• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.222-222
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• 2007

RF circuit을 구현하는데 있어서 기판의 전기적 특성을 정확하게 아는 것은 원하는 결과를 추출하기 위해 매우 중요하다. 본 연구에서는 현재 사용되고 있는 PI 기판의 전기적인 특성인 유효 유전율과 loss tangent 값을 T-resonator률 이용해 정확하게 측정하고자 했다. T-resonator는 microstrip 구조로 구현 되었으며 conductor material은 Cu를 사용하였다. PI 기판의 두께는 25um, Cu의 두께는 PI 기판의 종류에 따라 12um 와 18um, T-resonator line width는 50um로 구현하였다. 또한 공진 주파수에 따라 stub 길이가 다른 10개의 T-resonator를 제작하였다. PI 기판의 유효 유전율을 구하기 위해 stub 길이의 open-end effect와 T-junction effect를 고려하였으며 수식을 통해 정확한 유효 유전률을 추출하였다. 또한 PI 기판의 loss tangent 추출에 필요한 dielectric loss를 추출하기 위해 unload quality factor를 분석하였다. Unload quality factor는 dielectric loss, conductor loss, radiation loss를 구성되며 conductor loss와 radiation loss를 수식에 의해 구하고 dielectric loss를 추출 하였다. 추출 된 dielectric loss를 통해 각각의 T-resonator의 loss tangent 값을 구하였다. T-resonator를 이용한 PI 기판의 측정은 비교적 복잡한 수식에 의해 이루어지지만 정확한 data를 얻을 수 있고 다른 재료의 전기적 특성을 추출하는데 응용이 가능하다.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권11호
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• pp.49-56
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• 1992

In this paper a band-pass filter using dielectric resonators with tuning screw and spacer at Ku-band is designed and constructed. For the filter design and construction, the coupling coefficient K between two resonators is numberically evaluated. The external quality factor Q$_{ex}$ is also calculated with a microstrip line which is necessary for the field excitation of dielectric resonator. The coupling between dielectric resonator and microstrip line depends mainly upon the magnetic field and is principal parameter in band-pass filter. The Q$_{ex}$ and K data which are evaluated by numberical analysis are practically applied to the filter construction. The theoretical Band-pass filter responses are given by Chebyshev approximation and they are nearly similar to the experimental results.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.174-177
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• 2009

In this paper, an oscillator using dielectric-rod loaded cavity resonators with HTS(High Temperature Superconductor) end-plates was presented. It was operated at X-band. A two port cavity resonator was incorporated into a basic feedback loop oscillator configuration. A rutile loaded cavity resonator with HTS thin film end-plates was used to provide the quality factor between $10^4$ and $10^6$. A parallel feedback oscillator was constructed with a dielectric loaded cavity resonator, an amplifier, and a directional coupler. At 300 K, the experimental results showed the phase noise of -108 dBc/Hz at a 100 kHz offset frequency. At 26 K, the results was -118.8 dBc/Hz at same offset frequency.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.385-388
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• 2000

In this paper, the Ka-band Dielectric resonator oscillator has been designed and fabricated. The resonator network was simulated using HFSS program. The design method of an oscillator is the small-signal S-parameter design. The Push-push DRO employs a hetero junction FET (NE32484A). The fabricated Push-push DRO shows such characteristics as the phase noise -106 ㏈c/Hz at the 100 ㎑ frequency offset. the output power and fundamental frequency surpression were -6 ㏈m and -29 ㏈c, respectively.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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• pp.7-10
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• 2002

This paper presents a design of 24㎓ GaAs MESFET voltage controlled oscillator using a dielectric resonator(DR) and a frequency doubler. DR modeling has been done to get the effects of resonator size and the gap from transmission line by HFSS at 12㎓, and frequency doubler is used to get 24㎓ Output.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권12호
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• pp.1087-1090
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• 2003

The circular cavity resonator which can measure the dielectric properties of dielectrics in the V -band(50㎓∼75㎓) frequency range was designed and fabricated. Exciting and detecting of the resonator is performed by WR15 rectangular waveguides using Bethe's small hole coupling. GaAs and PTFE plate samples were used for the verification of the performance of the fabricated circular cavity resonator. In the measurement of GaAs and PTFE using that resonator, the permittivity were measured as I2.87 and 2.14, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.135-138
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• 2003

The circular cavity resonator which can measure the dielectric properties of dielectrics in the V-band($50GHz{\sim}75GHz$) frequency range was designed and fabricated. Exciting and detecting of the resonator is peformed by WR15 rectangular waveguides using Bethe's small hole coupling. The GaAs plate sample was used for the verification of the performance of the fabricated circular cavity resonator. In the measurement of GaAs single crystal using that resonator, the resonant frequency of the dominant $TE_{011}$ mode, the permittivity and $Q{\times}f_0$ were measured as 53.29GHz, 12.87 and 138,000, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.265-268
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• 2003

In RF application of resonator, cylinerical and transmission line(TRL) type are used generally, especially in ceramic modules the latter is used widely, TRL type resonators are used in VCO and RF filters etc.. TRL type resonators are divided stripline and microstripline and their characteristics depend on that of conductor and dielectric materials. In this study, the effect of material properties on the stripline resonator is measured and analyzed. Besides, the optimum design rule of resonator is presented.

• 대한전자공학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.13-18
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• 1982

본 논문은 마이크로스트립 선로의 실효 유전률에 관한 실험적인 연구이다. 자유 공간 파장대 관내 파장비의 2승으로 주어지는 실효 유전률을 테프론 유전체판으로 만든 공진기의 공진 현상을 이용하여서 측정하고 이것과 마이로스트립 선로상의 전류 분포를 Fourier 변환하여서 얻은 이론 계산치와를 비교 고찰하여 제작된 원형및 타원형 공진기로 부터 얻어진 실험치와 이론치가 8∼12GHz범위의 X-Band에서 # =1일때 거의 일치하는 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제14권11호
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• pp.2397-2402
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• 2010

본 논문에서는 800MHz 대역에서 다양한 시간자연 특성을 갖는 유전체 공진기 대역통과 필터를 설계 및 제작하였다. 각각의 경우에 삽입손실은 모두 2dB 이내이었고 ripple은 0.2dB 이내이었으며 반사손실은 20dB 이상의 값을 가지는 우수한 특성을 보였다. 지연시간의 경우에는 각각 6ns, 12ns, 20ns를 구현하였으며 이때 평탄도의 범위는 1ns 이내이었다. 또한 유전체 블록이 2-hole을 갖는 경우에는 2~4ns의 범위를 갖는 것을 확인하였으며 각각의 유전체 필터를 조합하여 다양한 지연시간을 갖는 유전체 공진기 필터를 구현하였다.