이안제 좌 우측으로 각각 분기되어 진행하는 파랑은 회절에 의해 이안제 배후 안쪽으로 휘어져 위상간 간섭을 일으키며 중첩되면서 전파된다. 지형적인 여건으로 진행방향이 같아지게 되고 항 입구부로 향한다면 파랑의 에너지 중첩에 의한 영향이 항내로 나타날 수 있다. 본 연구에서는 항 입구부에 이안제가 설치되는 경우, 이안제 길이에 따라 발생하는 좌 우측 회절 파랑의 위상차가 항내 파고에 미치는 영향을 수치실험을 통해 검토하였다. 이로부터 항내에서의 파고는 이안제의 길이에 따른 좌 우측 회절파랑의 위상차에 의한 중첩의 영향으로 증폭 혹은 상쇄되어 나타남을 확인하였다.
In this study, a radiation and a diffraction problems of a floating body in two-layer fluids were solved by the Numerical Wave Tank(NWT) technique in the frequency domain. In two-layer fluids, two different wave modes exist and the hydrodynamic coefficients can be obtained separately for each mode. The two-domain Boundary Element Method(BEM) in the potential fluid using the whole-domain matrix scheme was used to investigate the characteristics of wave forces, added mass and damping coefficients. The effects of the ratio of density and water depth in the lower domain were also evaluated and compared with given references.
돌제 주위의장기간 해빈변형을 예측하기 위하여 수위의 변동, 파의굴절과 회절을 고려하여 해석하는 수치적 모델이다. 이러한 문제에 대한 수치해석은 연안표사랑에 대한 경계조건을 가지는 방정식을 고려함으로써 해석된다. 해석방법으로는 음해법 중의 하나인 Crank-Nicolson Scheme을 사용하였다. 이 모델을 현지에 적용시킨 결과, 굴절과 회절계수의 근사해로 인하여 돌제 내부 영역에서는 실측치와 예측치가 차이가 있으나, 돌제 외부 영역에서의 경향은 잘 일치하고 있음을 알 수 있다.
The reaction bonded alumina ceramics was prepared through the addition of each SiC and ZrO2 powder to the mixture of Al metal powder and Al2O3 The mono sized (3mm) and biodal sized (3mm+5mm) balls were used in attrition milling of Al and starting powders. The milling efficiency of both cases was compared by the analysis of particle size and X-ray diffraction. After the forming and sintering of each powder batchs the weight gains dimensional changes and densities were determined. The specimens were investigated by X-ray diffraction analysis and scanning electron microscope. Bimodal sized balls had better milling effect than single ball size in the milling of Al powder. However in the milling which ceramic powders mono sized the green body during the reaction sintering at 1$600^{\circ}C$ for 5 hour was about 10% The densities attained the values of 92-98% theoretical. The SiC added specimen that was milled with 3mm ball media had 96% theoretical density and dense microstructure.
In this study, we studied the nature of thin films formed by holographic photodoping chalcogenide thin films with for use in programmable metallization cell devices(PMC), a type of ReRAM. We formatted straight conduction pathway from the internal interferences of the diffraction gratings which is builded by the holographic lithography method. We investigated the resistance change of solid-electrolyte chalcogenide thin films varied in the applied voltage bias direction from about $1\;M{\Omega}$ to several hundreds of $\Omega$. The switching characteristics of the devices applied holographic lithography method was more improved than ultraviolet exposure condition. As a result of improved resistance change effects, we can analogize that the diffraction gratings is a kind of pattern for straight conduction pathway formation inside the chalcogenide thin films.
This paper is concerned with the prediction of lift-off acoustic loads for a launch vehicle. Intense acoustic load is generated when a launch vehicle is lifted off, and it can induce vibrations of a launch vehicle which cause damage or malfunction of a launch vehicle and a satellite. Lift-off acoustic loads of NARO are predicted by the modified Eldred's second method and the result is compared with the measured data in flight test. The prediction shows similar peak and shape of spectrum to the test data, but some discrepancy can be observed due to the predicted margin. In order to reduce such discrepancy, the sound pressure levels with four source distribution assumptions are calculated. Also, the surface diffraction effects are considered in the predict ion of lift-off acoustic loads, and the predicted result is more similar to the test data.
Using X-ray crystallography powder diffraction, the quantitative representation method of preferred orientation of particles ill tablets was developed. Selected faces of a tablet. the upper surface and faces cut parallel and normal to the upper surface, were presented to an X-ray beam and X-ray diffraction patterns for these faces were measured. The effects of particle size. tableting pressure, and particle form on the preferred orientation were also investigated. It was also recognized that the degree of anisotropy in terms of capping tendency was influenced by the preferred orientation of particles in tablets.
The Automated Quantitative Knife-Edge Test (AQuaKET) method was developed for testing the surface profiles of large optics with high accuracy. Testing with the required accuracy of very large telescope is not an easy job to achieve, as it is a nano-technology. There are lots of possible error sources which can occur during the measurements and in the data processing of the AQuaKET. The error sources can be categorized into 5 areas: optics, mechanics, electronics, numerical processes, and system. In this paper, possible error sources in Optics are discussed, which are intensity variation of the light source, diffraction effects, and parallax effect. In this talk, those possible error sources in optics are presented and discussed.
A new form of sulfabenzamide was characterized using X-ray diffraction patterns and differential scanning calorimetry. Solubility studies demonstrated that, of the sulfabenzamide polymorphs, the new form was more soluble than form I. Compression of the new form at compression force of 1000 $kg/cm{^2}$ didn't induce polymorphic change in the crystal. Similar patterns were also produced through grinding. The effects of some diluents on the polymorphic transformation from the new form into form I by grinding and compression were also studied. Three diluents, $Avicel^{\circledR}$, lactose and starch showed no influence on the polymorphic transformation. The new form seemed to be more suitable for the pharmaceutical preparation.
GaN thin films on sapphire were grown by rf magnetron sputtering with ZnO buffer layer. The dependence of GaN film quality on ZnO buffer layer was investigated by X-ray diffraction(XRD). The improved film quality has been obtained by using thin ZnO buffer layer. Using Auger electron spectroscopy(AES), it was observed that the annealing process improved the GaN film quality. The surface roughness according to the annealing temperatures(700, 900, 1100$^{\circ}C$) were investigated by AFM(atomic force microscopy) and it was confirmed that the crystallization was improved by increasing the annealing temperature. Photoluminescence at 8K shows a near-band-edge peak at 3.2eV with no deep level emission.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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