In order to develop optimal formulation and iontophoresis condition for the transdermal delivery of levodopa, we have evaluated the effect of two permeation enhancers, ethanol and oleic acid in microemulsion, on transdermal delivery of levodopa. In vitro flux studies were performed at $33^{\circ}C$, using side-by-side diffusion cell and full thickness hairless mouse skin. Current density applied was $0.4\;mA/cm^2$ and current was off after 6 hours application. Levodopa was analysed by HPLC at 280 nm. The o/w microemulsions of oleic acid in buffer solution (pH 2.5 & 4.5) were prepared using oleic acid, Tween 80 and ethanol. The existence of microemulsion regions were investigated in pseudo-ternary phase diagrams. Contrary to our expectation, cumulative amount of levodopa transported from microemulsion (pH 2.5) for 10 hours was similar to that from aqueous solution in all delivery methods (passive, anodal and cathodal). When pH of the micro-emulsion was pH 4.5, cumulative amount of levodopa transported for 10 hours increased about 40% (anodal) to 50% (cathodal), when compared to that from aqueous solution. Flux from pH 4.5 microemulsion showed higher value than that from pH 2.5 in all delivery methods. These results seem to indicate that electroosmosis plays more dominant role than electrorepulsion in the flux of levodopa at pH 2.5. The effect of ethanol on iontophoretic flux was studied using pH 2.5 phosphate buffer solution containing 3% or 5% (v/v) ethanol. Flux enhancement was observed in passive and anodal delivery as the concentration of the ethanol increased. Without ethanol, cathodal delivery showed higher flux than anodal delivery. Anodal delivery increased the cumulative amount of levodopa transported 1.6 fold by 5% ethanol after 10 hours. However, in cathodal delivery, no flux enhancement of levodopa was observed during current application and only marginal increase in cumulative amount transported after 10 hours was observed by 5% ethanol. These results seem to be related to the decrease in dielectric constant of the medium and the lipid extraction of the ethanol, which decrease the electroosmotic flow, and thus decrease the flux. Overall, the results provide important insights into the role of electroosmosis and electrorepulsion in the transport of levodopa through skin, and provide some useful informations for optimal formulation for levodopa.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.477-477
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2008
For more than three decades, the gate dielectrics in CMOS devices are $SiO_2$ because of its blocking properties of current in insulated gate FET channels. As the dimensions of feature size have been scaled down (width and the thickness is reduced down to 50 urn and 2 urn or less), gate leakage current is increased and reliability of $SiO_2$ is reduced. Many metal oxides such as $TiO_2$, $Ta_2O_4$, $SrTiO_3$, $Al_2O_3$, $HfO_2$ and $ZrO_2$ have been challenged for memory devices. These materials posses relatively high dielectric constant, but $HfO_2$ and $Al_2O_3$ did not provide sufficient advantages over $SiO_2$ or $Si_3N_4$ because of reaction with Si substrate. Recently, $HfO_2$ have been attracted attention because Hf forms the most stable oxide with the highest heat of formation. In addition, Hf can reduce the native oxide layer by creating $HfO_2$. However, new gate oxide candidates must satisfy a standard CMOS process. In order to fabricate high density memories with small feature size, the plasma etch process should be developed by well understanding and optimizing plasma behaviors. Therefore, it is necessary that the etch behavior of $HfO_2$ and plasma parameters are systematically investigated as functions of process parameters including gas mixing ratio, rf power, pressure and temperature to determine the mechanism of plasma induced damage. However, there is few studies on the the etch mechanism and the surface reactions in $BCl_3$ based plasma to etch $HfO_2$ thin films. In this work, the samples of $HfO_2$ were prepared on Si wafer with using atomic layer deposition. In our previous work, the maximum etch rate of $BCl_3$/Ar were obtained 20% $BCl_3$/ 80% Ar. Over 20% $BCl_3$ addition, the etch rate of $HfO_2$ decreased. The etching rate of $HfO_2$ and selectivity of $HfO_2$ to Si were investigated with using in inductively coupled plasma etching system (ICP) and $BCl_3/Cl_2$/Ar plasma. The change of volume densities of radical and atoms were monitored with using optical emission spectroscopy analysis (OES). The variations of components of etched surfaces for $HfO_2$ was investigated with using x-ray photo electron spectroscopy (XPS). In order to investigate the accumulation of etch by products during etch process, the exposed surface of $HfO_2$ in $BCl_3/Cl_2$/Ar plasma was compared with surface of as-doped $HfO_2$ and all the surfaces of samples were examined with field emission scanning electron microscopy and atomic force microscope (AFM).
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.20
no.4
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pp.323-332
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2009
In this paper, we introduce a modified short-circuited stub bandpass filter suitable for ultra-wideband(UWB) applications utilizing low temperature co-fired ceramic(LTCC) technology. By modifying the conventional short-circuited stub bandpass filter structure with stubs and connecting lines of lower characteristic impedances, the number of stubs has been reduced from 5 to 2 on a high dielectric constant substrate($\varepsilon_r$ = 40). A wireless local area network (WLAN) stopband in the frequency range of 5.15 to 5.825 GHz has been inserted into the filter characteristic using three short-circuited coupled lines. The filter has been measured with an insertion loss less than 1.0 dB and return loss better than 10 dB in the pass bands. A bandwidth ratio of 109.49 % has been achieved. Measurement results agree well with simulation results. The dimensions of the filter are $4{\times}8{\times}0.57\;mm^3$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.251-252
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2012
Recently, the growing interest in organic microelectronic devices including OLEDs has led to an increasing amount of research into their many potential applications in the area of flexible electronic devices based on plastic substrates. However, these organic devices require a gas barrier coating to prevent the permeation of water and oxygen because organic materials are highly susceptible to water and oxygen. In particular, high efficiency OLEDs require an extremely low Water Vapor Transition Rate (WVTR) of $1{\times}10^{-6}g/m^2$/day. The Key factor in high quality inorganic gas barrier formation for achieving the very low WVTR required ($1{\times}10^{-6}g/m^2$/day) is the suppression of defect sites and gas diffusion pathways between grain boundaries. In this study, we developed an $Al_2O_3$ nano-crystal structure single gas barrier layer using a Neutral Beam Assisted Sputtering (NBAS) process. The NBAS system is based on the conventional RF magnetron sputtering and neutral beam source. The neutral beam source consists of an electron cyclotron Resonance (ECR) plasma source and metal reflector. The Ar+ ions in the ECR plasma are accelerated in the plasma sheath between the plasma and reflector, which are then neutralized by Auger neutralization. The neutral beam energies were possible to estimate indirectly through previous experiments and binary collision model. The accelerating potential is the sum of the plasma potential and reflector bias. In previous experiments, while adjusting the reflector bias, changes in the plasma density and the plasma potential were not observed. The neutral beam energy is controlled by the metal reflector bias. The NBAS process can continuously change crystalline structures from an amorphous phase to nano-crystal phase of various grain sizes within a single inorganic thin film. These NBAS process effects can lead to the formation of a nano-crystal structure barrier layer which effectively limits gas diffusion through the pathways between grain boundaries. Our results verify the nano-crystal structure of the NBAS processed $Al_2O_3$ single gas barrier layer through dielectric constant measurement, break down field measurement, and TEM analysis. Finally, the WVTR of $Al_2O_3$ nano-crystal structure single gas barrier layer was measured to be under $5{\times}10^{-6}g/m^2$/day therefore we can confirm that NBAS processed $Al_2O_3$ nano-crystal structure single gas barrier layer is suitable for OLED application.
In the present study, a coplanar waveguide (CPW)-fed printed monopole antenna with an inverted n-shaped slot is newly proposed for dual band operations which cover bandwidths of CDMA (1.85~2.025 GHz) and WLAN (2.4~2.484 GHz) as well as implementation of omnidirectional radiation pattern. For enhancement of impedance bandwidth ($S11{\leq}10dB$) in 2.4 GHz WLAN frequency band, an inverted n-shaped slot instead of the previous n-shaped slot is etched on the printed radiating monopole. The proposed antenna is designed and fabricated on one side of FR4 substrate with dielectric constant of 4.4, thickness of 1.6 mm, and size of $50{\times}25mm^2$. It has been observed that the measured impedance bandwidths are 280 MHz (1.84~2.12 GHz) in frequency band of CDMA and 420 MHz (2.38~2.8 GHz) in WLAN frequency band respectively. It is noticeable that impedance bandwidth in 2.4 GHz frequency band of WLAN is enlarged to three times due to use of inverted L-shaped slot in comparison with impedance bandwidth 140 MHz (2.39~2.53 GHz) obtained by use of the previous n-shaped slot. In addition, good omnidirectional radiation patterns have been observed over the entire frequency band of interest.
We determined the microviscosity of synaptosomal plasma membrane vesicles (SPMV) isolated from bovine cerebral cortex and liposomes of total lipids (SPMTL) and phospholipids (SPMPL) extracted from SPMV. Changes in the microviscosity induced by the range and rate of lateral diffusion were measured by the intramolecular excimerization of 1, 3-di(1-pyrenyl)propane (Py-3-Py). The microviscosity values of the direct probe environment in SPMV, SPMTL and SPMPL were 38.17, 31.11 and 27.64 cP, respectively, at$37^{\circ}C$and the activation energies $(E_a)$ of the excimer formation of Py-3-Py in SPMV, SPMTL and SPMPL were 8.236, 7.448 amd 7.025 kcal/mol, respectively. Probe location was measured by polarity and polarizability parameters of the probe Py-3-Py and probe analogues, pyrene, 1-pyrenenonanol and 1-pyrenemethyl-3${\beta}$-hydroxy-22, 23-bisnor-5-cholenate (PMC), incorporated into membranes or solubilized in reference solvents. There existed a good linear relationship between the first absorption peak of the $^1_a$ band and the polarizability parameter $(n^{2}-1)/(2n^{2}+1)$.The calculated refractive index values for SPMV, SPMTL and SPMPL were close to 1.50, which is higher than that of liquid paraffin (n=l.475). The probe location was also determined by using a polarity parameter $(f-1/2f^{I})$. Here f=$({\varepsilon}-1)/(2{\varepsilon}+1)$ is the dielectric constant function and $f^I=(n^2-1)/(2n^2+1)$ is the refractive index function. A correlation existed between the monomer fluorescence intensity ratio and the solvent polarity parameter. The probes incorporated in SPMV, SPMTL, and SPMPL report a polarity value close to that of 1-hexanol $({\varepsilon}=13.29)$. In conclusion, Py-3-Py is located completely inside the membrane, not in the very hydrophobic core, but displaced toward the polar head groups of phospholipid molecules, e.g., central methylene region of aliphatic chains of phospholipid molecules.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.22
no.2
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pp.33-39
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2015
$BaTiO_3$ is typical ferromagnetic materials with dielectric constant of above 200. $BaTiO_3$ nanoparticles applications are available for multiple purposes such as nanocapacitors, ferroelectric random access memories, and so on. Applications are is diverse from the dispersion of nanoparticles depending on the route of synthesis. In this study, $BaTiO_3$ nanoparticles were synthesized by two different methods such as oxalate method and sol-gel process (ambient condition sol method). Particle size and dispersion condition were studied according to the preparation method and capping agent. Poly vinyl pyrrolidone (PVP) was used as a capping agent in oxalate method and tetrabutylammonium hydroxide (TBAH) used as a capping agent in sol-gel process each. Cubic crystal structure of $BaTiO_3$ phase could be confirmed by X-ray diffraction analysis. Fourier transform-infrared spectroscopy was employed for the confirmation of the capping agent and $BaTiO_3$ nanoparticles. The particle size and distribution analysis was also performed by particles size analyzer and scanning electron microscope.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.21
no.4
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pp.679-687
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2017
In this paper, a microstrip-fed triple-band monopole antenna with DGS (Defected Ground Structure) for WLAN/WiMAX applications was proposed. The proposed antenna is based on a microstrip-fed structure, and composed of two strip lines and DGS structure and then designed in order to get triple band characteristics. We carried out simulation about parameters. Adjusted the position and length of the two strips and three slits, we get the optimized parameters. The proposed antenna is fabricated on an FR-4 substrate of which the dielectric constant is 4.4, and its overall size is $34mm(W_1){\times}34mm(L_1){\times}1.6mm(t)$, and its proposed antenna size is $17.0mm(W_6){\times}30.75mm(L_3+L_4+L_9)$. From the fabricated and measured results, return loss of the proposed antenna satisfied return loss -10dB bandwidth 360 MHz (2.335~2.695 GHz), 645 MHz (3.37~4.015 GHz) and 1,770 MHz (5.14~6.91 GHz). And measured results of gain and radiation patterns characteristics displayed for operating bands.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.23
no.10
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pp.1117-1127
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2012
In this paper, the monopole antenna for satisfying GSM900/DCS1800/PCS1900/UMTS2100 services is designed. We can get the characteristic of the low frequency bands by connecting the front patch to the back patch of the antenna and get the low frequency resonance band using a front patch slit. The proposed antenna total volume is $40{\times}98{\times}1.6\;mm^3$, and it is designed on the FR-4 substrate having a relative dielectric constant of 4.4. As measurement result after fabrication, showed that the resonant frequency bandwidths are 156 MHz(828~984 MHz), 708 MHz(1.476~2.184 GHz) based on the return loss of 10 dB, and the radiation patterns show as the omnidirectional shapes for the E-field and H-field. For analyzing the human effects, the proposed antenna is mounted on the mobile-phone case. The averaged peak SAR over 1 g and 10 g is simulated and measured when the input power is 0.25 W. We have checked the variation of the SAR values when the antenna is mounted 4 different directions, then checked the direction having a relatively higher SAR. The results also satisfied the limiting SAR values which are 1.6 W/kg and 2.0 W/kg averaged over 1 g and 10 g tissues respectively.
$(Pb,La)TiO_3$(PLT) thin films were prepared on Pt/SiO$_2$/Si substrates by the sol-gel method and investigated the crystalline and electrical properties according to La concentration and post-annealing temperatures. The PLT films annealed at above $600^{\circ}C$ were exhibited the typical perovskite structures regardless of La contents. When the $(Pb,La)TiO_3$(PT) films were doped with La concentration up to 10mol%(PLT-10), the degree of z-axis orientation was greatly decreased from 63% to 26%. From AES depth profiles for the PLT-10 samples, no remarkable inter-reaction between PLT film and lower Pt electrode was found. The remanent polarization$(2Pr,Pr_+-Pr_-)$ were increased from $4\muC\textrm{cm}^2 to 16\muC\textrm{cm}^2$ as the annealing temperature increased from $600^{\circ}C to 700^{\circ}C$. This result may be ascribed to the improvement of crystallinity by the high temperature post-annealing. The dielectric constant$({\varepsilon}r)$ and tangent loss(tan$\delta$) of the PLT-10 films annealed at $650^{\circ}C$ were about 193 and 0.02, respectively with the pyroelectric coefficient($\gamma$) of around $4.0nC/\textrm{cm}^2{\cdot}^{\circ}C at 30^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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