to 330[V] with 10[V] step. The transmittance, refractive index and surface and cross-sectional shape of the deposited thin film were measured with an UV.-VIS. spectrophotometer, ellipsometer and SEM. Such condition as 1~2[mTorr] and near 300[V] voltage the transmittance was over 90[%] and the refractive index more than 2. Therefore, it was confirmed that the appropriate condition for making a highly transparent conductive electrode.
Background: As an important detecting device, TLD is a widely used in the radiation monitoring. It is essential for us to study the property of detecting element. The aim of this study is to calculate the thermo-luminescence efficiency of TL elements. Materials and Methods: A batch of thermo-luminescence elements were irradiated by the filtered X-ray beams of average energies in the range 40-200 kVp, 662 keV $^{137}Cs$ gamma rays and then the amounts of lights were measured by the TL reader. The deposition energies in elements were calculated by theory formula and Monte Carlo simulation. The unit absorbed dose in elements by photons with different energies corresponding to the amounts of lights was calculated, which is called the thermo luminescent efficiency (${\eta}^{(E)}$). Because of the amounts of lights can be calculated by the absorbed dose in elements multiply ${\eta}^{(E)}$, the ${\eta}^{(E)}$ can be calculated by the experimental data (the amounts of lights) divided by absorbed dose. Results and Discussion: The deviation of simulation results compared with theoretical calculation results were less than 5%, so the absorbed dose in elements was calculated by simulation results in here. The change range of ${\eta}^{(E)}$ value, relative to 662 keV $^{137}Cs$ gamma rays, is about 30% in the energy range of 33 keV to 662 keV, is in accordance by the comparison with relevant foreign literatures. Conclusion: The ${\eta}^{(E)}$ values can be used for updating the amounts of lights that are got by the direct ratio assumed relations with deposition energy in TL elements, which can largely reduce the error of calculation results of the amounts of lights. These data can be used for the design of individual dosimeter which used TLD-2000 thermo-luminescence elements, also have a certain reference value for manufacturer to improve the energy-response performance of TL elements by formulation adjustment.
Reis de Souza, T.C.;Aumaitre, A.;Mourot, J.;Peiniau, J.
Asian-Australasian Journal of Animal Sciences
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v.13
no.4
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pp.497-505
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2000
Thirty piglets weaned at 24.5 d of age ($6.9{\pm}0.5kg$) randomly alloted to 3 treatments were used to investigate the effect of dietary tallow on average performance, digestibility of nutrients, metabolic utilization of energy and body composition at 25 kg. Weaned piglets respond to increasing levels of dietary tallow from 0 to 4% and 8% by digestive and metabolic adaptation. Apparent fecal digestibility of fat (AFDf) was highly correlated with the level of dietary tallow (X as % of fat extracted after HCl hydrolysis) by the following curvilinear equation of regression: $AFDf=33.8+6.9X-0.3X^2$. Feed intake expressed as DE was only significantly increased at the higher inclusion level of tallow. But neither average daily gain, nor feed conversion was affected by the addition of fat. On the other hand, body composition at 25 kg was equally affected, by both levels of supplementary fat; dry matter and energy content in the body were significantly higher (p<0.01) in piglets receiving tallow. As a consequence, the energy cost of the live weight gain was also increased from 23 to 24.7 MJ DE/kg (p<0.02) and the efficiency of energy deposition was decreased from 3.2 to 2.8 MJ DE/MJ deposited energy (p<0.01) in the presence of dietary tallow. An increase in the level of fat stimulated the activity of pancreatic lipase up to a constant value of $22{\pm}1.4IU/mg$ protein but conversely depressed the activity of amylase from 300 to 100 IU/mg of protein. The activity of liver acetyl CoA carboxylase and malic enzyme in the perirenal fat were low lind not affected by dietary fat; the activity of glucose-6-phosphate dehydrogenase was high. Opposite to that, the activity of acetyl CoA carboxylase and malic enzyme in the perirenal and backfat were higher than in the liver and both were significantly reduced by the inclusion of fat in the diet. A direct deposition of dietary fat has been demonstrated by increasing the energy and lipid content of the empty body weight gain between 7 and 25 kg of live weight, and decreasing the efficiency of digestible energy utilization.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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