Park, Chang-Joon;Hwang, Jeoung-Yeon;Kang, Hyung-Ku;Seo, Dae-Shik;Ahn, Han-Jin;Kim, Jong-Bok;Kim, Kyung-Chan;Baik, Hong-Koo
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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pp.1121-1124
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2004
Carbon Nitride exhibits high electrical resistivity and thermal conductivity that are similar to the properties shown by diamond-like carbon (DLC) films. These diamond-like transport properties in Carbon Nitride come in a material consisting of $sp^2$-bonded carbon versus the $sp^3$-carbon of DLC. The diamond-like properties and nondiamond-like bonding make NDLC an attractive candidate for applications. Liquid crystal (LC) alignment capabilities with ion beam exposure on carbon nitride thin films and Electro-Optical (EO) performances of the ion-beam aligned twisted nematic liquid crystal display (TN-LCD) with oblique ion beam exposure on the Carbon Nitride thin film surface were studied. An excellent uniform alignment of the nematic liquid crystal (NLC) alignment with the ion beam exposure on the Carbon Nitride thin films was observed. In addition, the good EO properties of the ion-beam-aligned TN-LCD were achieved. Finally, we achieved the residual DC property of the ion-beam- aligned TN-LCD on the Carbon Nitride thin film.
A diamond-like carbon (DLC) film deposited on a WC disk was investigated to improve disk wear resistance for injection molding of zirconia optical ferrule. The deposition of DLC films was performed using the filtered vacuum arc ion plating (FV-AIP) system with a graphite target. The coating processing was controlled with different deposition times and the other conditions for coating, such as input power, working pressure, substrate temperature, gas flow, and bias voltage, were fixed. The coating layers of DLC were characterized using FE-SEM, AFM, and Raman spectrometry; the mechanical properties were investigated with a scratch tester and a nano-indenter. The friction coefficient of the DLC coated on the WC was obtained using a pin-on-disk, according to the ASTM G163-99. The thickness of DLC films coated for 20 min. and 60 min. was about 750 nm and 300 nm, respectively. The surface roughness of DLC films coated for 60 min. was 5.9 nm. The Raman spectrum revealed that the G peak of DLC film was composed of $sp^3$ amorphous carbon bonds. The critical load (Lc) of DLC film obtained with the scratch tester was 14.6 N. The hardness and elastic modulus of DLC measured with the nano-indenter were 36.9 GPa and 585.5 GPa, respectively. The friction coefficient of DLC coated on WC decreased from 0.2 to 0.01. The wear property of DLC coated on WC was enhanced by a factor of 20.
ECR-PECVD 방법을 이용하여 ECR power, $CH_4/H_2$ 가스 혼합비와 유량, 증착시간을 고정 시켜놓고 기판 bias 전압을 변화 시켜가면서 유리 기판위에 DLC 박막을 제작하였다. Raman, FTIR 및 UV/Vis 스펙트럼을 측정하여 기판 bias 진압에 따른 이용 충돌이 박막의 특성 변화에 미치는 영향을 조사하였다. FTIR 분석결과로부터 기판 bias 전압을 증가시킬수록 이용충돌 현상이 두드러져 탄소와 결합하고 있던 수소원자들의 탈수소화 현상을 확인할 수 있었고, 박막의 두께는 bias 전압을 증가시킬수록 감소되었다. 그리고 Raman 스펙트럼으로부터 Gaussian curve fitting을 통하여 sp3/sp2의 결합수에 비례하는 D/G피크의 면적 강도비(ID/IG)는 기판 bias 전압을 증가시킬수록 증가하였다. 그리고 광 투과율은 증착시간을 길게 할수록, 기판 bias 전압을 크게할수록 감소하였으나, 박막의 밀도가 증가하고 더 매끄러운 DLC 박막이 형성되었다. 이 결과로부터 DLC 박막은 기판 bias 전압의 크기를 증가시킬수록 특성이 더 향상됨을 알 수 있었다.
다이아몬드 연마 필름(diamond lapping film)으로 긴 탄소나노튜브를 절단하고 이를 Scanning Electron Microscope(SEM)으로 관찰했다. 절단된 탄소나노튜브를 ${\alpha}$-terpineol을 용매로 ethyl cellulose를 바인더로 사용하여 제조한 페이스트를 스크린 프린팅과 주사 사출법으로 유리 기판에 도포하였다. 스크린 프린팅으로 인쇄된 선에 존재하는 절단된 탄소나노튜브를 기판에 대해 수직 배향을 시키기 위하여 사포, 다이아몬드 연마 필름을 사용하여 마찰시키거나 접착성이 있는 테이프를 이용하여 접촉시켰다가 분리 하는 방법을 시도하였다. SEM으로 탄소나노튜브의 배향 특성을 관찰한 결과 주사 사출법과 스크린 프린팅 후 다이아몬드 연마 필름을 사용하여 후처리하는 간편한 방법으로 탄소나노튜브의 우수한 수직배양이 이루어짐을 알 수 있었다.
Because of the novel characteristics such as chemical stability, hardness, electrical resistivity and thermal conductance, diamond-like carbon (DLC) film is a suitable materials for the passivation layers. For this purpose, DLC films are synthesized under various conditions and are characterized. Adhesive stregth is excellent and increased with the increase of the hydrogen gas flow rate. The resistivity of approximately 5.3X10$^{8}{\Omega}{\cdot}cm$ is measured by automatic spreading resistance probe analysis method. The thermal conductivity of DLC films is superior to that of PSG oxide and improved by increasing the hydrogen gas flow rate. The patterning techniques of the DLC films is developed using the lift-off and RIE methods to form 5${\mu}$m line. Finally, power transistor with the DLC film as passivation layer is fabricated and analyzed. The test result shows the improsved long-term stability and higher breakdown voltage.
본 논문에서는 비 산화물인 불소화합물 게이트절면막을 이용하여 박막반도체 다이아몬드 MS계면(Metal-Insulator-Semiconductor Interface)의 전기적 안정화를 실현하였다. 특히 산소 게터링 효과(Oxygen-Gettering Effect)에 의한 표면준위 억제를 통해, 박막반도체 다이아몬드 MIS계면에 있어서 최적의 전기적 특성을 부여하는 BiF2 게이트절연막을 개발하였다. 본 논문의 결과에 의하면, BaF$_2$ 게이트 절연막을 이용하여 제작한 A1/BaF2/diamond MIS 다이오드와 MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)로부터 저농도의 ~10101/$\textrm{cm}^2$ eV의 표면준위밀도가 관측되었고, 그리고 이제까지 발표된 다이아몬드 박막반도_체 FET중 최고치인 400 $\textrm{cm}^2$/Vs의 유효이동도가 관찰되었다.
Polycrystalline diamond films are deposited by cyclic method. modulating the $H_2$ Plasma and $CH_4+H_2$ plasma during the growth step. Diamond quality is evaluated by FWHM and $I_D/I_G$ ratio obtained from Raman spectroscopic analysis. Structural defects and impurities generated during the growth step are characterized by cathodoluminescence, and the variations between band-A(430 nm) line and nitrogen-related(578 nm) line are investigated as a function of $T_E/T_G$. Furthermore, the correlations between preferential orientation. film morphologies and CL characteristics are also investigated.
An experimental study of hot filament chemical vapor deposition(HFCVD) has been carried out for the fabrication of diamond thin film. Of particular interest is the measurement of deposition uniformity on large substrates. Experimental apparatus including a vacuum chamber, heating elements, etc. has been designed and manufactured. Deposition profiles for different pretreatment powders and different flow rates have been measured in conjunction with the measurement of substrate temperature distribution on a large substrate surface. As the flow rate increases, deposition rate increases, however, the crystallinity becomes worse. Higher growth rate has been found on the region closer to the center location where substrate temperature is higher. The crystallinity has been improved as gas flow rate decreases. The growth rate and morphology of deposition were identified by SEM and the existence of diamond phase was proved by Raman spectroscopy.
Diamond-like carbon(DLC) films were deposited on buffer-layered ZnS substrates by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) method. Ge and GeC buffer layera were used between DLC and ZnS substrates to promote the adhesion of DLC on ZnS substrates. Ge buffer layers were sputter deposited by RF magnetron sputtering and $GeC^1$ buffer layers were deposited by same method except using acetylene reactive gas. The relatinship between film properties and deposition conditions was investigated using gas pressure, RF power and dc bias voltage as PECVD parameters. The hardness of DLC films were measured by micro Vickers hardness test and the adhesion of DLC films on buffer-layered ZnS substrates were studied by Sebastian V stud pull tester. The optical properties of DLC films on butter-layered ZnS substrates were characterized by ellipsometer and FTIR spectroscopy.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제8권1호
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pp.15-20
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2007
Conditioner wear, copper polish rates, pad temperature and coefficient of friction (COF) are measured for two novel Mitsubishi Materials Corporation designs during an extended wear and polishing test. Both designs are coated with a $Teflon^{TM}$ film to reduce substrate wear and chemical attack. Using optical interferometry, changes in the coating that result in gradual changes in diamond exposure are measured. Theories of the COF, conditioning, and polishing are applied to explain the observed performance differences between the designs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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